解析 onsemi FGHL60T120RWD IGBT:性能、參數與應用優勢
在電子工程領域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為功率半導體器件,在眾多應用場景中發揮著關鍵作用。今天,我們就來深入剖析 onsemi 推出的 FGHL60T120RWD IGBT,看看它有哪些獨特之處。
文件下載:onsemi FGHL60T120RWD 1200V 60A分立式IGBT.pdf
產品概述
FGHL60T120RWD 采用了新穎的第 7 代場截止 IGBT 技術以及 Gen7 二極管,并封裝于 TO - 247 3 引腳封裝中。這種組合使得該器件在各種應用中表現出色,能夠實現低傳導損耗和良好的開關可控性,從而達成高效運行。其典型應用場景包括電機控制、UPS(不間斷電源)、數據中心以及高功率開關等領域。

關鍵特性
低傳導損耗與優化開關性能
該 IGBT 具備低傳導損耗的特點,這意味著在導通狀態下,它能夠減少能量的損耗,提高系統的效率。同時,其優化的開關性能可以確保在開關過程中快速、穩定地切換狀態,降低開關損耗。
高結溫承受能力
最大結溫 $T_{J}$ 可達 $175^{\circ}C$,這使得器件能夠在高溫環境下穩定工作,適應一些對散熱要求較高或者工作環境較為惡劣的應用場景。
正溫度系數與易于并聯操作
正溫度系數的特性使得多個 FGHL60T120RWD IGBT 可以方便地進行并聯操作,以滿足更高功率的需求。在并聯使用時,各個器件能夠自動平衡電流,避免出現熱失控等問題。
高電流能力與動態測試
具備高電流能力,并且所有器件都經過 100% 的動態測試,這保證了產品的一致性和可靠性。同時,它還具有短路額定能力,能夠在短路情況下保護自身和整個系統。
環保合規
符合 RoHS 標準,這表明該產品在生產過程中遵循了環保要求,減少了對環境的影響。
主要參數
最大額定值
| 參數 | 符號 | 條件 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 集電極 - 發射極電壓 | $V_{CES}$ | - | 1200 | V |
| 柵極 - 發射極電壓 | $V_{GES}$ | - | +20 | V |
| 瞬態柵極 - 發射極電壓 | - | - | ±30 | V |
| 集電極電流($T_{c}=25^{\circ}C$) | $I_{c}$ | 注 1 | 120 | A |
| 集電極電流($T_{c}=100^{\circ}C$) | $I_{c}$ | - | 60 | A |
| 功率耗散($T_{c}=25^{\circ}C$) | $P_{D}$ | - | 833 | W |
| 功率耗散($T_{c}=100^{\circ}C$) | $P_{D}$ | - | 416 | W |
| 脈沖集電極電流($T{c}=25^{\circ}C$,$t{p}=10\ \mu s$) | $I_{CM}$ | 注 2 | 180 | A |
| 二極管正向電流($T_{c}=25^{\circ}C$) | $I_{F}$ | 注 1 | 120 | A |
| 二極管正向電流($T_{c}=100^{\circ}C$) | $I_{F}$ | - | 60 | A |
| 脈沖二極管最大正向電流($T{c}=25^{\circ}C$,$t{p}=10\ \mu s$) | $I_{FM}$ | - | 180 | A |
| 工作結溫和存儲溫度范圍 | $T{J}$,$T{stg}$ | - | -55 至 +175 | $^{\circ}C$ |
| 焊接用引腳溫度 | $T_{L}$ | - | 260 | $^{\circ}C$ |
熱特性
| 參數 | 符號 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| IGBT 結 - 殼熱阻 | $R_{\theta JC}$ | 0.18 | $^{\circ}C/W$ |
| 二極管結 - 殼熱阻 | $R_{\theta JCD}$ | 0.33 | $^{\circ}C/W$ |
| 結 - 環境熱阻 | $R_{\theta JA}$ | 40 | $^{\circ}C/W$ |
電氣特性
包括關斷特性、導通特性、動態特性和開關特性等多個方面,這些特性詳細描述了 IGBT 在不同工作狀態下的性能表現。例如,在關斷特性中,集電極 - 發射極擊穿電壓 $B{VCE S}$ 在 $V{GE}=0V$,$I{c}=5mA$ 時為 1200V;在導通特性中,柵極閾值電壓 $V{GE(th)}$ 在特定條件下為 5.94 - 6.7V 等。
典型特性曲線
文檔中提供了一系列典型特性曲線,如輸出特性、轉移特性、飽和特性、電容特性、柵極電荷特性等。這些曲線直觀地展示了 IGBT 在不同工作條件下的性能變化,對于工程師進行電路設計和性能評估非常有幫助。例如,通過輸出特性曲線可以了解集電極電流與集電極 - 發射極電壓之間的關系,從而確定器件的工作區域。
封裝尺寸
該器件采用 TO - 247 - 3LD CASE 340CX 封裝,文檔詳細給出了封裝的尺寸信息,包括各個維度的最小、標稱和最大值。這對于 PCB 設計和散熱設計至關重要,工程師可以根據這些尺寸信息合理布局電路板,確保器件的安裝和散熱效果。
應用建議
在使用 FGHL60T120RWD IGBT 時,需要注意以下幾點:
- 散熱設計:由于其最大結溫較高,但在實際應用中仍需要良好的散熱措施來保證器件的性能和可靠性。可以根據熱特性參數選擇合適的散熱片或散熱方式。
- 并聯使用:雖然該器件具有正溫度系數,易于并聯操作,但在并聯時仍需要注意均流問題,確保各個器件的電流分配均勻。
- 工作條件:要嚴格按照最大額定值和電氣特性參數來使用器件,避免超過其極限條件,否則可能會導致器件損壞或性能下降。
FGHL60T120RWD IGBT 憑借其先進的技術、優異的性能和豐富的特性,為電子工程師在電機控制、UPS 等領域的設計提供了一個可靠的選擇。在實際應用中,工程師需要充分了解其參數和特性,合理進行電路設計和散熱設計,以發揮其最大優勢。你在使用 IGBT 過程中遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區分享你的經驗。
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