在這個快節奏的時代，快速充電成為了我們日常生活的剛需。而快充技術的關鍵之一就是高性能MOSFET。快充用 MOSFET 需具備卓越的性能，能夠高效地控制電流，實現快速穩定的充電過程。無論是為手機、電腦、Pad還是其他電子設備，都能在極短時間內注入充足的電量。

PD快充應用框圖

經過數年的發展，快充技術已經從最初的手機出發，逐步覆蓋到了筆記本電腦、電動工具、個人護理、新能源汽車、戶外電源、TWS耳機、POS機、寵物用品、電子霧化器、充氣泵等十余個市場。

近年來重點發展趨勢是120W以上小體積的GaN/SiC PD快充。隨著充電器內部的第三代半導體、MOSFET、同步整流、智能芯片等技術優化，會帶來損耗更低、體積更小、功率密度更高的產品。

新型快充充電器對比

如傳統的200W充電器，體積1100cm3，重量達1300g；而得益于基于第三代半導體及MOSFET功率器件同步整流方案的加持，新的240W快充，體積約160cm3，重量在250g左右，不僅體積更小，重量更輕，更便攜，且損耗會更低，轉換效率更高。

那么，基于MOSFET次級同步整流電路的電源，是如何實現電能的高效轉換的呢？

二極管整流電路

若快充電路的副邊采用二極管作為整流管，稱為二極管整流電路。由于快充的輸出電流大，有時輸出電流可高達5A，二極管因為有一個約0.7V左右的正向壓降，所以二極管整流電路損耗較大，效率差。

同步整流電路

如果使用MOSFET取代二極管作為整流管，稱為副邊（次級）同步整流。在同步整流中，由于 MOS管的 Rdson 非常小，一般為毫歐級別，導通后的壓降非常低，損耗功率遠遠小于二極管。所以用MOS管做整流管的同步整流電路損耗低、效率高。

將MOS導通阻抗低、發熱量小、開關速度快的優勢成功應用到次級同步整流電路中，使得電源發熱量大幅下降，可靠性更高，體積更小。采用同步整流MOS，電路整體效率可提升2~5%。以5V/9V 2A充電為例，同步整流方案溫度可以降低約15°C(SOP-8封裝情況下)。

芯導科技PD快充同步整流MOSFET產品推薦

PD快充同步整流MOS的耐壓一般選擇100V，可以為20V 標準輸出提供 5 倍安全裕度，為48V 高功率輸出提供 2 倍安全保障，同時可以有效應對反激電路特有的電壓尖峰問題，在保持低導通電阻(3-9mΩ) 的同時具備良好開關性能，實現單器件兼容全系列 PD 協議，未來升級無憂，因此工程師通常選擇100V耐壓的MOSFET，作為性價比最高的解決方案. 當然，也有一些廠家基于成本和實際應用考慮，會選擇60V 耐壓的MOS作為快充同步整流MOS。

Prisemi芯導科技用于快充同步整流的MOSFET產品均采用先進的分立柵溝槽MOSFET（SGT MOS）技術，較傳統單柵溝槽MOSFET，分立柵MOSFET擁有出色的導通及開關特性，極佳的散熱能力和安全性。如下對比數據，相同芯片面積下，分立柵MOSFET具有更低的導通電阻即導通損耗低。相同導通電阻情況下，分立柵MOSFET電容（尤其是米勒電容Crss）參數值更小，Qg更小即開關損耗低。

Prisemi 的MOS產品已成功應用在多個品牌客戶的PD快充同步整流電路中。

企業介紹

芯導科技(Prisemi)專注于高品質、高性能的模擬集成電路和功率器件的開發及銷售，總部位于上海市張江科學城。

公司于2009年成立，至今已獲國家級專精特新“小巨人”企業、“上市公司金牛獎”、“上市公司金質量獎”、“功率半導體領軍企業”、“上海市規劃布局內重點集成電路企業”、“高新技術企業”、“上海市科技小巨人企業”等榮譽資質，并已擁有百余項知識產權。公司已在上海證券交易所科創板上市，股票簡稱"芯導科技"，股票代碼為688230.SH。

芯導科技專注于功率IC（鋰電池充電管理 IC、OVP過壓保護 IC、音頻功率放大器、GaN 驅動與控制IC、DC/DC電源IC等）以及功率器件（ESD、EOS/TVS、MOSFET、GaN HEMT、SiC MOS、SiC SBD、IGBT等）的開發及應用。公司在深耕國內市場的同時，積極拓展海外市場，目前產品已遠銷歐美日韓及東南亞等國家與地區，可應用于移動終端、網絡通信、安防工控、電源、儲能、汽車電子、光伏逆變器等領域。