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慧能泰推出零外圍A+C快充芯片HUSB382D

慧能泰半導體 ? 來源:慧能泰半導體 ? 2025-08-06 18:15 ? 次閱讀
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上班我只做3件事

充電,喝水,上廁所

特別是在一家快充芯片研發公司上班,充電更是方便,

這不,今天又從實驗室“順”了一款最新的A+C快充芯片HUSB382D,聽說它能做到極簡的零外圍設計,更能支持20V PDO。

老板說測試產品要嚴謹,所以我決定先替大家試驗一下,提前感受下急速秒充的快樂。

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圖1:HUSB382D ESSOP-10L封裝及Demo圖

HUSB382D芯片特性

超高集成的USB Type-C和USB Type-A雙端口快充控制器

符合USB Type-C2.1和USB PD3.1標準

- 支持 5V、9V、12V、15V和20V電壓

- 支持2個可編程APDO

支持BC 1.2 DCP和HVDCP協議

- BC1.2 DCP

- Apple 5V 2.4A

- QC2.0/3.0/QC3.0+ Class A or Class B

- AFC、FCP和SCP

- PE1.1+/2.0

支持單端口快充和多端口5V共享模式

集成N-MOSFET驅動器,支持軟啟動

集成電流采樣電阻

內置補償的恒壓(CV)和恒流(CC)控制

多檔線纜補償選項

集成OVP、UVP、UVLO、OCP、FOCP和TSD多重保護機制

采用ESSOP-10L封裝。

±5kV HBM ESD

零外圍極簡設計

HUSB382D延續了慧能泰新產品“零外圍”的設計理念。通過在ESSOP-10L封裝上內置集成所有VBUS開關、所有采樣電阻、所有環路配置阻容,再也不需要焊大量外圍元件,簡化設計方案。有效縮小充電器體積,便于產品小型化和輕量化設計。

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圖2:HUSB382D典型應用電路圖

易布板,易焊接

對充電器廠家而言,傳統的多層布線設計常伴隨高成本與低效難題。而采用HUSB382D的創新方案通過雙USB端口共地設計,省去了采樣電阻與獨立電流采樣走線,避免了復雜曲折的電流路徑設計,一馬平川的鋪個地平面即可實現功能。

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靈活高壓輸出,協議高兼容

HUSB382D支持5V、9V、12V、15V和20V FPDO,具備最高65W的輸出功率,能兼容市面上主流的充電協議,以及擁有更高的充電效率。能夠滿足平板,筆記本,手機等多種電子設備的充電需求。

關于慧能泰半導體

深圳慧能泰半導體科技有限公司是一家專注于智慧能源控制技術的公司,主要面向智能快充和數字能源領域,提供高性能數模混合芯片產品。公司總部設立在深圳前海,同時在上海、浙江杭州、美國加州設有研發中心。慧能泰的核心研發團隊來自國內外頂尖半導體公司,擁有強大的研發創新能力。公司現已獲多項授權專利,擁有獨立自主知識產權,并于2020年被評為“高新技術企業”,2023年獲評國家級專精特新“小巨人”企業。

目前,慧能泰已完成了圍繞USB Type-C生態鏈的整體產品布局,開發并量產了多款產品:供電端的多系列PD Source協議芯片,受電端的高性能PD Sink(PD 誘騙芯片)、Type-C端口控制器(CC Logic),線纜端的USB eMarker(電子標簽芯片)。成立以來,慧能泰連續推出多款業界領先的產品并廣受市場歡迎。公司芯片出貨量逾8億顆,標桿性客戶有聯想、小米、三星、HP、貝爾金和努比亞等。同時,慧能泰也致力于提高能源利用效率、研究能源控制技術,借助自身的技術研發優勢,面向ICT(通信服務器)、數據中心、光伏逆變器、儲能等工業應用,研發數字電源控制芯片、高壓驅動芯片電源轉換芯片和模塊等產品。

慧能泰半導體肩負著“芯智慧 芯能源,共建綠色未來”的使命,立志成為業界領先的智慧能源控制技術供應商。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:告別“焊武帝”時代!30-65W零外圍A+C快充協議正式上線

文章出處:【微信號:慧能泰半導體,微信公眾號:慧能泰半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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