STMicroelectronics EVSPIN32G4-DUAL演示板基于STSPIN32G4和STDRIVE101,用于使用兩個三相無刷電機的應用。STSPIN32G4采用系統級封裝,集成到9mm x 9mm VFQFPN封裝,三重高性能半橋柵極驅動器(具有豐富的可編程特性)和一個混合信號STM32G431微控制器中。STDRIVE101是一款三半橋柵極驅動器,采用緊湊型4mm x 4mm VFQPN封裝,具有600mA電流能力和嵌入式保護功能。
數據手冊:*附件:STMicroelectronics EVSPIN32G4-DUAL演示板數據手冊.pdf
兩個功率級MOSFET基于STL110N10F7功率,可同時運行高達10Arm輸出電流和74V電源。該特性提供專用溫度和總線電壓監控、功率MOSFET漏源電壓檢測和過流保護等功能。得益于霍爾傳感器、正交編碼器或帶SSI通信接口的絕對編碼器之間每個電機專用輸入,該板可利用STSPIN32G4內的運算放大器以及基于傳感器的控制算法實現無傳感器運行。
得益于集成的穩壓器,柵極驅動器和控制邏輯電源均可從電機電源開始生成,無需專用電路。CAN總線的預處理使STMicroelectronics EVSPIN32G4-DUAL能夠輕松連接主模塊或從模塊,并構建復雜的運動控制系統。
特性
- STSPIN32G4高性能三相電機控制器,帶嵌入式MCU
- 32位Arm? Cortex?-M4 MCU+FPU
- 時鐘頻率高達170MHz
- CORDIC數學硬件加速器,用于三角函數
- 128kB閃存,具有專有代碼讀出保護 (PCROP)、安全存儲區、1KB OTP
- 32KB SRAM存儲器,帶硬件奇偶校驗
- 2個高級定時器,用于電機控制,16位,具有多達6個PWM通道
- 2個ADC,12位分辨率(多達19個通道),轉換速率為4Msps
- 4個超快軌到軌比較器
- 3個軌到軌運算放大器,也可在PGA模式下使用
- 內部高精度電壓基準
- VCC降壓轉換器,電流高達200mA,具有可編程輸出和嵌入式MOSFET
- 3.3V LDO線性穩壓器,電流高達150mA
- 低靜態線性穩壓器,用于待機模式下MCU電源
- 具有一整套保護功能的穩壓器;包括熱關斷、短路和過載保護
- 75V額定柵極驅動器,具有1A灌/拉電流和嵌入式自舉二極管
- 每個功率MOSFET的漏源電壓檢測
- STDRIVE 101三半橋柵極驅動器:
- 75V額定柵極驅動器,具有600mA灌/拉電流和嵌入式自舉二極管
- 兩種輸入策略:ENx/INx(可調節死區生成)或INHx/INLx(聯鎖)
- 超短傳播延遲:40ns(通道間匹配)
- 12V LDO線性穩壓器,電流高達50mA
- 每個功率MOSFET的漏源電壓檢測
- 過流比較器
- UVLO和熱關斷保護
- 待機模式,實現低電流消耗運行
- 兩個功率級,基于STL110N10F7功率MOSFET,輸出電流高達10Arms,在過流條件下提供保護
- 獨立總線電壓范圍為10V至74V,具有專用監控功能
- 使用嵌入式運算放大器進行單分流差分電流檢測
- 兩款電機均可提供用于速度/位置反饋輸入:
- 數字霍爾傳感器
- 增量正交型編碼器
- 絕對值編碼器
- 全套通信接口(I^2^C、SPI和UART)
- CAN總線預處理
- NTC傳感器,用于功率級溫度監控
示意圖

?EVSPIN32G4-DUAL雙電機驅動演示板技術解析?
一、核心特性與硬件架構
?1. 高性能電機控制系統?
- ?主控制器?:采用STSPIN32G4系統級封裝,集成32位Arm Cortex-M4內核MCU(最高170 MHz)、128 KB閃存、32 KB SRAM,支持硬件三角函數加速(CORDIC)
- ?功率級?:兩路獨立半橋基于STL110N10F7功率MOSFET,每路持續輸出電流10 Arms,峰值電流17 A,工作電壓范圍10 V至74 V
- ?專用驅動器?:STDRIVE101三路半橋門級驅動器,支持600 mA灌/拉電流,集成自舉二極管與40 ns級傳播延遲
?2. 完善的保護與傳感機制?
- ?電流檢測?:通過板載運算放大器實現單分流電阻差分電流采樣
- ?多重保護?:過流保護、電壓監測(每個MOSFET的漏源電壓)、熱關斷、欠壓鎖定(UVLO)
- ?位置反饋兼容性?:支持霍爾傳感器、增量編碼器、絕對編碼器(SSI接口)
?3. 靈活供電與通信接口?
- ?內置電源管理?:集成Buck轉換器(200 mA)、3.3 V LDO(150 mA),可直接從電機電源生成邏輯供電
- ?通信接口?:I2C、SPI、UART,預留CAN總線接口便于構建多節點運動控制系統
二、典型應用場景
三、設計要點與性能優化
?1. 散熱管理策略?
- 功率級在25°C環境溫度下可滿載運行,實際輸出需結合散熱設計
- MOSFET的導通電阻(RDS(ON))低至5 mΩ,顯著降低開關損耗
?2. 傳感器融合設計?
- 同時支持無傳感器控制(通過反電動勢估算)與多類型位置傳感器
- 板載NTC溫度傳感器實時監控功率級工況
?4. 系統擴展性?
- 通過CAN總線實現主從模塊協作,適合復雜運動控制網絡
- 預留編碼器接口與PWM通道,便于集成第三方傳感器
四、技術趨勢與創新價值
EVSPIN32G4-DUAL體現了電機驅動技術向?高度集成化?與?智能化?的發展方向:
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