Texas Instruments REF35/REF35-Q1超低功耗高精度電壓基準是毫微功耗、低漂移、高精度參考器件，具有 ±0.05%的高初始精度，功耗低于700nA。低溫漂移 (10ppm/°C) 和長期漂移（1000hr下20ppm）確保了系統的穩定性和可靠性。REF35/REF35-Q1元件功耗低、精度規格高，適合各種便攜式和低電流應用。REF35-Q1電壓基準符合AEC-Q100標準，適用于汽車應用。此系列電壓基準可用于驅動器監控、故障指示器、示波器、光學模塊和汽車前置攝像頭。

數據手冊：*附件：Texas Instruments REF35，REF35-Q1精密電壓基準數據手冊.pdf

REF35/REF35-Q1電壓基準提供高達10mA的電流，具有8.5ppm~~p-p~~ 噪聲和30ppm/mA的負載調節能力。憑借這一功能集，REF35/REF35-Q1器件可為精密傳感器和12至16位數據轉換器提供強大的低噪聲、高精度電源。REF35/REF35-Q1電壓基準具有從1.024V至5.0V的寬輸出電壓范圍，采用節省空間的SOT23-6引腳封裝。

特性

超低靜態電流：680nA（典型值）
初始精度：±0.05%（最大值）
溫度系數：10ppm/°C（-40°C至+125°C時最大值）
輸出1/f噪聲：3.3ppm ~~P-P~~ （0.1Hz至10Hz）
NR引腳可降低噪聲
EN引腳可降低關斷電流消耗
長期穩定性：40ppm（1000小時）
熱遲滯：70ppm
輸出電流：+10mA和-5mA
輸出電壓選項：1.024V、1.2V、1.25V、1.6V、1.8V、2.048V、2.5V、3.0V、3.3V、4.096V和5V
小型6引腳SOT-23封裝，2.90mm×1.60mm

規范

輸出短路電流：20mA
ESD額定值
- ±2000V人體模型 (HBM)
- ±750V充電設備模型 (CDM)
輸出電壓精度：±0.5%
典型線性穩壓：4ppm/V
典型負載調節：20ppm/mA或40ppm/mA
靜態電流范圍：0.05μA至2.6μA
導通時間：2ms

典型應用

REF35精密電壓基準芯片技術解析與應用指南?

?一、產品概述?

Texas Instruments的REF35系列是超低功耗、高精度電壓基準芯片家族，具有±0.05%初始精度、12ppm/°C溫度系數（SOT23封裝）以及650nA典型靜態電流。其核心特性包括：

?超低功耗?：典型靜態電流僅650nA，適合便攜式設備。
?高精度?：初始誤差±0.05%，長期穩定性40ppm（1000小時）。
?低噪聲?：0.1Hz-10Hz頻段噪聲低至3.3ppmP-P，支持NR引腳外接電容進一步降噪。
?寬溫度范圍?：-55°C至+125°C，滿足工業應用需求。
?多電壓選項?：提供1.024V至5.0V共11種輸出電壓，覆蓋主流ADC/DAC需求。

?二、關鍵特性詳解?

?1. 電氣參數?

?靜態電流?：典型值650nA（25°C），最大2.6μA（全溫范圍）。
?負載調整率?：20ppm/mA（源電流）、350ppm/mA（灌電流）。
?線性調整率?：40ppm/V（VREF < 2.5V時）。
?噪聲性能?：
- 0.1Hz-10Hz頻段：3.3ppmP-P（VREF < 2.5V）。
- 10Hz-1kHz頻段：0.7ppmrms。

?2. 封裝與引腳?

?SOT23-6封裝?：2.9mm × 1.6mm，支持EN（使能）和NR（降噪）引腳。
?WCSP-4封裝?：1.05mm × 0.84mm，最小化占板面積。
?引腳功能?：
- ?VIN?：輸入電壓（VREF + VDO至6V）。
- ?VREF?：基準輸出，需外接0.1-10μF電容（ESR < 400mΩ）。
- ?NR?：外接電容可降低噪聲（推薦1μF，截止頻率2.7Hz）。