想了解當(dāng)下快速充電技術(shù)面臨哪些挑戰(zhàn)？想知道TI的快速充電產(chǎn)品技術(shù)有哪些優(yōu)勢？想獲得專業(yè)的講解為你的作品提供設(shè)計思路？

在2018AETF亞太消費電子技術(shù)論壇峰會上，來自TI的BMS中國市場和應(yīng)用經(jīng)理——文司華（Simon Wen）進行了主題為“TI 新生代高效充電芯片”的演講，為大家分析了快速充電為系統(tǒng)設(shè)計帶來的挑戰(zhàn)，并且講解了TI電源管理解決方案和產(chǎn)品如何助力手機的設(shè)計與開發(fā)。

快速充電設(shè)計面臨挑戰(zhàn)

隨著智能手機性能需求不斷提高，TI也在推陳出“芯“和優(yōu)化產(chǎn)品，以提供更小的方案尺寸和更優(yōu)質(zhì)的用戶體驗。在TI，你將了解到全新酷炫的消費電子技術(shù)，以及它們?nèi)绾沃υO(shè)計和產(chǎn)品開發(fā)。

文司華表示：“想要實現(xiàn)快速充電所要面臨的挑戰(zhàn)是很多的，如何突破傳統(tǒng)適配器輸入功率限制？在許可的終端設(shè)備的外殼溫度下，如何最大化充電電流？如何讓充電芯片提升功率轉(zhuǎn)化效率，降低損耗？如何在快充情況下，保證電池安全及壽命？這些都是我們需要思考并解決的問題”。

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效率提升為什么是關(guān)鍵？

從TI的芯片數(shù)據(jù)來看，早一代芯片產(chǎn)品是黃色線條，新產(chǎn)品是藍色線條。可以看到，效率差，損耗會更高，如果效率提高2.5%，在同等的熱損要求下，電流提升可以達到27%。即基本上1%的效率提升能夠允許10%的電流提升。提高效率，能較大幅度的提升許可充電電流上限，從而帶來更大的充電設(shè)計自由度！

兩代芯片性能對比圖

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功率損耗和充電IC

從手機系統(tǒng)設(shè)計的層面看，高效率的DCDC降壓芯片（亦即目前充電芯片的主流構(gòu)架）通常要求采用更大的電感以實現(xiàn)更小的損耗，但是在手機設(shè)計中，容許的空間是有限的，所以有時不得不犧牲效率并限制最大電流來減少電感體積。另外，許可的充電熱損取決于手機的具體設(shè)計目標(biāo)，一般選擇在0.7~0.9W之間。在此前提下，依據(jù)效率和電流要求篩選充電芯片， 而且往往是先有一個基本充電電流的目標(biāo)，再選取合適的充電芯片。單顆芯片功率不夠的情況下，可能會考慮雙充電芯片并行的構(gòu)架。

功率損耗和充電IC

快速充電為我們帶來設(shè)計上的難度，依靠超高效率、小尺寸、高功率密度的新 Chargerbq25910可以突破這些挑戰(zhàn)，實現(xiàn)半小時內(nèi)充電70%的飛躍！

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bq25910特點及優(yōu)勢

?并聯(lián)充電器可在雙充電器配置下提供快速充電

? 高效的 750kHz 開關(guān)模式三級降壓并聯(lián)充電器

? 單個輸入，支持 USB 輸入和可調(diào)高壓適配器

? 靈活的 I 2 C 模式，可實現(xiàn)最優(yōu)系統(tǒng)性能

? 高集成度，包括所有 MOSFET、電流檢測和環(huán)路補償

? 待機模式下具有小于 10μA 的低電池泄漏電流

? 高精度

? 安全

? 采用 36 焊球 WCSP 封裝