Texas Instruments SN74LV165B-EP 8位移位寄存器是一款并行負載8位移位寄存器,設計工作VCC 范圍為2V至5.5V。當給器件加上時鐘時,數據向串行輸出QH移位。并行輸入訪問每級的方法是在移位/負載( SH/LD) 輸入以低電平使能八個單獨的直接數據輸入。SN74LV165B-EP器件具有時鐘抑制功能和互補串行輸出 QH。 該器件完全適用于采用Ioff 的局部掉電應用。在器件斷電時,Ioff 電路可禁用輸出,防止有害電流回流至器件。Texas Instruments SN74LV14B-EP器件采用金鍵合線,具有-55°C至+105°C溫度范圍,采用錫鉛引線表面處理。
數據手冊:*附件:Texas Instruments SN74LV165B-EP 8位移位寄存器數據手冊.pdf
特性
- 工作
VCC范圍:2V至5.5V - 在5V電壓條件下,最大
tpd為10.5ns - 所有端口均支持混合模式電壓操作
Ioff支持局部掉電模式運行- 閉鎖性能超過250 mA,符合JESD 17標準
- 環境工作溫度范圍:-55°C至+125°C
- 支持國防、航空航天和醫療應用
- 受控基線
- 唯一組裝/測試廠
- 唯一制造廠
- 延長的產品壽命周期
- 產品可追溯性
功能框圖

德州儀器SN74LV165B-EP 8位移位寄存器技術解析與應用指南
一、產品概述
德州儀器(TI)的SN74LV165B-EP是一款增強型8位并行輸入/串行輸出移位寄存器,專為2V至5.5V寬電壓范圍應用設計。該器件具有以下核心特性:
- ?寬電壓工作范圍?:2V至5.5V VCC操作
- ?高性能?:5V供電時最大傳播延遲僅10.5ns
- ?低功耗設計?:
- 支持Ioff部分掉電模式
- 靜態電流極低
- ?工業級可靠性?:
- 鎖定性能超過250mA(JESD 17標準)
- 工作溫度范圍-55°C至+125°C
- ?軍工級品質?:
- 受控基線生產流程
- 單一組裝和測試站點
- 延長產品生命周期支持
二、關鍵技術與性能參數
2.1 電氣特性
| 參數 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 工作電壓 | - | 2 | - | 5.5 | V |
| 高電平輸出電壓 | VCC=4.5V, IOH=-12mA | 3.8 | - | - | V |
| 低電平輸出電壓 | VCC=4.5V, IOL=12mA | - | - | 0.55 | V |
| 輸入漏電流 | VI=5.5V或GND | - | ±1 | - | μA |
| 靜態電流 | VI=VCC或GND, IO=0 | - | 20 | - | μA |
| 輸入電容 | VI=VCC或GND | - | 1.7 | - | pF |
2.2 時序特性(5V供電)
| 參數 | 條件 | 25°C | -55°C至125°C | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 時鐘脈沖寬度 | CLK高或低 | 4ns | 5ns | ns |
| 建立時間 | 數據在SH/LD↑前 | 5ns | 5ns | ns |
| 保持時間 | 并行數據在SH/LD↑后 | 1ns | 1ns | ns |
| 最大時鐘頻率 | CL=15pF | 110MHz | 90MHz | MHz |
三、功能描述
3.1 工作模式
SN74LV165B-EP提供三種基本工作模式:
- ?并行加載模式?:
- SH/LD置低時激活
- 8位并行數據(A-H)被鎖存到內部寄存器
- 時鐘狀態不影響加載操作
- ?串行移位模式?:
- SH/LD保持高電平
- 每個時鐘上升沿將數據向QH方向移位
- SER輸入數據移入第一位寄存器
- ?時鐘抑制模式?:
- CLK INH高電平凍結時鐘操作
- 保持當前寄存器狀態不變
3.2 關鍵功能特點
- ?平衡CMOS推挽輸出?:提供對稱的灌電流和拉電流能力
- ? 部分掉電保護(Ioff) ?:當VCC=0V時禁用所有輸出,防止反向電流
- ?負壓鉗位二極管?:所有輸入/輸出端集成保護二極管
- ?抗鎖存設計?:通過JESD 17標準測試(>250mA)
四、典型應用設計
?設計要點?:
- 將8個離散輸入擴展為單線串行接口
- SH/LD低電平脈沖加載當前輸入狀態
- 通過8個時鐘周期讀取全部數據位
- 支持菊花鏈連接多個器件實現更多輸入擴展
4.2 工業傳感器接口
?優勢特性?:
- 寬電壓兼容各類傳感器輸出
- 并行加載實現同步采樣
- 串行輸出簡化長距離布線
- -55°C至+125°C寬溫工作
五、布局與熱管理
5.1 PCB布局指南
- ?電源去耦?:
- VCC引腳就近放置0.1μF陶瓷電容
- 多器件系統建議每個VCC加0.01-0.022μF電容
- ?信號完整性?:
- 時鐘線遠離高速信號
- SH/LD控制信號走線盡量短
- 避免90°轉彎(建議45°或圓弧走線)
- ?熱設計?:
- 使用厚銅PCB(≥2oz)
- 增加散熱過孔陣列
- 大電流應用時考慮敷銅面積
5.2 封裝熱參數(TSSOP-16)
- θJA=131.2°C/W
- θJB=75.8°C/W
- ψJT=21.0°C/W
六、應用領域
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