來源：Vishay威世科技

賦能汽車安全性設(shè)計(jì)

兩款全新 eFuse 參考設(shè)計(jì)

在電路保護(hù)設(shè)計(jì)中，熱保險(xiǎn)絲作為一種成熟的過流保護(hù)技術(shù)，應(yīng)用極為廣泛。不過，在汽車等對可靠性和應(yīng)用環(huán)境有特殊要求的場合，傳統(tǒng)熱保險(xiǎn)絲在精度、響應(yīng)速度、靈活性等方面，有明顯的性能短板，這時(shí)就需要用到電子保險(xiǎn)絲（eFuse）等新型電路保護(hù)技術(shù)。

與基于熱熔斷效應(yīng)的傳統(tǒng)保險(xiǎn)絲不同，eFuse 的工作原理是：通過測量一個(gè)檢測電阻器上的電壓來監(jiān)控電路中的電流，當(dāng)電流超過設(shè)計(jì)限值時(shí)迅速通過控制邏輯關(guān)斷場效應(yīng)晶體管（FET）并切斷電流路徑，由此實(shí)現(xiàn)保護(hù)目的。

因此，與熱保險(xiǎn)絲相比，eFuse 具有響應(yīng)速度快、低電流操作、可重復(fù)使用等性能，并可提供擴(kuò)展的保護(hù)功能（如反向電流保護(hù)、過壓保護(hù)、反極性保護(hù)等），在特定的應(yīng)用中可以取代熱保險(xiǎn)絲，或者作為熱保險(xiǎn)絲重要的功能補(bǔ)強(qiáng)。

eFuse 在性能、功能和靈活性上的優(yōu)勢，使其十分適用于汽車系統(tǒng)設(shè)計(jì)，通過防止過流、電壓脈沖和溫度上升等風(fēng)險(xiǎn)事件，增強(qiáng)車輛整體的安全性。

針對汽車系統(tǒng)的電路保護(hù)，Vishay 新推出了兩款 eFuse 參考設(shè)計(jì)——基于 SiC MOSFET 的 800 V、40 A雙向電子保險(xiǎn)絲，以及基于 1200 V SiC MOSFET帶預(yù)充電功能的電子斷路器。

圖 1：Vishay 兩款 eFuse 參考設(shè)計(jì)

這兩款 eFuse 參考設(shè)計(jì)具有四個(gè)突出的性能優(yōu)勢：

01低 TCR 分流器，用于精確測量電流

02低跟蹤誤差分壓器

03穩(wěn)定的 I/O 端口提供靜電保護(hù)和續(xù)流能力

04快速開關(guān)

這些優(yōu)勢得益于 Vishay 一系列高性能半導(dǎo)體分立器件和被動元件在參考設(shè)計(jì)中的應(yīng)用。進(jìn)一步分析參考設(shè)計(jì)的 BOM，我們會發(fā)現(xiàn)，有兩款 Vishay 元器件在其中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用：

①M(fèi)XP120A045FE SiC MOSFET：Vishay 的 MaxSiC 1200 V N溝道 SiC MOSFET，具有極快的開關(guān)速度，以及 3 μs 的短路耐受時(shí)間，這非常有助于提升 eFuse 的響應(yīng)速度、可靠性和安全性。

② CMB 0207 高脈沖負(fù)載碳膜 MELF 電阻：采用能夠承受 3700 ℃ 高溫的碳膜技術(shù)，以及獨(dú)特的圓柱形設(shè)計(jì)，使該電阻器具有出眾的脈沖負(fù)載能力，是保護(hù)電路和敏感元器件免受浪涌脈沖影響的理想選擇。

圖 2：基于 SiC MOSFET 的 800 V、40 A 雙向電子保險(xiǎn)絲系統(tǒng)框圖

圖 3：基于 1200 V SiC MOSFET 帶預(yù)充電功能的電子斷路器系統(tǒng)框圖

新一代汽車電子應(yīng)用，對可靠性和安全性提出了更高的要求，Vishay 基于高性能的元器件產(chǎn)品以及豐富的系統(tǒng)設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，開發(fā)出的 eFuse 參考設(shè)計(jì)，無疑會為汽車安全性設(shè)計(jì)提供極大的助力。