德州儀器 （TI） 的體聲波 （BAW） 是一種微諧振器技術，可將高精度 BAW 諧振器直接集成到具有超低抖動時鐘電路的封裝中。BAW 與其他硅基制造工藝一樣，完全在 TI 工廠設計和制造。

LMK6x 器件是一款超低抖動、固定頻率振蕩器，將 BAW 作為諧振器源。該器件在工廠根據特定工作模式進行編程，包括頻率、電壓、輸出類型和功能引腳。LMK6x 采用高性能小數分頻器，能夠產生指定范圍內的任何頻率，為所有頻率需求提供單一器件系列。

該器件具有高性能時鐘、機械穩定性、靈活性和小封裝選項，專為電信、數據和企業網絡以及工業應用中使用的高速 SERDES 中的參考時鐘和核心時鐘而設計。
*附件：lmk6c.pdf

特性

• 高性能差分和單端輸出振蕩器，支持以下范圍內的任何固定頻率：
  • LMK6D：1MHz至400MHz，LVDS輸出
  • LMK6H：1MHz至400MHz，HCSL輸出
  • LMK6P：1MHz至400MHz，LVPECL輸出
  • LMK6C：1MHz至200MHz，LVCMOS輸出
• 超低抖動：
  • LMK6D/LMK6H/LMK6P：156.25MHz（12kHz至20MHz）時典型值為100fs/最大RMS抖動為125fs。
  • LMK6C：100MHz（12kHz至20MHz）時典型值為350fs/最大RMS抖動為500fs。
  • LMK6H：符合 PCIe Gen 1 至 Gen 7 標準
• ±25ppm 總頻率穩定性，包括 10 年老化和所有其他因素
• 最小的行業標準 DLE 和 DLF 封裝
• 支持擴展工業溫度等級：
  • LMK6P/LMK6D/LMK6H：–40°C 至 85°C
  • LMK6C：–40°C 至 105°C
• 集成LDO，具有強大的電源抗噪性：
  • 500kHz紋波時–72dBc PSRR
• 啟動時間：< 5ms
• 標準頻率：
  • LVCMOS （MHz）：1、2.04、4、8.192、10、12、12.288、16、19.2、20、23.5、24、24.57、25、25.6、26、26.21、27、28.12、32.768、33.333、40、48、49.15、50、54、60、65.53、66、74.25、76.8、80、100、108、125、133.330 和 156.25
  • 差分 （MHz）：25、26、32.5、50、51.84、54、65、76.8、80、100、108、122.88、125、133.330、148.35、148.5、150、155.52、156.25、161.1328125、200、312.5 和 400
• 設備可以支持 1MHz 至 400MHz 之間的任何頻率。請聯系 TI 代表了解所需的任何頻率和樣品

參數

方框圖

?1. 產品概述?
LMK6x系列是德州儀器（TI）基于體聲波（BAW）技術的超低抖動高性能振蕩器，包含LMK6C（LVCMOS輸出）、LMK6D（LVDS輸出）、LMK6H（HCSL輸出）和LMK6P（LVPECL輸出）四種型號。關鍵特性包括：

• ?頻率范圍?：1MHz至400MHz（差分型號）或1MHz至200MHz（LVCMOS）。
• ?超低抖動?：典型值100fs（差分型號@156.25MHz），LVCMOS為350fs@100MHz。
• ?穩定性?：±25ppm總頻率穩定性（含10年老化）。
• ?溫度范圍?：-40°C至85°C（差分型號）或-40°C至105°C（LMK6C）。
• ?封裝?：3.2mm×2.5mm（DLE）或2.5mm×2mm（DLF）超小尺寸。

?2. 核心優勢?

• ?BAW技術?：集成高精度微諧振器，無需真空腔體，抗機械振動性能優異（靈敏度約2ppb/g）。
• ?集成LDO?：電源噪聲抑制達-72dBc@500kHz，提升系統可靠性。
• ?快速啟動?：<5ms啟動時間，支持PCIe Gen1-Gen7合規性（LMK6H）。

?3. 應用場景?

• 高速數據通信：56G/112G PAM4時鐘、400G/800G光傳輸網絡。
• 網絡設備：交換機、路由器、基帶單元（BBU）。
• 工業與測試：FPGA參考時鐘、晶體振蕩器替代方案。

?4. 關鍵參數?

• ?電源?：1.8V/2.5V/3.3V可選，典型功耗62mA@3.3V（LVCMOS 100MHz）。
• ?輸出配置?：支持單端/差分多種接口標準，提供詳細的終端匹配方案（如LVDS需100Ω端接）。
• ?時序特性?：RMS周期抖動低至1.6ps（LVDS），相位噪聲-156dBc/Hz@1MHz偏移。

?5. 設計支持?

• ?封裝與引腳?：提供4引腳（LMK6C）和6引腳（差分型號）選項，支持輸出使能（OE）或待機（ST）功能。
• ?布局建議?：推薦使用1μF電源去耦電容，優先采用0201/0402封裝以縮短布線。
• ?熱管理?：ΨJB熱阻參數39.4°C/W（DLF封裝），需通過多通孔接地散熱。

?6. 文檔結構?
數據手冊包含特性、應用、引腳定義、電氣規格（含絕對最大額定值）、時序圖、典型曲線及封裝信息，并附有EVM用戶指南和BAW技術白皮書等參考資料。