隨著碳中和議題升溫，電動自行車保有量迅速攀升，集中式快充站點日均充電頻次呈倍數增長。傳統方案在快充模塊中已逼近效率與功率密度極限，發熱、體積與可靠性矛盾日益突出。市場亟需兼顧冗余與安全的新型電源架構。

為應對上述市場需求，東芝半導體推出基于貼片式碳化硅（SiC）MOSFET的3kW電動自行車快速充電器電源參考設計，該設計結合了半無橋功率因數校正（PFC）電路和移相全橋（PSFB）轉換器電路：PFC部分采用SiC MOSFET TW092V65C與SiC SBD TRS12V65，PSFB原邊使用內置SiC SBD的功率MOSFET TW027U65C，副邊采用功率MOSFET TPW2900ENH，數字隔離器DCL540C01用于柵極信號傳輸，功率MOSFET TPM1R908QM用于ORing。

在此組合下，230V輸入、滿載時效率高達94.8%，符合80 PLUS鉑金級認證標準的高效設計；若省去ORing電路，效率還可進一步提升。功率器件與主板分離安裝，縮小占板面積，實現高功率密度；布局及焊盤針對散熱與噪聲優化，并集成冗余ORing電路和輔助電源，提升可靠性與靈活性。

該電動自行車快速充電器電源采用了最先進的SiC MOSFET，實現了高效率、高密度和高可靠性，在設計創新和安全性上得到了大幅度提升。

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