AMC3306M05-Q1 是一款精密隔離式 Δ-Σ 調(diào)制器,針對基于分流的電流測量進行了優(yōu)化。完全集成的隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器允許從器件的低側(cè)進行單電源作,這使該器件成為空間受限應(yīng)用的獨特解決方案。增強型電容隔離柵通過了 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 和 UL1577 認證,支持高達 1.2kVRMS 的工作電壓。
隔離柵將系統(tǒng)中在不同共模電壓電平下運行的部分分開,并保護低壓側(cè)免受危險電壓和損壞。
*附件:amc3306m05-q1.pdf
AMC3306M05-Q1 的輸入經(jīng)過優(yōu)化,可直接連接到低阻抗分流電阻或其他低信號電平的低阻抗電壓源。出色的直流精度和低溫度漂移支持在–40°C至+125°C的擴展工業(yè)溫度范圍內(nèi)進行精確的電流測量。
使用數(shù)字濾波器(例如 sinc3 濾波器)抽取比特流。通過使用該數(shù)字濾波器,該器件在 78kSPS 的數(shù)據(jù)速率下實現(xiàn)了 16 位分辨率和 85dB 動態(tài)范圍。
特性
- 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn),適用于汽車應(yīng)用:
- 溫度等級 1:–40°C 至 +125°C,TA
- 單電源作(3.3V 或 5V),集成 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
- 輸入電壓范圍 (±50mV) 針對使用分流電阻器的電流測量進行了優(yōu)化
- 低直流誤差:
- 失調(diào)誤差:±50μV(最大值)
- 失調(diào)漂移:±0.4μV/°C (最大值)
- 增益誤差:±0.2%(最大值)
- 增益漂移:±35ppm/°C(最大值)
- 高 CMTI:75kV/μs(最小值)
- 系統(tǒng)級診斷功能
- 低 EMI:符合 CISPR-11 和 CISPR-25 標(biāo)準(zhǔn)
- 安全相關(guān)認證:
- 6000VPK 增強隔離,符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 標(biāo)準(zhǔn)
- 4250VRMS 隔離 1 分鐘,符合 UL1577 標(biāo)準(zhǔn)
參數(shù)
方框圖

AMC3306M05-Q1 是德州儀器(TI)推出的汽車級高精度隔離式 ΔΣ(delta-sigma)調(diào)制器,集成隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器,專為高壓環(huán)境下的分流電阻電流檢測設(shè)計,符合 AEC-Q100 Grade 1 標(biāo)準(zhǔn)(-40°C~+125°C),具備強化隔離、低直流誤差、高共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI)等特性,核心應(yīng)用于混合動力汽車(HEV)/ 純電動汽車(EV)的車載充電器(OBC)、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、牽引逆變器及電池管理系統(tǒng)(BMS)。
一、核心特性
1. 汽車級可靠性與隔離性能
- AEC-Q100 認證 :溫度等級 1(-40°C~+125°C 工作溫度),滿足汽車電子嚴苛環(huán)境要求;
- 強化隔離認證 :
- 符合 DIN EN IEC 60747-17(VDE 0884-17)標(biāo)準(zhǔn),峰值隔離電壓 6000V??,工作電壓 1200V???(AC)/1700V(DC);
- 符合 UL1577 標(biāo)準(zhǔn),1 分鐘耐壓 4250V???,隔離屏障采用二氧化硅(SiO?)電容隔離與薄膜聚合物變壓器隔離,支持污染等級 2、氣候類別 40/125/21;
- 高 CMTI :最小 75kV/μs 共模瞬態(tài)抗擾度,避免高壓環(huán)境下共模噪聲導(dǎo)致的信號失真。
2. 高精度電流檢測性能
- 輸入特性 :優(yōu)化用于分流電阻電流檢測,差分輸入范圍 ±50mV(線性滿量程),輸入鉗位電壓 ±64mV(過載保護);
- 低直流誤差 :
- 偏移誤差最大 ±50μV,偏移漂移最大 ±0.4μV/°C;
- 增益誤差最大 ±0.2%,增益漂移最大 ±35ppm/°C;
- 16 位分辨率(配合 sinc3 濾波器,過采樣率 OSR=256),積分非線性(INL)最大 ±4LSB,微分非線性(DNL)最大 ±0.99LSB;
- 信號質(zhì)量 :1kHz 輸入時,信噪比(SNR)典型 81dB、總諧波失真(THD)典型 - 93dB、無雜散動態(tài)范圍(SFDR)典型 94dB,確保微弱電流信號的精準(zhǔn)采集。
3. 集成隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
- 單電源供電 :低側(cè)僅需 3.3V 或 5V 單電源,內(nèi)部 DC/DC 轉(zhuǎn)換器為高側(cè)電路供電,無需額外高壓側(cè)電源,簡化設(shè)計;
- DC/DC 性能 :
- 啟動與診斷 :啟動時間典型 0.9ms,DIAG 引腳(開漏輸出)實時指示高側(cè)電源欠壓、數(shù)據(jù)傳輸故障等狀態(tài),確保系統(tǒng)安全。
4. 靈活數(shù)字接口與濾波
- 數(shù)字接口 :外部時鐘輸入(CLKIN)支持 5MHz~21MHz,數(shù)據(jù)輸出(DOUT)為 1 位比特流,需外部數(shù)字濾波器(如 sinc3)解調(diào)和抽取;
- 濾波適配 :TI C2000?/Sitara?微控制器的 σ-Δ 濾波器模塊(SDFM)或 FPGA 可實現(xiàn)硬件濾波,OSR=256 時動態(tài)范圍 85dB,有效位數(shù)(ENOB)達 16 位。
二、關(guān)鍵電氣規(guī)格(典型值,VDD=3.3V,CLKIN=20MHz,TA=25°C)
| 參數(shù) | 規(guī)格范圍 | 典型值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 差分輸入范圍(VFSR) | -50~+50 | - | mV |
| 輸入偏置電流(IIB) | -48~-28 | -36 | μA |
| 輸入偏移電流(IIO) | -10~+10 | 0 | nA |
| 共模抑制比(CMRR) | - | -100 | dB(DC) |
| 電源抑制比(PSRR) | - | -120 | dB(DC) |
| DC/DC 輸出電壓 | 3.1~4.65 | 3.5 | V |
| 低側(cè)供電電流(IDD) | 26~40(無負載) | 26 | mA |
| 啟動時間 | 0.9~1.4 | 0.9 | ms |
三、功能架構(gòu)與工作原理
1. 核心功能模塊
- ΔΣ 調(diào)制器 :二階開關(guān)電容前饋架構(gòu),將 ±50mV 差分輸入轉(zhuǎn)換為 1 位數(shù)字比特流,通過噪聲整形將量化噪聲轉(zhuǎn)移至高頻,外部濾波器可提取 16 位精度數(shù)據(jù);
- 隔離屏障 :
- 信號隔離 :采用開關(guān)鍵控(OOK)調(diào)制,480MHz 載波傳輸比特流,通過 SiO?電容隔離屏障;
- 電源隔離 :集成 laminate 空芯變壓器,低側(cè) 3.3V/5V 輸入經(jīng) DC/DC 轉(zhuǎn)換為高側(cè) 3.5V(DCDC_OUT),再經(jīng)高側(cè) LDO 穩(wěn)壓至 3.2V(HLDO_OUT);
- 診斷模塊 :監(jiān)測高側(cè)電源欠壓(DC/DC 輸出<2.25V、HLDO 輸出<2.6V)、數(shù)據(jù)傳輸故障,通過 DIAG 引腳輸出低電平告警。
2. 輸入 / 輸出特性
- 輸入接口 :INP(同相)、INN(反相)為差分模擬輸入,需通過電阻或直接連接分流電阻,確保 INP/INN 至 HGND(高側(cè)地)有直流通路,定義共模電壓(-0.032V~0.9V 正常工作范圍);
- 輸出行為 :
- 正常輸入(±50mV):DOUT 比特流中 “1” 的占空比與輸入電壓成正比(0V 對應(yīng) 50% 占空比,+50mV 對應(yīng) 89.06%,-50mV 對應(yīng) 10.94%);
- 過載輸入(≥+64mV 或≤-64mV):DOUT 輸出恒定 “1” 或 “0”,每 128 個時鐘周期插入 1 個 “0” 或 “1”,區(qū)分 “過載” 與 “高側(cè)電源故障”(后者輸出恒定 “0”)。
四、典型應(yīng)用場景
AMC3306M05-Q1 專為汽車高壓系統(tǒng)的電流檢測設(shè)計,核心應(yīng)用包括:
- 車載充電器(OBC) :檢測 PFC(功率因數(shù)校正)階段輸出電流,集成隔離電源無需額外高側(cè)供電;
- DC/DC 轉(zhuǎn)換器 :監(jiān)測高低壓側(cè)電流,實現(xiàn)過流保護與效率優(yōu)化;
- 牽引逆變器 :檢測電機驅(qū)動電流,高 CMTI 特性避免逆變器開關(guān)噪聲干擾;
- 電池管理系統(tǒng)(BMS) :監(jiān)測電池充放電電流,高精度確保 SOC(State of Charge)計算準(zhǔn)確性。
典型應(yīng)用電路設(shè)計
- 分流電阻選型 :根據(jù)最大檢測電流計算電阻值,確保滿流時電壓降≤±50mV(線性范圍),過載時≤±64mV(鉗位保護),例如 100A 電流對應(yīng) 500μΩ 分流電阻(100A×500μΩ=50mV);
- 輸入濾波 :INP/INN 端并聯(lián) 10Ω 電阻與 1nF 電容(差分濾波),減少高頻噪聲,確保阻抗對稱(INP/INN 至 HGND 阻抗一致);
- 電源去耦 :低側(cè) VDD 引腳就近并聯(lián) 1nF(陶瓷)+1μF(鉭)電容,高側(cè) DCDC_OUT/HGND 并聯(lián) 1nF+100nF 電容,HLDO_OUT/HGND 并聯(lián) 1nF+100nF 電容,降低電源噪聲。
五、封裝與機械規(guī)格
1. 封裝參數(shù)
| 型號 | 封裝類型 | 封裝名稱 | 引腳數(shù) | 尺寸(長 × 寬) | 最大高度 | 熱阻參數(shù)(典型) |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AMC3306M05QDWERQ1 | SOIC | DWE | 16 | 10.3mm×10.3mm | 2.65mm | RθJA=73.5°C/W,RθJB=44°C/W |
2. 卷帶與組裝信息
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