在5G電源、車載逆變器、UPS等高效能電源系統中，工程師常選用IPP045N10N3G、HYG045N10NS1B、STI150N10F7等MOS管作為功率開關器件。

隨著國產半導體技術的成熟，飛虹半導體推出的FHP170N1F4A型號場效應管，不僅具備與上述多款場效應管型號兼容的電氣參數，更在導通電阻和開關性能方面表現出色，成為國產替代的優秀選擇。

為什么FHP170N1F4A能替代IPP045N10N3G、HYG045N10NS1B、STI150N10F7多款MOS管型號在電路設計中使用呢？

因為FHP170N1F4A作為一款性能優異的國產N溝道增強型功率MOSFET，采用先進的SGT工藝，具備以下對設計有利的特點：

極低的導通電阻（RDS(on)典型值3.6mΩ）、低柵極電荷（Qg典型值90nC）、開關速度快、100%經過Rg測試、極低的FOM(RDSON*Qg)、100%經過雪崩測試、100%經過熱阻測試。

當然除了產品具備的優良特點外，FHP170N1F4A其還具備優良的參數：

Vds：100V

Id（連續）：172A（硅極限）/120A（封裝極限），高于STI150N10F7的110A

Idm（脈沖）：480A

RDS(on)典型值：3.6mΩ(@Vgs=10V)，優于HYG045N10NS1B的4.5mΩ

Qg典型值：90nC，低于IPP045N10N3G的117nC

Vgs(±V)：20；VGS(th)：2.0-4.0V

反向傳輸電容：33pF

TO-220封裝：便于安裝散熱器，適用于中大功率電源模塊

基于上述的良好特點與參數，因此FHP170N1F4A可完美替代IPP045N10N3G、HYG045N10NS1B、STI150N10F7等多款MOS管型號。并用于5G電源、12-24V車載逆變器、48V工頻逆變器、AC-DC開關電源、DC/DC轉換器、UPS、戶外儲能電源、BLDC電機驅動(72V電動車控制器)等產品。

除參數適合外，飛虹的工程師還會提供優質的產品測試服務。飛虹致力于半導體器件、集成電路、功率器件的研發、生產及銷售，給廠家提供可持續穩定供貨。至今已經有35年半導體行業經驗以及20年研發、制造經驗。除可提供免費試樣外，更可根據客戶需求進行量身定制MOS管產品。