Texas Instruments ISOM8110DFGEVM評估模塊評估ISOM8110單通道光電仿真器，具有模擬晶體管輸出，采用4引腳DFG SOIC封裝。 此模塊具有適用于光電晶體管光電耦合器的直接升級和引腳兼容，各種溫度條件下穩定的CTR性能，并提供用于基本修改的無源器件和封裝。

數據手冊：*附件：Texas Instruments ISOM8110DFGEVM 驅動評估模塊用戶指南.pdf

特性

• 適用于光電晶體管光電耦合器的直接升級和引腳兼容
• 多個測試點和連接接頭可實現快速器件評估
• 1通道二極管仿真器輸入
• 包括無源元件和焊盤，用于基本修改
• 最大集電極－發射極電壓：80VCEO
• 在寬溫度范圍內具有穩定的CTR性能
• 用于基本修改的無源器件和封裝

原理圖

ISOM8110DFGEVM光耦模擬器評估模塊技術解析

一、產品核心特性

ISOM8110DFGEVM是德州儀器(TI)推出的單通道光耦模擬器評估模塊，具有以下突出特性：

?性能優勢?：

• 帶寬高達1MHz，關斷延遲<100ns
• 電流傳輸比(CTR)：100%-155%(IF=5mA, VCE=5V)
• 集電極-發射極電壓VCEO最高達80V
• 工作溫度范圍：-40°C至125°C

?技術創新?：

• 采用硅氧化物(SiO2)隔離屏障技術
• 消除傳統光耦老化效應和溫度漂移
• 輸入二極管模擬器功耗降低30%

?封裝與兼容性?：

• 4引腳DFG SOIC封裝
• 引腳兼容主流光電晶體管輸出型光耦
• 評估板尺寸：76.2mm×63.5mm

二、評估模塊硬件設計

1. 電路架構

• ?輸入側?：
  • 可調限流電阻R1(默認1kΩ)
  • 輸入電容C1(15pF)可選配
  • 測試點TP1-TP4
• ?輸出側?：
  • 集電極負載電阻R3/R4(1kΩ)
  • 輸出配置跳線J3/J4
  • 高邊/低邊輸出可選

2. 關鍵接口說明

3. 典型測試配置

1. ?輸入配置?：
   • 電流源連接J1(IF=1-10mA)
   • 示波器探頭接TP1(輸入波形)
2. ?輸出配置?：
   • 負載電阻RL=1kΩ
   • 電源VCC=5-24V
   • 示波器通道接TP6(輸出波形)

三、應用方案詳解

1. 工業控制系統

• ?PLC數字輸入隔離?：
  • 配置為低邊輸出(J4短接)
  • R1調整為2.2kΩ(IF≈2mA)
  • 增加C2=100pF改善噪聲抑制

2. 汽車電子系統

• ? 電池管理系統(BMS) ?：
  • 采用高邊輸出配置(J3短接)
  • 工作電壓12V/24V兼容
  • 通過AEC-Q100認證
• ?布局建議?：
  • 輸入/輸出地平面分離
  • 隔離帶下方避免走線
  • 高壓側保持3mm爬電距離

四、性能測試數據

1. 時序特性

2. 可靠性參數

• 隔離電壓：3.75kV RMS
• HBM ESD：±4kV
• 使用壽命：>15年(無光衰問題)

五、設計資源

1. PCB布局指南

• 頂層布局(圖3-2)：
  • 輸入電路居左
  • 隔離屏障居中
  • 輸出電路居右
• 底層布局(圖3-3)：
  • 完整地平面
  • 隔離區域開槽

2. BOM關鍵器件

該評估模塊通過創新的光耦模擬技術，為工程師提供了傳統光耦升級換代的理想解決方案。其優異的時序性能和汽車級可靠性，使其特別適合工業自動化和汽車電子領域的隔離應用需求。