首先想要給燒友們介紹下什么是非易失性內存？是指當電流關掉后，所存儲的數據不會消失者的電腦存儲器。

非易失性存儲器中，依存儲器內的數據是否能在使用電腦時隨時改寫為標準，可分為二大類產品，即ROM和Flash memory。

ROM（Read-only memory，只讀內存）

PROM（Programmable read-only memory，可編程只讀內存）

EAROM（Electrically alterable read only memory，電可改寫只讀內存）

EPROM（Erasable programmable read only memory，可擦可編程只讀內存）

EEPROM（Electrically erasable programmable read only memory，電可擦可編程只讀內存）

Flash memory（閃存)

那么非易失性內存的運行環境又是怎么樣的呢？根據數據統計普通內存的運行穩定溫度是-30攝氏度左右，而富士通電子元器件（上海）有限公司推出新款 64-Kbit FRAM —— MB85RS64TU。該款內存能在 -55℃ 中正常運行，為富士通電子旗下首款能耐受如此低溫的 FRAM 非易失性內存，現已量產供貨。

相信燒友們也一樣對這款能在超低溫下運行的內存十分感興趣，那我們接下來就走進其世界一起去探究下。

MB85RS64TU 支持1.8V至3.6V的極廣范圍電源電壓。其工作溫度更是超越競爭對手，最低達到 -55℃。由于它能在運行溫度范圍內保證10兆次的讀/寫周期，故適合用于在極寒地區挖掘天然氣與石油的設備、機械等產業機械。

MB85RS64TU 也適用于例如測量設備、流量計、及機器人等的一般工業應用。

20年來，富士通量產各種 FRAM 非易失性內存產品，具備高速寫入運行、極高的讀/寫耐用度、及低功耗等特色。值得一提的是，FRAM 產品保證 10兆次的讀/寫周期，約為非易失性內存 EEPROM 的1千萬倍。因此許多需要頻繁覆寫數據的工業應用，像實時數據記錄與3D位置數據記錄等，都采用富士通電子的 FRAM 產品。

MB85RS64TU 進一步延伸現有產品 -40℃ 的低溫極限。新款產品的開發目標，是為滿足客戶對于產業機械搭載的內存必須能在極度寒冷的環境下運行的需求。

FRAM 產品已推出業界標準的 SOP8 封裝，使其能輕易取代8針腳SOP封裝的EEPROM。此外，還提供擁有2.00 x 3.00 x 0.75 mm極小尺寸的SON8封裝。SON的表面貼裝面積僅為SOP封裝的30%，而貼裝體積更僅為SOP的13%。


SOP與SON封裝的MB85RS64TU

去年，富士通電子推出能在125°C環境中運作的FRAM產品，擴展運行溫度的高溫極限；此次開發出的 -55°C產品，則擴展運行溫度的低溫極限。

富士通電子致力于開發最適合客戶應用的內存產品，為此我們將持續提供產品與解決方案，協助客戶的各種應用發揮更好的價值與便利性。

產品規格

組件料號：MB85RS64TU

密度 (組態)：64Kbit (8K x 8 位)

界面：SPI (Serial peripheral interface)

運作頻率：10MHz（Max）

運作電壓：1.8V - 3.6V

運作溫度范圍：-55°C ~ +85°C

讀/寫耐用度：10 兆次 (1013 次)

封裝規格：SOP8，SON8