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DRV10983-Q1 器件是一款三相無傳感器電機驅動器，集成了功率 MOSFET，可提供高達 2 A 的連續驅動電流。該器件專為成本敏感、低噪聲、低外部元件數量的風扇和泵應用而設計。

DRV10983-Q1器件將寄存器設置保持在低至4.5 V，并以低至6.2 V的電源電壓向電機提供電流。如果電源電壓高于28 V，器件將停止驅動電機并保護DRV10983-Q1電路。此功能能夠處理高達45 V的負載突降條件。
*附件：drv10983-q1.pdf

TI 提供 DRV10983-Q1 調諧指南，用于快速設置和調校器件以獲得最佳性能。

設備選項：
DRV10983Q：睡眠版
DRV10983SQ：待機版本

DRV10983-Q1 器件使用專有的無傳感器控制方案來提供連續正弦驅動，從而顯著降低通常由于換向而產生的純音聲學。該器件的接口設計簡單靈活。電機可以通過 PWM、模擬或 I 直接控制^2^C 輸入。電機速度反饋可通過 FG 引腳和 I 獲得^2^C 接口同時。

DRV10983-Q1器件具有集成降壓穩壓器，可將電源電壓有效降壓至5 V，為內部和外部電路供電。3.3V LDO也可用于為外部電路供電。該器件提供睡眠模式或待機模式版本，以便在電機不運行時節省功耗。待機模式（8.5 mA）版本（DRV10983SQ）使穩壓器保持運行，睡眠模式（48 μA）版本（DRV10983Q）關閉穩壓器。在穩壓器用于為外部微控制器供電的應用中使用待機模式版本。在本數據手冊中，DRV10983-Q1 部件號用于兩種器件，例如 DRV10983Q（睡眠版本）和 DRV10983SQ（待機版本），但睡眠與待機功能的具體討論除外。

安我^2^C 接口允許用戶對寄存器中的特定電機參數進行重新編程，并對 EEPROM 進行編程，以幫助優化給定應用的性能。DRV10983-Q1 器件采用熱效率高的 HTSSOP 24 引腳封裝，帶有裸露的導熱墊。工作環境溫度額定范圍為 –40°C 至 125°C。

特性

符合汽車應用標準
AEC-Q100 符合以下標準：
- 器件溫度等級 1：–40°C 至 125°C 環境工作溫度范圍
- 設備 HBM ESD 分類等級 1C
- 設備 CDM ESD 分類等級 C4A
工作電壓范圍：
- 電機作，6.2 V 至 28 V
- 保留寄存器設置，4.5 V 至 45 V
支持高達 45 V 的負載突降電壓
總驅動器 H + L r~~DS（開）~~
- T 時為 250 mΩ 一個 = 25°C
- T 時為 325 mΩ 一個 = 125°C
驅動電流：2A 連續繞組電流（3A 峰值）
用于 EMI 管理的可配置輸出 PWM 壓擺率和頻率
無傳感器專有反電動勢（BEMF）控制方案（無需霍爾傳感器）
連續正弦 180° 換向
初始位置檢測算法，避免啟動過程中反旋
無需外部檢測電阻
靈活的用戶界面選項：
- 我^2^C 接口：用于命令和反饋的訪問寄存器
- 專用 SPEED 引腳：接受模擬或 PWM 輸入
- 專用 FG 引腳：提供 TACH 反饋
- 旋轉曲線可通過EEPROM定制
- 帶 DIR 引腳的正向反向控制
集成降壓轉換器，可為內部和外部電路高效提供5V和3.3V LDO
電源電流 8.5 mA，備用版本（DRV10983SQ）
電源電流為 48 μA，睡眠版本（DRV10983Q）
保護功能
- 過流保護（相間、相間GND和相間V保護CC短褲
- 鎖定檢測
- 抗電壓浪涌（AVS）保護
- UVLO 防護
- 熱關斷保護
熱增強型封裝

參數

方框圖

?1. 核心特性?

?汽車級認證?
- AEC-Q100 Grade 1（-40°C至125°C工作溫度）
- 支持6.2V至28V電機工作電壓，4.5V至45V寄存器保存電壓
?驅動能力?
- 集成250mΩ（25°C）/325mΩ（125°C）MOSFET，支持2A連續/3A峰值電流
- 專有BEMF無傳感器控制技術（無需霍爾傳感器）
?集成功能?
- 內置降壓穩壓器（5V/100mA）和3.3V LDO
- 支持I2C/PWM/模擬三種速度控制接口

?2. 關鍵參數?

?參數?	?規格?
?封裝?	24引腳HTSSOP（7.8mm×6.4mm）
?靜態電流?	睡眠模式48μA，待機模式8.5mA
?保護功能?	過流/堵轉/電壓浪涌/熱關斷
?PWM頻率?	最高100kHz