關鍵要點
?根據電流檢測方法的不同,大致可分為電阻檢測型和磁場檢測型兩大類。
?電阻檢測型是將分流電阻器產生的電壓降轉換為電流的方法。結構簡單、成本低廉但缺點是存在功率損耗和發熱問題。
?磁場檢測型有使用磁芯和不使用磁芯兩種方法。
?有磁芯的磁場檢測型是非接觸式的且功率損耗小,但缺點是安裝面積比較大。
?無磁芯磁場檢測型的傳統霍爾傳感器由于集成在IC中而體積小,但需要在IC內部引入電流,因此會產生功率損耗。
?新一代無磁芯磁場檢測型MI傳感器的特點是不需要將電流引入封裝內部,無需接觸即可檢測磁場,因此基本上不會產生功率損耗,同時具有更高的靈敏度。
電流檢測被廣泛應用于測量、控制和安全保障等多種用途。檢測電流的傳感器根據其檢測方式可分為多種類型。
1什么是電流傳感器
電流傳感器是測量電路中電流的傳感器。根據電流檢測方法的不同,大致可分為電阻檢測型和磁場檢測型兩大類。

●電阻檢測型
利用歐姆定律,將分流電阻器產生的電壓降轉換為電流的方法。其優點是結構簡單、成本低廉且易于操作,但缺點是需要利用電阻產生的電壓降,存在功率損耗和發熱問題。
●磁場檢測型
磁場檢測型是通過測量電流產生的磁場來實現電流測量,有使用磁芯和不使用磁芯兩種方法。
<有磁芯>
通過測量電流流經電流導線時磁芯中產生的磁場強弱實現電流測量。該方法的優點是非接觸式且功率損耗小,但缺點是磁芯的尺寸會導致安裝面積比其他方法大。
<無磁芯:霍爾傳感器>
利用霍爾元件,通過霍爾效應將電流周圍產生的磁場轉換為電壓(霍爾電壓),并根據該電壓獲取電流值。由于霍爾元件產生的電壓很小,因此需要放大電路(運算放大器)。近年來,由霍爾元件和放大電路組成的IC(稱為“霍爾IC”等)被廣泛使用。該方法需要在IC內部引入電流,因此會產生功率損耗。
<無磁芯:MI傳感器>
使用了MI(Magneto Impedance)器件的非接觸式電流傳感器。其主要特點是無需將電流引入封裝內部,無需接觸即可檢測磁場,因此幾乎沒有功率損耗。另一個特點是其靈敏度比霍爾傳感器更高。
2MI電流傳感器的應用實例
MI電流傳感器可以解決“非接觸式,損耗小,但安裝面積大(有磁芯)”以及“需將電流引入IC,因此功率損耗大(無磁芯:霍爾傳感器)”等磁場檢測型電流傳感器所存在的問題。以實際的MI傳感器ICBM14270AMUV-LB為例進行說明。
BM14270AMUV-LB是一種采用特殊非晶絲材料并利用其磁阻抗效應的新一代傳感器。該傳感器擁有超高的磁檢測靈敏度,可以高精度地測量磁場的微小變化。
因此,無需將電流引入封裝內部,即可實現非接觸式且高精度的電流檢測(磁檢測)。與霍爾傳感器的磁場檢測對比圖如下所示。

如上所述,MI電流傳感器是非接觸式的,也無需將電流引入IC,因此即使測量大電流時也基本上不會產生損耗或發熱,從而具有更高的可靠性并且可以進一步減少安裝面積。另外,IC的體積也非常小。
BM14270AMUV-LB的內部結構框圖和基本應用電路如下所示。

MI傳感器器件的模擬輸出信號經放大器接收后,通過AD轉換器進行數字化處理,再經由信號調理電路,最終通過I^2^C接口與外部主機(微控制器等)進行通信。輸出分辨率高達14位。工作時的消耗電流僅為70μA(Typ),與其他電流傳感器相比非常小。其主要的電氣和封裝規格如下:
工作電源電壓范圍: 2.7 V~5.5 V
工作時的消耗電流(20 SPS): 70 μA(Typ)
可測量的輸入磁場范圍: ±280 μT(Typ)
磁靈敏度: 0.045 μT/LSB(Typ)
工作溫度范圍: -40℃~+125℃
封裝:VQFN20QV3535

VQFN20QV35353.50×3.50×1.00(mm)
為了測量電流,需要根據傳感器的結構進行如下電路板布局和安裝。詳情請參閱產品規格書。
BM14270AMUV-LB配備了兩個具有不同磁場檢測方向的傳感器,采用將兩個傳感器檢測到的磁場差值進行輸出的結構,因此輸出等于傳感器A減傳感器B的值。

以下為電路板的走線布局示例。通過這種布局設計,可在兩個傳感器上施加不同方向的磁場,從而檢測出與電流量相對應的磁場。此外,由于外部干擾磁場對兩個傳感器施加的方向相同,因此可以消除工作范圍內的干擾磁場影響。

產品規格書中還詳細介紹了通過I2C通信的格式。關于已獲取數據的讀取等操作方法,請參閱產品規格書。
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