?本文主要是針對USB PD 3.1控制器TPS25730的浪涌防護方案，采用湖南靜芯研發的TDS浪涌保護器件對芯片進行浪涌防護，保護設備免受電氣系統中的浪涌電壓或浪涌電流的損害，確保設備的安全性。

一、TPS25730介紹

TPS25730 是一款高度集成的獨立式 USB Type-C 和 電力輸送 (PD) 控制器，針對支持USB-C PD電源的純接收應用進行了優化。TPS25730 集成了完全管理的電源路徑與強大的保護功能，可提供完整的USB-C PD解決方案。TPS25730 還可通過使用內部柵極驅動器來 控制外部電源路徑。TPS25730 非常適合之前由桶形插孔供電的純接收應用。使用電阻器引腳strap配置，用戶可在其平臺上使用 TPS25730 實現功能齊全的USB Type-C PD端口，無需外部 EEPROM、外部微控制器或任何類型的固件開發。

二、USB-PD介紹

USB-PD 是一種基于 USB Type-C 標準構建的先進快速充電技術，它基于充電規范運行，以最大限度地提高傳輸到連接設備的功率。USB-PD 規范定義了設備如何利用 USB Type-C 連接器供電，以及如何在供電過程中識別和管理這些設備。USB-PD 的一個關鍵特性是，它可以使設備能夠在精確傳輸或接收電源之前通過 USB Type-C 連接器上的專用通信通道進行通信。這可以讓設備僅獲得所需的功率，防止過度充電或充電不足的問題。

由USB實施者論壇（USB-IF）設計的USB供電（USB-PD）規范已經發展了四個版本，逐步增強了供電能力和靈活性。最初的USB-PD 1.0僅提供固定功率配置：10W（5V，2A）、18W（12V，1.5A）、36W（12V，3A）、60W（20V，3A）和100W（20V，5A）。USB-PD 2.0為標準功率范圍（SPR）引入了四個固定電壓電平（5V、9V、15V、20V），具有3A或5A的靈活電流選項。這種組合實現了更多通用的充電選項，功率范圍從0.5W到100W不等。USB-PD 3.0進一步擴展了USB-PD 2.0的功能，提供額外的設備信息，如電源狀態、電池電量和系統通知。

三、TDS器件介紹

TDS(平緩鉗位浪涌抑制器)具有精準且恒定的觸發電壓、優異的鉗位性能及穩定的溫度特性，可為系統提供更全面保護。當 EOS 事件來臨時，瞬態電壓攀升至超過集成精密觸發器所設定的擊穿電壓（VBR）閾值，觸發電路精確的開啟內置泄流場效應晶體管，有效的將瞬態高壓與大電流安全釋放到地。由于TDS的內置泄流場效應晶體管具有極低的導通電阻，其鉗位電壓在額定峰值脈沖電流范圍內幾乎是恒定的。

在選擇浪涌防護器件時，許多工程師會優先選擇TVS二極管，實際上大電流TDS芯片在成本和性能、面積上比TVS更具優勢。TDS器件的優勢如下：

在提供相同保護的情況下，TDS耗散浪涌能量較小，能通過自身特性將過壓與過流事件高效泄放到地，從而避免增加自身熱損耗。

TDS器件體積小巧，結構緊湊，為硬件工程師設計高度集成型解決方案提供了更優選擇。如果應用需要超過單個TDS器件所能提供的特定鉗位電壓， 可以將多個TDS器件串聯，提供了更多的靈活性。

TDS器件的鉗位電壓通常比傳統TVS保護設備的鉗位電壓低30%，減少了系統的電氣應力，可以更好的保護后端IC，也為系統中的其他組件創造了更大的安全余量。

TDS器件在額定峰值脈沖電流范圍內擁有幾乎恒定的鉗位電壓。傳統TVS二極管的箝位電壓隨著峰值脈沖電流的增加而增加，而TDS器件的鉗位電壓在最大峰值脈沖電流之前幾乎保持不變。

TDS器件的鉗位電壓在工作溫度范圍內保持穩定，而傳統TVS二極管的鉗位電壓隨溫度變化。TDS器件擁有卓越的耐用性，在工作規格內性能不會下降，仍能保證低漏電和高鉗位電壓。

四、應用方案

圖1 應用方案

上圖介紹了使用PD 3.1控制器TPS25730的部分參考設計。USB PD 3.1可以提供高達 100W 的功率,VBUS上的最大電壓可以達到20V（20V&5A）。如果總線上的電壓增加超過其設計參數，USB PD控制器可能會損壞。因此設計人員經常選擇使用具有高于標定峰值脈沖電流(IPP)額定值的TVS二極管器件保護總線，VBUS引腳的安全性就需要使用工作電壓高于 20V 的防護器件來保護 VBUS 引腳，以保持鉗位電壓低于PD控制器損壞閾值。

ESTVS2200DRVR是湖南靜芯開發的平緩浪涌抑制器(TDS)，可用于保護工作電壓為 20V、22V、24V 的系統，具有精準且恒定的觸發電壓、優異的鉗位性能及穩定的溫度特性，可為系統提供更全面保護。ESTVS2200DRVR 器件為 DFN 2mm x 2mm x 0.68mm 6引腳封裝，工作電壓最大可達 24V，可在 ESD 和浪涌事件發生時保護 USB-PD 控制器。器件的觸發電壓典型值為25.6V，額定瞬態峰值脈沖電流可達70A(tp=8/20μs)，鉗位電壓VC為30V以內，且符合IEC 61000-4-2 (ESD) 規范，在 ±30kV（空氣）和 ±30kV（接觸）下提供瞬變保護。

五、器件電氣特性表

At TA = 25℃ unless otherwise noted

表1 ESTVS2200DRVR電氣特性表

六、總結與結論

TPS25730作為常用的PD控制芯片，浪涌防護十分關鍵。TDS芯片的鉗位性能優異、溫度特性穩定，在汽車和工業控制領域將會有極大的應用前景和市場。湖南靜芯同時推出5V、14V、18V、22V、27V、33V等各種電壓等級的TDS平緩浪涌抑制器，可為系統提供更全面保護。

?審核編輯 黃宇