當前，全球半導體產業正處于深度變革，化合物半導體成為產業發展新的關注點。作為“世界第二大經濟大國”，我國半導體產業卻嚴重依賴于進口，芯片已超過石油，成為第一大的進口商品，提高半導體國產化率迫在眉睫。

作為橫跨集光通訊、LED芯片和化合物半導體于一體的“巨無霸”----三安光電聚焦化合物半導體芯片產業，早在2014年成立全資子公司廈門市三安集成電路有限公司（以下簡稱“三安集成”），不僅如此，也在福建泉州“豪擲” 333億元大力拓展化合物半導體。成為半導體領域一個最受人矚目的領頭羊。

DIGITIEMS特此專訪三安光電股份有限公司。三安領導高層指出，“圍繞公司戰略發展規劃，未來將繼續提升LED市場占有率，以鞏固龍頭企業地位，同時著重于砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）等半導體新材料的研發、生產和銷售，加快化合物半導體集成電路步伐。”

目前，三安集成參與的客戶設計方案已超260個，產品已獲得部分客戶認證通過，進入小批量生產階段，6吋晶圓年產能達36萬片。隨著砷化鎵、光通訊產品逐漸受到客戶大量驗證使用;氮化鎵和碳化硅產品逐漸由研發導入量產，預測2018下半年到2019年出貨量將會逐步增長。

三安光電生產車間

7年實現3個三安締造“新王朝”

2017年底，三安光電在福建泉州建設研發與制造氮化鎵、砷化鎵LED襯底、外延、芯片、大功率氮化鎵激光器、光通訊器件、射頻、濾波器、功率型半導體（電力電子）、特種襯底材料、特種封裝產品等七大產化項目，投資總額333億元（含公共配套設施投資），全部項目5年內投產，7年內全部項目實現達產。業內預計，達產后年銷售收入約270億元，若按三安光電2017年的83.9億元營收體量計算，等于再造“3個”三安光電。

通過泉州項目，三安光電研發的III-V族化合物半導體材料的應用領域從原有的LED外延片、芯片，延伸到了光通訊器件、射頻與濾波器、功率型半導體三個新領域，基本涵蓋了今后III-V族化合物半導體材料應用的重要領域。

換言之，三安光電在繼續鞏固LED龍頭地位的同時，也在強化化合物半導體領軍企業的優勢，踩上5G和物聯網行業風口，擴大高端化合物半導體產能，意圖打開新的市場空間。

三安光電表示，三安集成電路在整個化合物半導體產業鏈中，所擁有的核心價值在于“規模化的制造平臺”，這是三安集成電路最主要的優勢。

埋伏5G再造高點聚焦下一個十年

根據SEMI數據顯示，化合物半導體增速遠高于半導體整體增速，到2020年，化合物半導體市場將增大至440億美元，復合增長率為12.9%，是整個半導體市場增速6.5%的兩倍。

其中5G將是主要推動商機，“5G是下一個金礦，但機會早在5G之前開啟。”三安高層指出，如果說解決的是5G從系統端到標準化的過程，三安解決的就是5G解決方案中芯片制造的環節。砷化鎵，是目前終端手機需要用到小功率的PA所需要的基礎材料；磷化銦是在5G商用時代所需頻點需要用到的材料。

“針對5G、大數據與物聯網應用市場，大力開發高端微波射頻器件、濾波器、光通訊器件等產品。預計將在2019年第三季度完成基于磷化銦的射頻功放的應用以及用于未來數據中心的25G赫茲長波段的器件。”對于未來5G發展，三安充滿信心和規劃。

大基金加持擴張浪潮下的乘風破浪

國家集成電路產業投資基金（簡稱“大基金”）目前合計持有三安光電11.30%股權，為公司第二大股東。三安光電同時與華芯投資（大基金的唯一管理機構）、國開行、三安集團約定四方建立戰略合作關系，大力支持公司發展以III-V族化合物半導體為重點的集成電路業務。

除在泉州，三安光電也“闊氣”布局國內外化合物半導體領域。根據公司公告資料顯示，2015年通過募資16億元，總投入達30億元，用于砷化鎵和氮化鎵生產線；2017年以1000萬美元、2000萬美元和9000萬日元，分別在美國、香港和日本成立全資子公司，進行光通訊、濾波器和化合物半導體研發生產；此外，在北歐有碳化硅襯底的制造和研發中心……

三安相關高層表示，“目前利用全世界的優秀人才，會把所有的力量集中放在國內，最大的研發中心位于廈門。同時積極與***地區同行業者加強聯系，進行人才聯合培養。”此外，三安集團通過產業鏈整合、海內外并購，將持續進一步推動公司做大做強GaAs/GaN半導體業務，打造全球化合物半導體龍頭。