功率MOSFET在電源板上參數(shù)解讀
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
336文章
30092瀏覽量
259366 -
MOS
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
1666瀏覽量
99925
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
探索EVAL_TOLT_DC36V_2KW：用于三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)的電源板
探索EVAL_TOLT_DC36V_2KW：用于三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)的電源板 前言 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，找到一款合適的評(píng)估電源板來(lái)驅(qū)動(dòng)電池供電的無(wú)刷直流（BLDC）電機(jī)是一項(xiàng)關(guān)鍵任務(wù)。今天
12V應(yīng)用通用電源板設(shè)計(jì)解析
12V應(yīng)用通用電源板設(shè)計(jì)解析 一、引言 在汽車電子領(lǐng)域，對(duì)于12V應(yīng)用的電源板需求日益增長(zhǎng)，特別是在控制無(wú)刷直流（BLDC）電機(jī)驅(qū)動(dòng)的風(fēng)扇或泵等逆變器應(yīng)用中。今天要和大家分享的是一款
長(zhǎng)虹JSI-240403 HS055L-3HF01二合一電源板電路圖資料
長(zhǎng)虹JSI-240403 HS055L-3HF01二合一電源板電路圖
發(fā)表于 12-09 16:48
?0次下載
長(zhǎng)虹JSK3260-014電源板電路原理圖資料
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《長(zhǎng)虹JSK3260-014電源板電路原理圖資料.rar》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 12-09 16:46
?1次下載
功率MOSFET管的應(yīng)用問(wèn)題分析
的尖峰較高，振蕩抑制的很快；器件2的尖峰較低，振蕩抑制的較慢。在同一塊PCB上測(cè)量，電路的寄生電感、寄生電容等參數(shù)不變，只有功率MOSFET
發(fā)表于 11-19 06:35
云鎵大功率 GaN 產(chǎn)品 | 技術(shù)參數(shù)解讀 鈦金服務(wù)器電源 DEMO
云鎵半導(dǎo)體云鎵工業(yè)級(jí)GaN產(chǎn)品器件參數(shù)解讀&3kW服務(wù)器電源DEMO1.前言云鎵半導(dǎo)體在工業(yè)級(jí)GaN產(chǎn)品上不斷耕耘，推出系列化GaN
初級(jí)元器件知識(shí)之功率MOSFET
氧化物半導(dǎo)體 FET)主要被用于線性或開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用。
他們?yōu)槭裁匆l(fā)明功率MOSFET？
當(dāng)把雙極型三極管按照比例提高到功率應(yīng)用的時(shí)候，它顯露出一些惱人的局限性。確實(shí)，你仍然
發(fā)表于 06-03 15:39
MOSFET導(dǎo)通電阻參數(shù)解讀
導(dǎo)通電阻（RDSON）指的是在規(guī)定的測(cè)試條件下，使MOSFET處于完全導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)（工作在線性區(qū)），漏極（D）與源極（S）之間的直流電阻，反映了MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下對(duì)電流通過(guò)的阻礙程
長(zhǎng)虹液晶電視R-HS310B-5HF01的電源板電路原理圖
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是長(zhǎng)虹液晶電視R-HS310B-5HF01的電源板原理圖免費(fèi)下載
發(fā)表于 05-19 18:00
?93次下載
SiC MOSFET 開(kāi)關(guān)模塊RC緩沖吸收電路的參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)
尖峰電壓和系統(tǒng) EMC 的抑制為目標(biāo)。實(shí)際應(yīng)用中，選擇緩沖吸收電路參數(shù)時(shí)，為防止 SiC-MOSFET開(kāi)關(guān)在開(kāi)通瞬間由于吸收電容器上能量過(guò)多、需通過(guò)自身放電進(jìn)而影響模塊使用壽命，需要對(duì) RC 緩沖吸收
發(fā)表于 04-23 11:25
MOSFET開(kāi)關(guān)損耗計(jì)算
Power MOSFET 設(shè)計(jì)電源時(shí)，大多直接以 PowerMOSFET 的最大耐壓、最大導(dǎo)通電流能力及導(dǎo)通電阻等三項(xiàng)參數(shù)做出初步?jīng)Q定。但實(shí)際上，
發(fā)表于 03-24 15:03
一文帶你讀懂MOSFET開(kāi)關(guān)損耗計(jì)算！！（免積分）
選用 Power MOSFET 設(shè)計(jì)電源時(shí)，大多直接以 PowerMOSFET 的最大耐壓、最大導(dǎo)通電流能力及導(dǎo)通電阻等三項(xiàng)參數(shù)做出初步?jīng)Q定。但實(shí)際上，
發(fā)表于 03-06 15:59
MOSFET開(kāi)關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)
本文詳細(xì)分析計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程，從而使電子工程師知道哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并更加深入理解MOSFET。
發(fā)表于 02-26 14:41
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論