據(jù)麥姆斯咨詢(xún)報(bào)道，近日，日本SCIOCS公司與法政大學(xué)報(bào)道了其在氮化鎵（GaN）中使用光電化學(xué)（photo-electro-chemical，簡(jiǎn)稱(chēng)PEC）刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)高縱橫比深溝槽的進(jìn)展。該小組希望這項(xiàng)技術(shù)能夠利用GaN在高電場(chǎng)中的高擊穿電場(chǎng)和高電子漂移速度等優(yōu)良特性，為功率電子創(chuàng)造新的器件結(jié)構(gòu)。

深刻蝕用來(lái)創(chuàng)建具有p型和n型材料柱的“超結(jié)”結(jié)構(gòu)，當(dāng)結(jié)合側(cè)向場(chǎng)效應(yīng)晶體管時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生超過(guò)10kV的擊穿電壓。同時(shí)，垂直器件也可以從超結(jié)漂移區(qū)域和其他深刻蝕結(jié)構(gòu)中獲益。因此，激光二極管的脊形加工、晶圓切割應(yīng)用和MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）等領(lǐng)域也需要高質(zhì)量的快速刻蝕工藝。如今，PEC技術(shù)已經(jīng)應(yīng)用于臺(tái)面結(jié)構(gòu)（mesa）、凹入式柵極（gate-recess）和垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）制造工藝上。據(jù)這項(xiàng)技術(shù)的研究者Horikiri稱(chēng)，這項(xiàng)技術(shù)得到了日本環(huán)境部的大力支持。

該團(tuán)隊(duì)說(shuō)道：“我們承諾將與GaN產(chǎn)業(yè)鏈分享此項(xiàng)PEC刻蝕技術(shù)，這是我們作為GaN襯底供應(yīng)商的職責(zé)之一。”通常，深刻蝕通過(guò)干法等離子體刻蝕實(shí)現(xiàn)，例如電感耦合等離子體反應(yīng)離子刻蝕（ICP-RIE），但是該技術(shù)會(huì)造成較嚴(yán)重的表面損傷。再加上由于GaN和掩模材料之間的干法刻蝕選擇性低也會(huì)引起更多的問(wèn)題。而高質(zhì)量的刻蝕技術(shù)進(jìn)度很慢，從而導(dǎo)致了深刻蝕結(jié)構(gòu)的可選項(xiàng)減少。

近日，SCIOCS研究的一項(xiàng)新技術(shù)是通過(guò)空隙輔助分離（void-assisted separation）技術(shù)從藍(lán)寶石中提取n型氫化物氣相外延（HVPE）材料，制備2英寸自支撐GaN襯底。晶圓的位錯(cuò)密度在2×10?/cm2~5×10?/cm2范圍內(nèi)。通過(guò)金屬有機(jī)氣相外延，用于肖特基勢(shì)壘二極管（Schottky barrier diode，簡(jiǎn)稱(chēng)SBD）的5.8μm n-GaN和用于pn二極管的2μm n+-GaN、10μm n-GaN、500nm p-GaN和20nm p+-GaN，可衍生出額外的二極管層。在850℃氮?dú)庵袑?duì)pn二極管材料進(jìn)行30分鐘的退火處理，從而激活p型層的受主鎂。其中退火處理的作用是為了驅(qū)除鈍化受主的氫原子。

圖1：PEC刻蝕方案用于PEC刻蝕的掩模材料（圖1）是鈦。

PEC刻蝕使用“光輔助陽(yáng)極氧化”來(lái)刻蝕GaN。

該工藝從GaN中釋放Ga3+，其中正電荷來(lái)自GaN或電解質(zhì)陽(yáng)極界面處紫外線（UV）產(chǎn)生的空穴。電子通過(guò)PEC的電路被移除，而該電路是設(shè)置在GaN晶圓背面的歐姆接觸和作為陰極的鉑反電極之間的。刻蝕電位為1V。紫外輻射由汞氙燈提供，在垂直入射時(shí)提供9.0mW/cm2的強(qiáng)度。輻射和刻蝕電位在0.6占空比的脈沖模式下操作。電解質(zhì)中含有與Ga3+反應(yīng)產(chǎn)生的OH-氫氧根離子，形成Ga2O3。電解質(zhì)溶液含有0.01M氫氧化鈉和1%聚乙二醇辛基苯基醚（Triton X-100）作為潤(rùn)濕劑，可降低表面張力并有助于去除氣泡。PEC技術(shù)的表面平坦化率可達(dá)到24.9nm/min，相當(dāng)于無(wú)損傷干法刻蝕。如果將PEC速率提高到175.5nm/min，則會(huì)導(dǎo)致表面變得粗糙。不過(guò)高速率的PEC技術(shù)可用于晶圓切割領(lǐng)域中。采用由90μm直徑的圓點(diǎn)組成的50nm厚的鈦掩模，PEC刻蝕深度可達(dá)20μm，選擇比高于400（20μm/50nm），而側(cè)面刻蝕則小于1μm。在溝槽刻蝕的實(shí)驗(yàn)中，深度由電流密度控制，而不是由沿著GaN晶格的m軸或a軸的掩模取向控制。短寬度孔徑掩模的溝槽刻蝕速率在約30μm深度處減慢。研究人員認(rèn)為，這是因?yàn)樽贤廨椛潆y以到達(dá)溝槽底部的刻蝕前沿所造成的。他們還補(bǔ)充說(shuō)道，相干紫外光源可能有助于深溝槽刻蝕。

圖2：PEC刻蝕深度與溝槽縱橫比的關(guān)系。實(shí)線、虛線和點(diǎn)線分別代表PEC刻蝕溝槽縱深比與溝槽寬度的估計(jì)值，兩側(cè)壁以0.7μm為數(shù)量級(jí)變化。填充符號(hào)表示實(shí)驗(yàn)結(jié)果。其中最大溝槽縱橫比為7.3，寬度為3.3μm，深度為24.3μm（圖2）。該小組解釋道：“這種縱橫比和刻蝕深度與ICP-RIE制造的SiC溝槽的最優(yōu)結(jié)果相當(dāng)，這表明PEC刻蝕的優(yōu)勢(shì)不僅體現(xiàn)在光學(xué)和電子器件制造領(lǐng)域，還體現(xiàn)在GaN-MEMS制造領(lǐng)域，例如晶圓、膜片、微流體通道和光柵的通孔等。”