SG8410B高電壓線性穩壓器----一顆在100V輸入下仍可穩定輸出50mA的“小身材、大能量”LDO。它用23μA超低靜態電流、±1.5%輸出精度、160°C熱關斷及短路保護,重新定義了“高壓、低耗、高可靠”的電源邊界,為工程師提供前所未有的設計自由度。


01三大創新性能,直擊高壓供電痛點
100V連續耐壓 + 110V瞬態生存
無需前級TVS或降壓模塊,一顆LDO直接掛母線,節省BOM與面積。
23μA靜態電流 / 8μA關斷電流
電池、超級電容、能量采集系統可“歇人不歇芯”,待機壽命延長3倍-5倍。
50mA帶載下僅2.8V壓差,±1.5%全溫區精度
給后級MCU、運放、隔離電源提供干凈、精準、低噪的輔助電源,EMI一次性通過。
02目標市場與應用場景
24V/36V/48V導軌PLC、IO-Link、閥島、編碼器,傳統方案需DC-DC+二階LDO兩級轉換。SG8410B可直接由36V母線生成3.3V/5V,紋波<20mV,省去開關噪聲與補償煩惱,整機待機<0.5W,輕松過Energy Star。
智能照明——“交流掉電維持”黑科技
220V經整流后母線高達120V,燈具需維持BLE/Zigbee模塊3s以上掉電上報。SG8410B 100V輸入+10μA級靜態電流,讓維持電容體積縮小一半,燈頭溫度降低8℃,壽命翻倍。
PoE++(90W)PSE輸出54V,PD需給MCU、數字隔離器、eFuse提供12V/5V偏置。SG8410B從54V直接取電,50mA足以驅動光耦與繼電器;短路時120mA精準限流,保護PSE不被拉回。
物聯網傳感器——“電池+能量采集”混合供電
4~20mA回路、NB-IoT水表、風電塔振動監測,往往只有200μA平均預算。SG8410B 23μA靜態電流,比常規高壓LDO低60%,讓同一節ER18505電池多工作5年,現場維護成本直降40%。
車載12V/24V系統——“拋負載”生存者
ISO 7637-2 Pulse 5b 87V/400ms拋負載測試,SG8410B 110V瞬態耐壓無需額外TVS,直接為CAN/LIN收發器、車規MCU提供5V待機電源,簡化AEC-Q100外圍,縮短開發周期30%。
03設計友好,方便使用
SOT23-5L 3*3mm,0.95mm腳距,兼容自動光學檢測
外圍僅4顆阻容:CIN≥0.47μF、COUT≥2.2μF,R1/R2任意設定1.8~12V輸出
內置補償,無需ESR折中;支持鋁電解/陶瓷/鉭電容,Layout“一線到底”
-40~105°C工業級溫區,160℃熱關斷+140℃回滯,終身免校準


PCB Layout 指導
CIN和 COUT 離 LDO 盡可能近,一般推薦 CIN=COUT在 1uF-10uF 之間,需要注意輸入電容耐壓值。
LDO 輸入端建議串聯 10Ω左右的電阻,以吸收前級輸入尖峰電壓。
盡量大的鋪地面積,可以提高抗干擾性,增加 LDO 散熱性能。
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深圳市森國科科技股份有限公司是一家專業從事功率器件、模塊,功率IC的高新科技企業。功率器件主要包括碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、IGBT,功率芯片主要包括功率器件驅動芯片、無刷電機驅動芯片兩大類。公司總部在深圳市南山區,在深圳、成都設有研發及運營中心。公司研發人員占比超過70%,研究生以上學歷占比50%,來自聯發科、海思、比亞迪微電子、羅姆、華潤上華等機構,囊括清華大學、電子科技大學、西安電子科技大學、西北工業大學等微電子專業知名院校。
森國科碳化硅產品線為650V、1200V 和碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、SiC二極管模塊、SiC MOSFET 模塊,該產品系列廣泛應用于新能源汽車、光伏逆變器、充電樁電源模塊、礦機電源、通信設備電源、5G微基站電源、服務器電源、工業電源、快充電源、軌道交通電源等。森國科碳化硅產品采用6寸車規級晶圓,具有高耐溫,高頻,高效,高壓特性,已穩步進入國內汽車三電、主流大功率電源、光風儲逆變器、充電樁電源模塊等上市公司供應鏈。
森國科功率IC采用先進的高壓特色工藝,包括功率管及模塊的驅動、BLDC及FOC電機的驅動。經過5年的發展,該產品線的團隊在BCD工藝,UHV工藝、數模混合、電機驅動算法方面有深厚的積累。功率器件驅動芯片,已經大規模量產中低壓系列,即將推出高壓系列。在電機驅動芯片方面,成功推出了單相BLDC散熱風扇電機系列和三相BLDC電機驅動系列。
森國科在中金資本、北汽產投、藍思科技、凌霄股份、中科海創等股東的助力下,以低成本創新為己任,努力為客戶提供高性價比的綠色“芯”動力,成為全球領先的功率半導體公司!
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原文標題:森國科SG8410B:100V高耐壓LDO,開啟工業與物聯網供電“芯”紀元!
文章出處:【微信號:SGKS2016,微信公眾號:森國科】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
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