近日，第四屆射頻濾波器創新技術大會圓滿舉行，本屆大會以"芯潮·濾動"為主題，聚焦射頻濾波器全產業鏈創新，涵蓋材料、設計、工藝及應用場景，旨在推動國產濾波器技術突破與產業生態構建。左藍微電子在大會現場圍繞5G-A/6G技術的演進，聚焦射頻濾波器的多場景應用，并提出了三點創新研究路徑。

5G-A到6G的技術跨越催生濾波器新需求

隨著2025年5G-A網絡在國內超330個城市實現覆蓋，通信技術正經歷從5G向6G的跨越式發展，據工信部及相關機構發布的規劃，未來十年中國將重點布局6G關鍵技術研發與應用驗證，實現從“萬物互聯”到“萬物智聯”的轉變，這意味著無線通信系統的頻譜利用效率、帶寬密度和器件性能要求都將成倍提升。

與此同時，低空經濟、衛星通信、AI、具身智能等多元化的場景對射頻濾波器提出了更高要求：需要在更小尺寸內實現更高性能、更優溫度穩定性和更寬頻帶覆蓋。?

此外，“十五五規劃”草案中已明確提出，要強化新一代信息通信技術與基礎器件創新能力建設。面對通信頻段持續擴展、終端形態日趨復雜的趨勢，射頻濾波器作為連接“信號鏈”與“天線鏈”的關鍵節點，正成為決定通信系統性能的核心元件之一。

未來，人類活動范圍不斷擴展，新型應用場景與多樣化業務需求不斷涌現。受限于覆蓋能力和網絡容量，以 5G移動通信系統為代表的地面通信系統難以支撐網絡空間極大擴展的廣域信息交互與泛在通信需求，衛星、飛機、輪船等非地面設施的寬帶接入需求逐步增長，新興多元信息服務的多維資源需求不斷提升。在此背景下，構建覆蓋空、天、地、海的一體化網絡成為 6G 移動通信系統的重要特征。

張博士在演講中提到："我們正站在兩個通信世代交匯的歷史節點，唯有依靠底層技術創新，才能真正掌握產業話語權。實現射頻濾波器的自主創新與規模化量產，不僅是企業發展的需要，更是保障我國通信產業鏈安全、打破國外技術壟斷的關鍵一環。"?

1411尺寸TC-SAW雙工器，助力終端輕量化

5G與未來6G的終端設備趨向多頻、多模與高集成化，對濾波器的體積、損耗與集成密度提出了更高要求。傳統TC-SAW濾波器受制于封裝尺寸與材料堆疊厚度，難以兼顧小型化與高性能。

針對這一痛點，左藍微電子成功推出了多款1411尺寸的TC-SAW雙工器，1411系列雙工器芯片相比于1612雙工器芯片面積減少約23%，相比于1511雙工器芯片面積減少約9%，為客戶提供了更具競爭力的解決方案。下圖展示的是1411系列產品中三款Band/8/26/20雙工器的測試結果。

零溫漂TC-SAW技術突破，應對極端環境挑戰

濾波器的溫度漂移問題一直是制約射頻性能穩定性的技術瓶頸。傳統SAW濾波器受溫度變化影響顯著，而傳統TC-SAW的TCF介于-20到-25ppm/℃，低頻產品25℃變化到85℃，頻率波動1-1.5MHz。

左藍微電子通過多層薄膜結構與材料改性工藝，推出零溫漂高性能Band13/1314TC-SAW 雙工器，兩款雙工器能滿足NS07指標要求，25℃到85℃溫度變化范圍下頻率波動僅0.1MHz。

該技術特別適用于車載通信、工業物聯網、戶外基站等對溫度適應性要求極高的場景，為5G-A中定義的uRLLC（超高可靠低時延通信）場景提供硬件保障。

碳化硅襯底濾波器，重構濾波器性能邊界

未來6G通信系統將涵蓋太赫茲通信、車聯網、低軌衛星互聯等超高頻場景，對濾波器的功率承載能力與熱管理性能提出極高要求。

作為第三代半導體材料的代表，碳化硅（SiC）具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫等特點，相較傳統藍寶石或硅襯底，SiC具有高導熱率、高機械強度與優異的熱穩定性，可有效解決高功率濾波器的散熱瓶頸，可以說，碳化硅（SiC）襯底材料正在重塑射頻濾波器的底層邏輯。

左藍微電子基于碳化硅襯底開發的POI結構，在當前光刻工藝節點下，可實現高頻響應的顯著提高，并有效抑制寄生模態的激發。采用該技術方案設計的WiFi-6/7頻段濾波器，可以實現極低的插入損耗、優異的遠端帶外抑制能力以及良好的功率耐受性。

第四屆濾波器大會的成功舉辦，充分展現了中國在高端射頻器件領域的進步與潛力。這次大會的深度交流和成果展示，必將進一步推動國產濾波器技術的創新發展，為構建自主可控的射頻前端產業生態奠定堅實基礎。

左藍微電子的技術路線，與國家在“十四五”收官與“十五五”謀劃之際，對高端芯片、核心電子元器件、新一代通信技術等重點領域的戰略方向高度契合。未來，公司也將繼續通過材料創新、工藝突破和應用場景的重構，為國產射頻器件開辟新的價值賽道。