TPS22924x 是一款小型低 R上帶受控轉數(shù)的負載開關 上。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 0.75 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作 至 3.6 V。集成電荷泵對 NMOS 開關進行偏置,以實現(xiàn)最小開關導通 電阻。該開關由開/關輸入 (ON) 控制,該輸入能夠連接 直接使用低壓控制信號。
*附件:tps22924c.pdf
添加了一個 1250 Ω 片上負載電阻器,用于在開關 關閉。該器件的上升時間由內(nèi)部控制,以避免浪涌電流。這 TPS22924B 在 V 時的上升時間為 100 μs 在 = 3.6 V,而 TPS22924C 在 V 時上升時間為 800 μs 在 = 3.6 V。
TPS22924x 采用超小型、節(jié)省空間的 6 引腳 CSP 封裝,并且 其特點是在 –40oC 至 85oC 的自由空氣溫度范圍內(nèi)運行。
特性
- 集成單負載開關
- 輸入電壓:0.75 V 至 3.6 V
- 導通電阻
- R
上V 時 = 18.3 mΩ在= 3.6 伏 - R
上V 時 = 19.6 mΩ在= 1.8 伏 - R
上V 時 = 19.4 mΩ在= 1.2 伏 - R
上V 時 = 22.7 mΩ在= 0.75 伏
- R
- 小型 CSP-6 封裝
0.9mm × 1.4mm、0.5mm 間距 - 2 A 最大連續(xù)開關電流
- 低關斷電流
- 低閾值控制輸入
- 受控轉換速率以避免浪涌電流
- 快速輸出放電晶體管
- ESD 性能測試符合 JESD 22 標準
- 5000V 人體模型
(A114-B,II 類) - 1000V 充電器件模型 (C101)
- 5000V 人體模型
參數(shù)
方框圖

1. 產(chǎn)品概述
TPS22924C 是一款小型、低導通電阻(R ON)的負載開關,適用于需要控制開通的應用場景。該設備集成了一個N通道MOSFET,可在0.75V至3.6V的輸入電壓范圍內(nèi)工作,并提供超低的導通電阻和關斷電流。
2. 主要特性
- ?超低導通電阻?:在V IN=3.6V時,R ON=18.3mΩ;在V IN=0.75V時,R ON=22.7mΩ。
- ?控制開通?:通過ON引腳控制開關狀態(tài),兼容低電壓控制信號。
- ?快速輸出放電?:集成一個1250Ω的負載電阻,用于開關關閉時的快速輸出放電。
- ?控制上升時間?:避免涌入電流,TPS22924C在V IN=3.6V時的上升時間為800μs。
- ?小型封裝?:采用6引腳CSP封裝,尺寸為1.40mm x 0.90mm,高度為0.5mm。
- ?寬工作溫度范圍?:-40°C至85°C。
3. 應用領域
4. 功能描述
- ?ON/OFF控制?:ON引腳為高電平時,開關開通;ON引腳為低電平時,開關關斷。
- ?輸出電容?:由于NMOS開關的內(nèi)部體二極管,推薦C IN大于C L,以避免V OUT在系統(tǒng)供電移除時超過V IN。
- ?輸出下拉?:當主通FET關閉時,輸出下拉功能激活,將輸出軌放電至大約10%的軌電壓,然后自動斷開以優(yōu)化關斷電流。
5. 電氣特性
- ?輸入電壓范圍?:0.75V至3.6V
- ?最大連續(xù)開關電流?:2A
- ?導通電阻?:隨輸入電壓變化,范圍在18.3mΩ至22.7mΩ之間。
- ?關斷電流?:OFF狀態(tài)下的供電電流小于3.5μA。
- ?上升/下降時間?:在V IN=3.6V時,上升時間為800μs,下降時間為2.5μs。
6. 封裝與尺寸
- ?封裝類型?:DSBGA(6)
- ?尺寸?:1.40mm x 0.90mm,高度0.5mm
7. 熱特性
- ?熱阻?:
- RθJA(結到環(huán)境):123°C/W
- RθJC(結到殼頂):17.6°C/W
- RθJB(結到板):22.8°C/W
8. 訂購信息
提供多種封裝選項,具體請參考數(shù)據(jù)手冊中的訂購信息部分。
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MOSFET
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