EDS對(duì)元素定性分析
高能電子束入射到樣品表面部分區(qū)域,這部分區(qū)域表層中的原子,其殼層(K、L層等)的電子被激發(fā)到較高能量的外殼層(L、M層等)或者原子外成為二次電子,該原子處于激發(fā)態(tài)(高能量),為使系統(tǒng)總能量最低,外層電子躍遷到有空位的內(nèi)殼層,多余的能量以特征X射線或俄歇電子的形式放出。每個(gè)元素的特征X射線能量不同,大小取決于原子中電子的能級(jí)躍遷過(guò)程中釋放出的特征能量△E。只要測(cè)得激發(fā)出的特征X射線能量,就可以確定對(duì)應(yīng)的元素種類,EDS就是根據(jù)這個(gè)原理對(duì)元素進(jìn)行定性分析。
EDS元素定量分析
EDS元素定量分析一般采用的是無(wú)標(biāo)樣定量,即采用EDS的標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行定量分析,不需要在分析時(shí)測(cè)量標(biāo)樣,用特定標(biāo)樣對(duì)數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行校正。
EDS譜圖形成原理
樣品被激發(fā)出的特征X射線通過(guò)EDS探測(cè)器的窗口后,照射到半導(dǎo)體(Si)探測(cè)器上,Si原子電離后產(chǎn)生電子-空穴對(duì),數(shù)量和特征X射線能量E/Kev成正比,
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電子束
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EDS
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