Texas Instruments ISO652x/ISO652x-Q1雙通道功能隔離器是一款高性能設備，具有隔離柵，支持200V RMS /280VDC~ 工作電壓和570V RMS~ /800VDC 瞬態過壓。這些數字隔離器具有高抗電磁干擾性、低輻射和低功耗。ISO652x/ISO652x-Q1隔離器可防止SPI、UART、RS-232、RS-485和CAN等數據總線上的噪聲電流損壞敏感電路。這些隔離器具有50Mbps數據速率、1.71V至5.5V電平轉換以及在3.3V時具有11ns（典型值）的低傳播延遲。

數據手冊：*附件：Texas Instruments ISO652x，ISO652x-Q1功能隔離器數據手冊.pdf

ISO6521x/ISO652x-Q1隔離器的工作溫度范圍為-40°C至125°C。這些隔離器非常適合用于需要隔離的空間受限應用，用于非安全應用。ISO6521x/ISO652x-Q1隔離器用于電源、電機驅動器、工廠自動化、樓宇自動化、照明和電表。ISO652x-Q1設備符合汽車應用類AEC-Q100認證。

特性

• 雙通道CMOS輸出功能隔離器
• 穩健的SiO~2 ~隔離柵，具有±150kV/μs的典型共模瞬態抗擾度 (CMTI)
• 功能隔離：
  • 工作電壓：200VRMS 、280VDC
  • 瞬態電壓 (60s)：570VRMS 、800VDC
• 電平轉換：1.71 V至5.5 V
• 1Mbps和3.3V時每通道電流典型值為1.8mA
• 3.3 V時低傳播延遲典型值為11ns
• 穩健的電磁兼容性 (EMC)
  • 系統級ESD、EFT和浪涌抗擾性
  • 低輻射
• 50 Mbps 數據速率

簡化原理圖

ISO652x系列功能隔離器技術解析與應用指南

一、產品概述

ISO652x是德州儀器(TI)推出的高性能雙通道功能隔離器系列，采用先進的SiO2電容隔離技術，專為成本敏感且空間受限的非安全應用設計。該系列包含ISO6520(同向雙通道)和ISO6521(雙向雙通道)兩種型號，并提供默認輸出高(無F后綴)和默認輸出低(F后綴)兩種選項。

二、關鍵特性

1. 隔離性能

• ?工作電壓?：450VRMS/637VDC
• ?瞬態電壓?：2000VRMS/2828VDC(60秒)
• ?隔離屏障?：雙電容SiO2結構
• ? 共模瞬態抑制(CMTI) ?：±150kV/μs(典型值)

2. 電氣特性

• ?數據速率?：最高50Mbps
• ?傳播延遲?：11ns典型值(3.3V供電時)
• ?供電范圍?：
  • 低壓側：1.71V至1.89V
  • 高壓側：2.25V至5.5V
• ?功耗?：1.8mA/通道(1Mbps@3.3V)

3. 封裝選項

• ? 8-REU(DFN) ?：3.0mm×2.0mm，爬電距離>2.2mm
• ? 8-D(SOIC) ?：4.9mm×6.0mm

三、技術架構

ISO652x采用創新的OOK(On-Off Keying)調制技術，通過高頻載波傳輸數字信號：

1. ?發送端?：將數字狀態轉換為載波信號通過SiO2隔離屏障
2. ?接收端?：對信號進行調理和解調后輸出
3. ?增強設計?：集成先進的電路技術優化CMTI性能并降低輻射

四、典型應用

1. 電源系統隔離

• 48V電源轉換器中的PWM信號隔離
• 高邊驅動器的電平轉換
• 逆變器控制信號隔離

?設計要點?：

• 使用0.1μF去耦電容靠近VCC引腳
• 保持對稱布線減少信號失真
• 利用默認輸出狀態實現故障安全

2. 工業通信接口

• RS-485/RS-232隔離
• CAN總線隔離
• SPI/UART信號隔離

?優化建議?：

• 對于高速信號(>25Mbps)采用4層PCB設計
• 信號層與地平面相鄰布置
• 避免在隔離屏障下方走線

五、設計注意事項

1. 電源管理

• 建議每側使用獨立LDO供電
• 上電時序要求：VCC1和VCC2可獨立上電
• 欠壓鎖定(UVLO)閾值：1.53V(典型值)

2. 熱管理

• 8-REU封裝熱阻：143.4°C/W(結到環境)
• 高功耗應用建議使用散熱過孔

3. 安全認證

• 符合AEC-Q100 Grade 1標準
• 功能安全能力達ASIL D級
• 但不適用于需要安全認證隔離的應用

六、選型指南

七、性能驗證數據

1. ?隔離壽命?：在450VRMS工作電壓下預計壽命>100年
2. ?信號完整性?：
   • 上升時間：2.6ns(5V供電)
   • 下降時間：2.6ns(5V供電)
   • 通道間偏斜：<0.2ns
3. ?EMC性能?：
   • 系統級ESD：±6kV(HBM)
   • 輻射發射：超低水平