概述
ADuM150N/[ADuM151N]/[ADuM152N]^1^ 是基于 ADI 公司 iCoupler^?^ 技術(shù)的 5 通道數(shù)字隔離器。這些隔離元件集高速、互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 和整體式空芯變壓器技術(shù)于一身，能夠提供比光耦合器及其他集成耦合器更出色的性能特點(diǎn)。在 5 V 運(yùn)行時(shí)，最大傳播延遲為 13 ns，脈寬失真低于 4.5 ns。在最大 4.0 ns 時(shí)，傳播延遲的信道匹配是緊密的。

ADuM150N/ADuM151N/ADuM152N 數(shù)據(jù)信道是獨(dú)立的，有多種配置，耐受電壓額定值為 3.0 kV rms（請(qǐng)參閱訂購(gòu)指南）。這些套件在 1.7 V - 5.5 V 之間的電源電壓（任意一端）下工作，兼容更低的電壓系統(tǒng)，支持跨隔離柵的電壓轉(zhuǎn)換功能。

與其他光耦合器不同，這些元件可以在沒有輸入邏輯轉(zhuǎn)換的情況下保證直流正確性。提供兩個(gè)不同的故障安全選項(xiàng)，在未接入輸入電源時(shí)，輸出可轉(zhuǎn)換為預(yù)定狀態(tài)。
數(shù)據(jù)表：*附件：ADuM150N ADuM151N ADuM152N可靠的3.0 kV rms五通道數(shù)字隔離器技術(shù)手冊(cè).pdf

應(yīng)用

• 通用多通道隔離
• SPI 接口/數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器隔離
• 工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)總線隔離

特性

• 高共模瞬變抗擾度：100 kV/μs
• 對(duì)輻射和傳導(dǎo)噪聲的高抗干擾能力
• 低傳播延遲
  • 13 ns（最大值，5 V）
  • 15 ns（最大值，1.8 V）
• 最大保證數(shù)據(jù)速率：150 Mbps
• 安全和法規(guī)認(rèn)證（申請(qǐng)中）
  • UL認(rèn)證：1分鐘3000 V rms，符合UL 1577
  • CSA元件驗(yàn)收通知5A
  • VDE合格證書
    • DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12
    • VIORM = 565 V峰值
  • CQC認(rèn)證符合GB4943.1-2011
• 低動(dòng)態(tài)功耗
• 1.8 V至5 V電平轉(zhuǎn)換
• 工作溫度最高可達(dá)：125°C
• 故障安全高或低選項(xiàng)
• 16引腳窄體SOIC封裝，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

功能框圖

引腳配置描述

典型性能特征

工作原理

ADuM150N/ADuM151N/ADuM152N 使用高頻載波，通過 iCoupler 芯片級(jí)變壓器線圈（由聚酰亞胺絕緣層分隔），采用開關(guān)鍵控（OOK）技術(shù)跨越隔離屏障傳輸數(shù)據(jù)。如圖 16 和圖 17 所示的差分架構(gòu)，使 ADuM150N/ADuM151N/ADuM152N 具有極低的傳播延遲和高速性能。內(nèi)部穩(wěn)壓器和輸入 / 輸出設(shè)計(jì)技術(shù)允許在 1.7V 至 5.5V 的寬輸入電壓范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)邏輯和電源電壓轉(zhuǎn)換，支持 1.8V、2.5V、3.3V 和 5V 邏輯電平。該架構(gòu)旨在實(shí)現(xiàn)高共模瞬變抗擾度，以及對(duì)電噪聲和磁干擾的高抗擾性。輻射發(fā)射通過擴(kuò)頻 OOK 載波和其他技術(shù)得以降低。

圖 16 展示了 ADuM150N/ADuM151N/ADuM152N 型號(hào)的波形，這些型號(hào)具有故障安全輸出狀態(tài)為低電平的特性。當(dāng)載波波形關(guān)閉時(shí)，如果輸入側(cè)處于關(guān)閉或不工作狀態(tài)，低電平的故障安全輸出會(huì)將輸出設(shè)置為低電平。對(duì)于 ADuM150N/ADuM151N/ADuM152N 這些具有故障安全輸出狀態(tài)為高電平的型號(hào)，圖 17 展示了相應(yīng)情況，即當(dāng)輸入側(cè)關(guān)閉或不工作時(shí)，載波波形關(guān)閉。當(dāng)輸入側(cè)關(guān)閉或不工作時(shí)，高電平的故障安全輸出狀態(tài)會(huì)將輸出設(shè)置為高電平。有關(guān)故障安全輸出狀態(tài)為低電平或高電平的型號(hào)編號(hào)，請(qǐng)參見訂購(gòu)指南。