Texas Instruments ISOM8110DFGEVM評(píng)估模塊評(píng)估ISOM8110單通道光電仿真器，具有模擬晶體管輸出，采用4引腳DFG SOIC封裝。 此模塊具有適用于光電晶體管光電耦合器的直接升級(jí)和引腳兼容，各種溫度條件下穩(wěn)定的CTR性能，并提供用于基本修改的無(wú)源器件和封裝。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：Texas Instruments ISOM8110DFGEVM 驅(qū)動(dòng)評(píng)估模塊用戶(hù)指南.pdf

特性

• 適用于光電晶體管光電耦合器的直接升級(jí)和引腳兼容
• 多個(gè)測(cè)試點(diǎn)和連接接頭可實(shí)現(xiàn)快速器件評(píng)估
• 1通道二極管仿真器輸入
• 包括無(wú)源元件和焊盤(pán)，用于基本修改
• 最大集電極－發(fā)射極電壓：80VCEO
• 在寬溫度范圍內(nèi)具有穩(wěn)定的CTR性能
• 用于基本修改的無(wú)源器件和封裝

原理圖

ISOM8110DFGEVM光耦模擬器評(píng)估模塊技術(shù)解析

一、產(chǎn)品核心特性

ISOM8110DFGEVM是德州儀器(TI)推出的單通道光耦模擬器評(píng)估模塊，具有以下突出特性：

?性能優(yōu)勢(shì)?：

• 帶寬高達(dá)1MHz，關(guān)斷延遲<100ns
• 電流傳輸比(CTR)：100%-155%(IF=5mA, VCE=5V)
• 集電極-發(fā)射極電壓VCEO最高達(dá)80V
• 工作溫度范圍：-40°C至125°C

?技術(shù)創(chuàng)新?：

• 采用硅氧化物(SiO2)隔離屏障技術(shù)
• 消除傳統(tǒng)光耦老化效應(yīng)和溫度漂移
• 輸入二極管模擬器功耗降低30%

?封裝與兼容性?：

• 4引腳DFG SOIC封裝
• 引腳兼容主流光電晶體管輸出型光耦
• 評(píng)估板尺寸：76.2mm×63.5mm

二、評(píng)估模塊硬件設(shè)計(jì)

1. 電路架構(gòu)

• ?輸入側(cè)?：
  • 可調(diào)限流電阻R1(默認(rèn)1kΩ)
  • 輸入電容C1(15pF)可選配
  • 測(cè)試點(diǎn)TP1-TP4
• ?輸出側(cè)?：
  • 集電極負(fù)載電阻R3/R4(1kΩ)
  • 輸出配置跳線J3/J4
  • 高邊/低邊輸出可選

2. 關(guān)鍵接口說(shuō)明

3. 典型測(cè)試配置

1. ?輸入配置?：
   • 電流源連接J1(IF=1-10mA)
   • 示波器探頭接TP1(輸入波形)
2. ?輸出配置?：
   • 負(fù)載電阻RL=1kΩ
   • 電源VCC=5-24V
   • 示波器通道接TP6(輸出波形)

三、應(yīng)用方案詳解

1. 工業(yè)控制系統(tǒng)

• ?PLC數(shù)字輸入隔離?：
  • 配置為低邊輸出(J4短接)
  • R1調(diào)整為2.2kΩ(IF≈2mA)
  • 增加C2=100pF改善噪聲抑制

2. 汽車(chē)電子系統(tǒng)

• ? 電池管理系統(tǒng)(BMS) ?：
  • 采用高邊輸出配置(J3短接)
  • 工作電壓12V/24V兼容
  • 通過(guò)AEC-Q100認(rèn)證
• ?布局建議?：
  • 輸入/輸出地平面分離
  • 隔離帶下方避免走線
  • 高壓側(cè)保持3mm爬電距離

四、性能測(cè)試數(shù)據(jù)

1. 時(shí)序特性

2. 可靠性參數(shù)

• 隔離電壓：3.75kV RMS
• HBM ESD：±4kV
• 使用壽命：>15年(無(wú)光衰問(wèn)題)

五、設(shè)計(jì)資源

1. PCB布局指南

• 頂層布局(圖3-2)：
  • 輸入電路居左
  • 隔離屏障居中
  • 輸出電路居右
• 底層布局(圖3-3)：
  • 完整地平面
  • 隔離區(qū)域開(kāi)槽

2. BOM關(guān)鍵器件

該評(píng)估模塊通過(guò)創(chuàng)新的光耦模擬技術(shù)，為工程師提供了傳統(tǒng)光耦升級(jí)換代的理想解決方案。其優(yōu)異的時(shí)序性能和汽車(chē)級(jí)可靠性，使其特別適合工業(yè)自動(dòng)化和汽車(chē)電子領(lǐng)域的隔離應(yīng)用需求。