就片式電阻器的發展方向來講，主要有以下幾個：超小型化、綠色環?；?、高精度化、低溫度系數化以及賤金屬化。

表面安裝技術（SMT）是上世紀70年代末，在國際上發展起來的一種新型電子產品安裝技術。目前已在多類電子產品中獲得廣泛應用，并使電子產品安裝技術發生了革命性的變化。配合表面安裝技術，片式元件的發展也是日新月異，而片式元件也是電子元件發展的主流和方向，目前各類電子元件的片式化率已達70%以上。在各類整機電路中，片式元件和半導體有源器件的數量比例通常在20∶1至50∶1，其中一些高端電子產品，如手機、筆記本電腦、PDA（掌上電腦）等當中，片式元件的比例更高，有時可達到100∶1。

用于表面安裝技術的電子元器件包括片式電阻器、片式電容器、片式電感器、片式半導體器件，以及其他片式產品。其中片式電阻器的需求量最大，占整個片式元器件的45%以上。而全球片式電阻器的年需求量則超過了1萬億只。

進入21世紀以來，電子信息技術的高速發展對元件技術不斷提出新的要求，尤其是片式電阻器的技術也得到了全新的發展，推動著片式電阻器進入到一個迅速升級換代的時期。就片式電阻器的發展方向來講，主要有以下幾個方向，超小型化、綠色環?；⒏呔然?、低溫度系數化以及賤金屬化，為了幫助大家對片式電阻器的技術發展有所了解，現對厚膜片式電阻器和薄膜片式電阻器兩大類片式電阻器作如下淺談，僅供相關人士參考。

厚膜片式電阻器向3方面發展

厚膜片式電阻器是相對金屬膜電阻器而言，電阻膜層比較厚，厚度一般為4μm～8μm，制造工藝與傳統的柱狀帶引線電阻器相比，采用了全新的制造工藝。片式電阻器通常是采用以96%Al2O3的陶瓷基板作為散熱基材、Ag-Pd作為導體材料、釕及釕的氧化物作為電阻體材料、玻璃釉作為包封材料、端頭電鍍鎳錫等。通過絲網印刷技術、燒結技術、激光調阻技術、裂片技術、端頭涂銀技術、折粒技術、電鍍技術等30多道生產和檢驗工序精心制造而成。

厚膜片式電阻器的主要發展方向有：

超小型化。目前，0402和0603尺寸的片式電阻器已成為市場的主流，但隨著電子產品尤其是數碼產品的小型化、輕型化，0201、01005產品的需求日益增加，尤其是01005，該產品的體積只有0.4毫米（長）×0.2毫米（寬）×0.125毫米（高），重量只有0.04克，目前只有少數日企和我國***企業能夠生產，為了解決如01005這種小尺寸產品的生產，就必須在傳統的制造工藝上進行升級換代，如絲網印刷技術必須采用先進的CCD（電耦合器件）自動對位印刷技術，端涂必須采用近幾年發展起來的濺射技術解決端面問題，激光調阻、電鍍也都必須采用最新的專用設備才能保證0201、01005產品的批量生產供貨。

綠色環?；W盟“電子電氣設備廢棄物法令”（WEEE）和“關于在電子電氣設備中禁止某些有害物質”的規定（RoHS）已經在2005年8月和2006年7月1日生效，其影響在全球性范圍內顯現。雖然片式元件的玻璃釉膜屬于豁免范圍，但是盡量減少玻璃釉漿料的使用對企業來講是既能減少非環保材料的使用，也是節省開支降低能耗的一個好辦法，端面濺射賤金屬、包封料采用聚合物樹脂等方法目前也已經開始逐步推廣使用。據統計，端面濺射賤金屬能夠使產品端涂的原材料成本降低90%以上。而聚合物樹脂的使用不僅使原材料成本降低，同時還能大幅提高產品的阻值合格率。

超高阻化。超高阻值片式電阻器，主要應用產品在高性能電子通信模塊，高精度精密電子儀器及特殊軍工產品上。阻值最高要求達1TΩ，工作電壓最高要求達10kV，這類產品的主要技術指標有阻值精度、工作電壓、溫度系數、電壓系數、穩定性等，要保證這些指標達到用戶要求，就必須在技術上有所突破，包括漿料的選用，調阻方式，包封料的印刷等等，只有這些技術形成突破后，才能保證超高阻值片式電阻器的批量生產、供貨。

薄膜片式電阻器前景最被看好

薄膜片式電阻器是近幾年來發展最迅速、應用范圍最廣、前景最被看好的新一代片式電阻器，外資企業幾年前就已經開始批產，我國***企業也是從前兩年開始批產，但大陸目前只有極個別的廠家能夠生產此類產品。相比厚膜片式電阻器而言，薄膜片式電阻器的電阻膜層主要成分為鎳鉻合金，經過精密加工和后期處理，阻值精度可達±0.05%，溫度系數可達到±5ppm/℃，穩定度可達到0.02%，是替代低精度的厚膜片式電阻器以及傳統高精度、高穩定柱狀帶引線電阻器的理想產品。薄膜片式電阻器的生產主要有以下幾方面的技術。

基片。薄膜電阻器的膜層要保持穩定狀態一般需要工作在125℃以下，在此基礎上溫度每升高10℃，膜層的穩定度會降低2個百分點（空氣中）。一般情況下，當溫度在125℃時，阻值的漂移是0.5%，而當溫度升到135℃時，這個漂移值將達到1%，這是因為空氣中的氧氣將電阻膜層不斷氧化。當然影響這個溫升的因素包括：電阻器外形尺寸、功率、周邊元件、陶瓷基板類型以及散熱片的使用等等。同時，由于薄膜電阻器的電阻膜層太薄，瓷片表面的光潔度和粗糙度也是影響電阻器性能的一個決定性因素。

因此必須選擇一種既能保證熱量迅速被耗散，又能保證表面光潔度高、粗糙度好的材料，經過比較，只有Al2O3含量為99.6%的陶瓷基片能夠同時滿足以上要求。目前該類型的陶瓷基片已經量產，主要是在一些日本和我國***的基片供應廠家。

成膜。在電阻器生產中，鎳鉻（NiCr）和氮化鉭（TaN）是常用的電阻膜層材料，鎳鉻材料溫度系數比較小，相對方阻較大；氮化鉭材料方阻低，且溫度系數為負。因此在實際生產中，通常選擇的是鎳鉻為主要成分的合金復合膜。

激光調阻。片式電阻器用激光調阻機近年來的發展速度非常快，第四代片式電阻器用激光調阻機已有生產，而專用于薄膜片式電阻器的、激光波長為532nm的綠激光調阻機已有多家公司量產，阻值控制精度能達到±0.02%，調阻速度可達300mm/s，完全適合薄膜片式電阻器的大規模批量生產。

端面處理。端面處理技術也在近幾年進行了升級換代，排條機和濺射機的使用，使得以前的端面涂銀技術升級為在端面濺射鎳鉻金屬，不僅降低了成本，提高了效率，也大大提高了產品的穩定性和可靠性。

總之，從總體產業水平上看，我國大陸片式元件產業與美、日兩個元件生產強國甚至與我國***相比還存在一定的差距。電子元件生產企業所面臨的普遍問題是核心競爭力較差、產品檔次較低，且產品的技術含量較低，附加值低，擁有自主知識產權的產品較少，在某些核心技術上還受制于人。但是片式元件升級換代速度加快、無源集成產業的興起以及世界范圍產業結構的調整又為我國片式元件產業的發展提供了較好的機遇。抓住這些機遇，投入力量，研究開發具有自主知識產權的新一代片式元件，是我國從電子元件大國走向電子元件強國的必由之路。