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TPS50601-SP 抗輻射 QMLV、3V 至 6.3V 輸入、6A 同步降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-06-28 14:58 ? 次閱讀
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這 TPS50601-SP 是一款抗輻射、6.3V、6A 同步降壓轉(zhuǎn)換器,其 通過高效率并集成高側(cè)和低側(cè),針對小型設計進行優(yōu)化 MOSFET 的通過電流模式控制進一步節(jié)省空間,從而減少元件 計數(shù)和高開關頻率,從而減少了電感器的占用空間。提供 采用熱增強型 20 引腳陶瓷雙列直插式扁平封裝。

輸出電壓啟動斜坡由 SS/TR 引腳控制,允許以 要么是獨立電源,要么是在跟蹤情況下。電源排序也可以通過以下方式實現(xiàn) 正確配置 Enable 和 Open Drain Power Good 引腳。
*附件:tps50601-sp.pdf

高側(cè) FET 上的逐周期電流限制可在過載時保護器件 情況,并通過防止電流失控的低側(cè)拉電流限制得到增強。 還有一個低側(cè)灌電流限制,可關閉低側(cè) MOSFET,以防止 反向電流過大。當芯片溫度超過熱溫度時,熱關斷功能會禁用該器件 關機溫度。

特性

  • 5962R10221:
    • 抗輻射保證 (RHA) 高達 TID 100 krad (Si)
    • 無 ELDRS 100 克拉德 (Si) – 10 mRAD(Si)/秒
    • 單粒子閂鎖 (SEL) 抗LET = 85 MeV-cm ^2^ /mg(見輻射報告,http://www.ti.com/radiation)
    • SEB 和 SEGR 對 85 MeV-cm 的免疫力 ^2^ /mg,可用的 SOA 曲線(參見輻射報告)
    • 提供 SET/SEFI 橫截面圖(見輻射報告)
  • 峰值效率:95% (V O = 3.3 V)
  • 集成 55mΩ/50mΩ MOSFET
  • 分離電源軌:1.6 至 6.3 V(PVIN)
  • 電源軌:VIN 上為 3 至 6.3 V
  • 6A 最大輸出電流
  • 靈活的開關頻率選項:
    • 100kHz 至 1MHz 可調(diào)內(nèi)部振蕩器
    • 外部同步能力:100 kHz 至 1 MHz
    • 同步引腳可配置為 500kHz 輸出,用于主/從應用
  • 25°C 時為 0.795V ±1.258% 電壓基準
  • 單調(diào)啟動至預偏置輸出
  • 通過外部電容器實現(xiàn)可調(diào)軟啟動
  • 用于電源排序的輸入使能和電源就緒輸出
  • 用于欠壓和過壓的電源良好輸出監(jiān)視器
  • 可調(diào)輸入欠壓鎖定 (UVLO)
  • 20 引腳熱增強型陶瓷扁平封裝 (HKH)

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

1. 產(chǎn)品概述

TPS50601-SP是一款輻射硬化型同步降壓轉(zhuǎn)換器,專為空間衛(wèi)星的點負載供電設計,適用于FPGA微控制器ASIC等應用。該轉(zhuǎn)換器具有高達6A的最大輸出電流,輸入電壓范圍為1.6V至6.3V,并能在惡劣的輻射環(huán)境中穩(wěn)定工作。

2. 主要特性

  • ?輻射硬化?:TID 100krad (Si),ELDRS Free,SEU、SEB和SEGR免疫。
  • ?寬輸入電壓范圍?:1.6V至6.3V(PVIN),3V至6.3V(VIN)。
  • ?高效率?:峰值效率可達95%(VOUT = 3.3V)。
  • ?高輸出電流?:最大6A輸出電流。
  • ?靈活的開關頻率?:100kHz至1MHz可調(diào),支持外部同步。
  • ?集成MOSFET?:集成55mΩ/50mΩ MOSFET,優(yōu)化小尺寸設計。
  • ?保護功能?:過流保護、過壓保護、欠壓鎖定、熱關斷。

3. 應用領域

  • 空間衛(wèi)星點負載供電
  • 輻射耐受應用
  • 工程評估樣品

4. 功能描述

  • ?啟動與軟啟動?:支持單調(diào)啟動至預偏置輸出,可通過外部電容實現(xiàn)可調(diào)軟啟動。
  • ?電流限制?:具有周期電流限制功能,防止過載情況。
  • ?電壓監(jiān)控?:PWRGD引腳監(jiān)控輸出電壓,提供過壓和欠壓指示。
  • ?熱關斷?:內(nèi)置熱關斷電路,防止過熱損壞。

5. 電氣特性

  • ?工作結(jié)溫范圍?:-55°C至125°C。
  • ?電壓參考?:0.795V ±1.258%(25°C)。
  • ?MOSFET導通電阻?:高側(cè)55mΩ(BOOT-PH = 2.2V),低側(cè)50mΩ(VIN = 6.3V)。
  • ?熱關斷溫度?:175°C(典型值)。

6. 設計指南

  • ?輸出電感選擇?:根據(jù)負載電流和紋波要求選擇合適的電感值。
  • ?輸出電容選擇?:考慮負載瞬態(tài)響應和輸出電壓紋波,選擇合適的電容值和ESR。
  • ?輸入電容?:建議在PVIN和VIN引腳旁使用至少4.7μF的陶瓷電容。
  • ?軟啟動電容?:根據(jù)所需的軟啟動時間選擇合適的電容值。

7. 布局建議

  • ?旁路電容?:PVIN和VIN引腳應使用低ESR陶瓷電容旁路至地。
  • ?電感與電容?:輸出電感應靠近PH引腳,輸出電容應靠近SW_IN引腳。
  • ?熱管理?:確保足夠的散熱面積,以保持良好的熱性能。

8. 封裝與尺寸

  • ?封裝類型?:20引腳陶瓷扁平封裝(CFP)。
  • ?尺寸?:7.38mm x 12.70mm。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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