云電源是描述用于傳輸、存儲(chǔ)和處理云數(shù)據(jù)的設(shè)備的電源的通用術(shù)語。在電信或傳輸應(yīng)用中，云電源將為基帶單元和遠(yuǎn)程無線電單元供電。用于存儲(chǔ)和處理的服務(wù)器機(jī)群還需要大型不間斷電源，以確保在暫時(shí)斷電時(shí)用戶仍可訪問云。每臺(tái)服務(wù)器還將需要一個(gè)電源單元 (PSU)，以及眾多的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器來提供負(fù)載點(diǎn)電源。

由于物聯(lián)網(wǎng)顯著增加了捕獲某種數(shù)據(jù)的端點(diǎn)數(shù)（2017年付運(yùn)約20億臺(tái)設(shè)備，比2015年增長(zhǎng)54%），因此需要大量的存儲(chǔ)器來處理和存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。為此，正在構(gòu)建大型服務(wù)器機(jī)群，這些機(jī)群將消耗大量電力。電源轉(zhuǎn)換將產(chǎn)生熱量，終將會(huì)有損耗。這種發(fā)熱如此之大，以至于導(dǎo)致冷卻成本是運(yùn)行服務(wù)器機(jī)群的主要成本之一。這導(dǎo)致 PSU 制造商不斷尋求構(gòu)建更高能效的 PSU。此外，為了以更佳的能效降低冷卻成本，需要減小 PSU 的尺寸，從而使更多的服務(wù)器可以安裝在相同的空間中。

傳輸這些數(shù)據(jù)的方式有很多種，但2019年部署的是下一代無線互聯(lián)5G。一旦 5G 技術(shù)得以充分利用，它將能夠提供比當(dāng)前 4G LTE 網(wǎng)絡(luò)快10倍的速度。這種速度的提高需要更高的功率，這將使每個(gè) 5G 無線電中的功率 MOSFET 數(shù)增加約5倍。

為此，安森美半導(dǎo)體提供高性能分立方案，以成功地實(shí)現(xiàn)云電源市場(chǎng)的高能效目標(biāo)。相較上一代超級(jí)結(jié)器件，新的高能效的分立650 V SuperFETIII MOSFET 系列使云電源能夠達(dá)到這更高的能效。SuperFETIII 技術(shù)提供三種不同的版本：易驅(qū)動(dòng)版本 (Easy Drive)、快恢復(fù)版本 (FRFET) 和快速版本 (FAST)。應(yīng)用和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)將決定應(yīng)該使用哪個(gè)版本來獲得最佳的能效。

針對(duì)次級(jí)端，安森美半導(dǎo)體提供全系列中、低壓 MOSFET，這些 MOSFET 已針對(duì)云電源進(jìn)行了優(yōu)化。T6 技術(shù)為30V、40V 和 60V 提供業(yè)界最低的 RDSon。新的 T8 技術(shù)為25V、40V、60V 和 80V 提供與 T6 相同的超低 RDSon，同時(shí)進(jìn)一步改善了開關(guān)參數(shù)。對(duì)于80 V、100 V 和120 V，采用 PTNG 技術(shù)，提供出色的 RDSon 和體二極管性能。隨著制造商挑戰(zhàn)更高能效和強(qiáng)固性，他們開發(fā)出像安森美半導(dǎo)體的650及1200 V 碳化硅 (SiC) 二極管這樣的器件，用于功率因數(shù)校正 (PFC) 級(jí)。

隨著基于云的物聯(lián)網(wǎng)的急劇增加，云由最高能效的電源供電很重要。安森美半導(dǎo)體正盡己所能，提供25V 至650 V 的領(lǐng)先行業(yè)的 MOSFET，并開發(fā)下一代半導(dǎo)體 SiC。