概述
HMC939ALP4E是一款5位數字衰減器，以1 dB步長提供31 dB的衰減控制范圍。

HMC939ALP4E在100 MHz至33 GHz的指定頻率范圍內提供較佳的插入損耗、衰減精度和輸入線性度。

HMC939ALP4E需要VDD = +5 V和VSS = ?5 V雙電源電壓供電，通過集成片內驅動器提供CMOS/TTL兼容并行控制接口。

該器件采用符合RoHS標準的緊湊型4 mm × 4 mm LFCSP封裝。
數據表：*附件：HMC939ALP4E 1.0 dB LSB GaAs MMIC 5位數字衰減器，0.1-33GHz技術手冊.pdf

應用

• 測試儀器儀表
• 微波無線電和甚小孔徑終端(VSAT)
• 軍用無線電、雷達、電子對抗(ECM)
• 寬帶電信系統

特性

• 衰減范圍：1 dB LSB步進至31 dB
• 插入損耗：典型值6 dB（33 GHz）
• 衰減精度：±0.5 dB（典型值）
• 輸入線性度
  o 0.1 dB壓縮(P0.1dB)：24 dBm（典型值）
  o 三階交調點(IP3)：40 dBm（典型值）
• 功率處理：27 dBm
• 雙電源供電：±5 V
• CMOS/TTL兼容并行控制
• 24引腳、4 mm × 4 mm LFCSP封裝

框圖

引腳配置描述

接口示意圖

典型性能特征

應用信息

評估板

HMC939ALP4E使用四層評估板。每層銅厚為0.5盎司（0.7密耳）。頂層電介質材料是10密耳厚的Rogers RO4350，可實現最佳高頻性能。中間層和底層電介質材料為FR - 4，用于提供機械強度并使電路板總厚度達到62密耳。射頻走線布置在頂層銅層，底層銅層為接地層，為射頻傳輸線提供穩固接地。

射頻傳輸線采用共面波導（CPWG）模型設計，線寬16密耳，與接地層間距13密耳，特性阻抗50Ω。為增強射頻和熱接地效果，在傳輸線周圍和器件外露焊盤下方布置盡可能多的鍍覆過孔。
圖21展示了裝有元件的HMC939ALP4E評估板俯視圖（可向亞德諾半導體索取，見訂購指南）。
評估板通過2×5引腳接頭J3接地。所有電源和數字控制引腳也連接到J3。在電源走線上放置1 nF去耦電容，以濾除高頻噪聲。
RF1和RF2端口分別通過50Ω傳輸線連接到射頻連接器J1和J2。一條直通校準線連接J4和J5，用于評估環境條件下估算印刷電路板的損耗。
圖22和表6分別展示了評估板原理圖和材料清單。