測試設(shè)備：鎖相放大器、直流電流源、亥姆霍茲線圈、螺線管、ATA-3090功率放大器、信號發(fā)生器、信號分析儀、標定線圈、動態(tài)力學(xué)分析儀、差示掃描量熱儀、熱重分析儀、電子萬能試驗機、X射線衍射儀、傅立葉變換紅外光譜儀、掃描電子顯微鏡。

實驗過程：在磁電復(fù)合系統(tǒng)中采用鎖相放大器驅(qū)動亥姆霍茲線圈生成直流偏置磁場與螺線管激發(fā)交流磁場，通過功率放大器調(diào)控壓電纖維諧振狀態(tài)；同步在MoS2改性粘接層的PZT/Metglas復(fù)合結(jié)構(gòu)中量化磁發(fā)射強度與1m處輻射場強；利用信號發(fā)生器生成ASK調(diào)制信號，通過信號分析儀解析波形保真度；結(jié)合聲阻抗模型計算應(yīng)力傳遞效率，基于磁偶極子方程外推遠場輻射強度，最終建立聲學(xué)匹配參數(shù)-磁電轉(zhuǎn)換效率的定量關(guān)聯(lián)模型。

圖1：磁電復(fù)合材料調(diào)制測量裝置的示意圖

實驗結(jié)果：聲阻抗匹配測試證實，當MoS2填充量為1wt%時，粘接層楊氏模量提升至5.56GPa（未改性僅3.2GPa），聲透射系數(shù)達0.132（未改性0.077），應(yīng)力傳遞效率提升71%，驅(qū)動磁電復(fù)合材料在最佳偏置場（12kHz諧振頻率、1A直流偏置）下磁發(fā)射強度達331μT，較未改性樣品（220μT）提升1.5倍；在距離發(fā)射源1m處實測輻射強度為2.7nT，并通過磁偶極子模型外推100m處輻射強度約40fT；ASK調(diào)制驗證實驗中，信號分析儀解析二進制信號（0101序列）的波形保真度＞98%，實現(xiàn)數(shù)字信號無損傳輸；定量關(guān)聯(lián)模型進一步揭示，聲阻抗參數(shù)（Z=2.7MRayl）與磁發(fā)射強度的擬合相關(guān)系數(shù)達R2=0.94，表明界面應(yīng)力傳遞效率對磁電轉(zhuǎn)換的調(diào)控權(quán)重占主導(dǎo)（85%）。

圖2：最佳偏置下MoS2填充前后磁電復(fù)合材料:（a）近場輻射特性（b）磁場強度隨實測距離變化曲線

表3本工作與已報道的磁電天線輻射性能比較

功率放大器推薦：ATA-3090C

圖：ATA-3090C功率放大器指標參數(shù)

本文實驗素材由西安安泰電子整理發(fā)布。Aigtek已經(jīng)成為在業(yè)界擁有廣泛產(chǎn)品線，且具有相當規(guī)模的儀器設(shè)備供應(yīng)商，樣機都支持免費試用。西安安泰電子是專業(yè)從事功率放大器、高壓放大器、功率信號源、前置微小信號放大器、高精度電壓源、高精度電流源等電子測量儀器研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高科技企業(yè)。

審核編輯 黃宇