解析 onsemi FGHL60T120RWD IGBT:性能、參數(shù)與應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
在電子工程領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為功率半導(dǎo)體器件,在眾多應(yīng)用場(chǎng)景中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。今天,我們就來深入剖析 onsemi 推出的 FGHL60T120RWD IGBT,看看它有哪些獨(dú)特之處。
文件下載:onsemi FGHL60T120RWD 1200V 60A分立式IGBT.pdf
產(chǎn)品概述
FGHL60T120RWD 采用了新穎的第 7 代場(chǎng)截止 IGBT 技術(shù)以及 Gen7 二極管,并封裝于 TO - 247 3 引腳封裝中。這種組合使得該器件在各種應(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠?qū)崿F(xiàn)低傳導(dǎo)損耗和良好的開關(guān)可控性,從而達(dá)成高效運(yùn)行。其典型應(yīng)用場(chǎng)景包括電機(jī)控制、UPS(不間斷電源)、數(shù)據(jù)中心以及高功率開關(guān)等領(lǐng)域。

關(guān)鍵特性
低傳導(dǎo)損耗與優(yōu)化開關(guān)性能
該 IGBT 具備低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn),這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,它能夠減少能量的損耗,提高系統(tǒng)的效率。同時(shí),其優(yōu)化的開關(guān)性能可以確保在開關(guān)過程中快速、穩(wěn)定地切換狀態(tài),降低開關(guān)損耗。
高結(jié)溫承受能力
最大結(jié)溫 $T_{J}$ 可達(dá) $175^{\circ}C$,這使得器件能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作,適應(yīng)一些對(duì)散熱要求較高或者工作環(huán)境較為惡劣的應(yīng)用場(chǎng)景。
正溫度系數(shù)與易于并聯(lián)操作
正溫度系數(shù)的特性使得多個(gè) FGHL60T120RWD IGBT 可以方便地進(jìn)行并聯(lián)操作,以滿足更高功率的需求。在并聯(lián)使用時(shí),各個(gè)器件能夠自動(dòng)平衡電流,避免出現(xiàn)熱失控等問題。
高電流能力與動(dòng)態(tài)測(cè)試
具備高電流能力,并且所有器件都經(jīng)過 100% 的動(dòng)態(tài)測(cè)試,這保證了產(chǎn)品的一致性和可靠性。同時(shí),它還具有短路額定能力,能夠在短路情況下保護(hù)自身和整個(gè)系統(tǒng)。
環(huán)保合規(guī)
符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),這表明該產(chǎn)品在生產(chǎn)過程中遵循了環(huán)保要求,減少了對(duì)環(huán)境的影響。
主要參數(shù)
最大額定值
| 參數(shù) | 符號(hào) | 條件 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 集電極 - 發(fā)射極電壓 | $V_{CES}$ | - | 1200 | V |
| 柵極 - 發(fā)射極電壓 | $V_{GES}$ | - | +20 | V |
| 瞬態(tài)柵極 - 發(fā)射極電壓 | - | - | ±30 | V |
| 集電極電流($T_{c}=25^{\circ}C$) | $I_{c}$ | 注 1 | 120 | A |
| 集電極電流($T_{c}=100^{\circ}C$) | $I_{c}$ | - | 60 | A |
| 功率耗散($T_{c}=25^{\circ}C$) | $P_{D}$ | - | 833 | W |
| 功率耗散($T_{c}=100^{\circ}C$) | $P_{D}$ | - | 416 | W |
| 脈沖集電極電流($T{c}=25^{\circ}C$,$t{p}=10\ \mu s$) | $I_{CM}$ | 注 2 | 180 | A |
| 二極管正向電流($T_{c}=25^{\circ}C$) | $I_{F}$ | 注 1 | 120 | A |
| 二極管正向電流($T_{c}=100^{\circ}C$) | $I_{F}$ | - | 60 | A |
| 脈沖二極管最大正向電流($T{c}=25^{\circ}C$,$t{p}=10\ \mu s$) | $I_{FM}$ | - | 180 | A |
| 工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度范圍 | $T{J}$,$T{stg}$ | - | -55 至 +175 | $^{\circ}C$ |
| 焊接用引腳溫度 | $T_{L}$ | - | 260 | $^{\circ}C$ |
熱特性
| 參數(shù) | 符號(hào) | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| IGBT 結(jié) - 殼熱阻 | $R_{\theta JC}$ | 0.18 | $^{\circ}C/W$ |
| 二極管結(jié) - 殼熱阻 | $R_{\theta JCD}$ | 0.33 | $^{\circ}C/W$ |
| 結(jié) - 環(huán)境熱阻 | $R_{\theta JA}$ | 40 | $^{\circ}C/W$ |
電氣特性
包括關(guān)斷特性、導(dǎo)通特性、動(dòng)態(tài)特性和開關(guān)特性等多個(gè)方面,這些特性詳細(xì)描述了 IGBT 在不同工作狀態(tài)下的性能表現(xiàn)。例如,在關(guān)斷特性中,集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓 $B{VCE S}$ 在 $V{GE}=0V$,$I{c}=5mA$ 時(shí)為 1200V;在導(dǎo)通特性中,柵極閾值電壓 $V{GE(th)}$ 在特定條件下為 5.94 - 6.7V 等。
典型特性曲線
文檔中提供了一系列典型特性曲線,如輸出特性、轉(zhuǎn)移特性、飽和特性、電容特性、柵極電荷特性等。這些曲線直觀地展示了 IGBT 在不同工作條件下的性能變化,對(duì)于工程師進(jìn)行電路設(shè)計(jì)和性能評(píng)估非常有幫助。例如,通過輸出特性曲線可以了解集電極電流與集電極 - 發(fā)射極電壓之間的關(guān)系,從而確定器件的工作區(qū)域。
封裝尺寸
該器件采用 TO - 247 - 3LD CASE 340CX 封裝,文檔詳細(xì)給出了封裝的尺寸信息,包括各個(gè)維度的最小、標(biāo)稱和最大值。這對(duì)于 PCB 設(shè)計(jì)和散熱設(shè)計(jì)至關(guān)重要,工程師可以根據(jù)這些尺寸信息合理布局電路板,確保器件的安裝和散熱效果。
應(yīng)用建議
在使用 FGHL60T120RWD IGBT 時(shí),需要注意以下幾點(diǎn):
- 散熱設(shè)計(jì):由于其最大結(jié)溫較高,但在實(shí)際應(yīng)用中仍需要良好的散熱措施來保證器件的性能和可靠性。可以根據(jù)熱特性參數(shù)選擇合適的散熱片或散熱方式。
- 并聯(lián)使用:雖然該器件具有正溫度系數(shù),易于并聯(lián)操作,但在并聯(lián)時(shí)仍需要注意均流問題,確保各個(gè)器件的電流分配均勻。
- 工作條件:要嚴(yán)格按照最大額定值和電氣特性參數(shù)來使用器件,避免超過其極限條件,否則可能會(huì)導(dǎo)致器件損壞或性能下降。
FGHL60T120RWD IGBT 憑借其先進(jìn)的技術(shù)、優(yōu)異的性能和豐富的特性,為電子工程師在電機(jī)控制、UPS 等領(lǐng)域的設(shè)計(jì)提供了一個(gè)可靠的選擇。在實(shí)際應(yīng)用中,工程師需要充分了解其參數(shù)和特性,合理進(jìn)行電路設(shè)計(jì)和散熱設(shè)計(jì),以發(fā)揮其最大優(yōu)勢(shì)。你在使用 IGBT 過程中遇到過哪些問題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。
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