Analog Devices LTC7892兩相升壓控制器可驅動所有N溝道同步氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET）功率級，輸出電壓高達100V。高性能雙通道升壓直流-直流開關穩壓器控制器簡化了應用設計，與硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）解決方案相比，無需保護二極管或額外外部元件。內部智能自舉開關可在死區時間停止將增強型引腳過度充電至SW引腳和高側驅動器，從而保護頂部GaN FET的柵極。LTC7892的死區時間可選擇通過外部電阻器進行優化，以實現裕度調節或定制應用，從而實現更高效率并實現高頻工作。adi LTC7892的柵極驅動電壓可在4V至5.5V范圍內精確調節，以優化性能，支持不同的GaN場效應晶體管甚至邏輯電平MOSFET。從升壓轉換器穩壓器輸出偏置時，LTC7892可在低至1V的輸入電源下工作。

數據手冊：*附件：Analog Devices Inc. LTC7892兩相升壓控制器數據手冊.pdf

特性

• GaN驅動技術針對GaN場效應晶體管進行了全面優化
• 輸出電壓高達100 V
• 寬VIN 范圍：4V至60V，啟動后工作電壓低至1V
• 無需捕獲、夾鉗或自舉二極管
• 內部智能自舉開關可防止高側驅動器電源過度充電
• 電阻器可調死區時間
• 精確的可調驅動器電壓和UVLO
• 低工作IQ ：15μA
• 分離輸出柵極驅動器，可實現可調導通和關斷驅動器強度
• 可編程頻率（100 kHz至3 MHz）
• 可同步頻率（100kHz至3MHz）
• 擴頻調頻
• 40引腳（6mmx6mm)側面可濕QFN封裝
• 符合汽車應用類AEC-Q100標準

應用

• 汽車和工業電源系統
• 軍用航空電子設備和醫療系統
• 電信電源系統

典型應用

性能圖表

相關文章

Analog Devices Inc. EVAL-LTC7892-BZ評估板數據手冊