概述
ADRF5740是一款硅、4位數字衰減器，以2 dB步長提供22 dB的衰減控制范圍。

ADRF5740的工作頻率范圍為10 MHz至60 GHz，在55 GHz下提供小于3.3 dB的插入損耗和衰減精度（±0.2 + 7.0%的衰減狀態）。在所有狀態下，ADRF5740的ATTIN端口具有24 dBm（平均值）和24 dBm（峰值）的RF輸入功率處理能力。

ADRF5740需要+3.3 V和?3.3 V雙電源電壓供電。ADRF5740具有并行模式控制、CMOS和低壓晶體管對晶體管邏輯(LVTTL)兼容控制特性。

ADRF5740 RF端口設計用于匹配50 Ω的特征阻抗。ADRF5740采用符合RoHS標準的16引腳、2.5 mm × 2.5 mm、基板柵格陣列(LGA)封裝，工作溫度范圍為?40°C至+105°C。
數據表：*附件：ADRF5740 2dB LSB、4 位硅數字衰減器（100MHz至60GHz）技術手冊.pdf

應用

• 工業掃描儀
• 測試和儀器儀表
• 蜂窩基礎設施：5G 毫米波
• 軍用無線電、雷達、電子對抗(ECM)
• 微波無線電和甚小孔徑終端(VSAT)
  特性
• 超寬帶頻率范圍：10 MHz至60 GHz
• 衰減范圍：2 dB步進至22 dB
• 低插入損耗
  • 1.4 dB，最高為20 GHz
  • 2.2 dB，最高為44 GHz
  • 3.3 dB，最高為55 GHz
• 衰減精度
• ±(0.1 + 1.0%)的狀態，最高20 GHz
• ±(0.2 + 3.0%)的狀態，最高44 GHz
• ±(0.2 + 7.0%)的狀態，最高55 GHz
• 典型步進誤差
• ± 0.30 dB，最高為20 GHz
• ± 0.50 dB，最高為44 GHz
• ± 0.60 dB，最高為55 GHz
• 高輸入線性度
  • P0.1dB：25.5 dBm（典型值）
  • IP3：45 dBm（典型值）
• 高RF輸入功率處理：24 dBm平均值，24 dBm峰值
• 相對相位中的緊湊分布
• 無低頻雜散信號
• 并行模式控制，CMOS和LVTTL兼容
• RF幅度建立時間（0.1 dB最終RF輸出）：175 ns
• 符合RoHS標準的16引腳、2.5 mm × 2.5 mm、LGA封裝

框圖

引腳配置描述

接口示意圖

典型性能特征

應用信息

布局注意事項

本數據手冊中的所有測量均在ADRF5740 - EVALZ - 185評估板上進行。ADRF5740 - EVALZ - 185和ADRF5740 - EVALZ - 292的設計為ADRF5740應用的布局提供了建議。

電路板布局

ADRF5740 - EVALZ - 185和ADRF5740 - EVALZ - 292是四層評估板。外層銅（Cu）層為0.5盎司（0.7密耳），鍍覆至1.5盎司（2.2密耳），中間由電介質材料隔開。圖25展示了ADRF5740 - EVALZ - 185和ADRF5740 - EVALZ - 292的堆疊結構。

所有射頻和直流走線都布置在頂層銅層，而內層和底層為接地層，為射頻傳輸線提供穩固的接地。頂層電介質材料為12密耳的Rogers RO4003，可提供最佳的高頻性能。中間和底層電介質材料提供機械強度。電路板總厚度為62密耳，可安裝1.85 mm的射頻連接器。

射頻與數字控制

射頻傳輸線采用共面波導（CPWG）模型設計，線寬為16密耳，與接地層間距為6密耳，特性阻抗為50Ω。為實現最佳射頻和熱接地效果，應圍繞傳輸線及器件外露焊盤布置盡可能多的過孔。
射頻輸入和輸出端口（ATTIN和ATTOUT）通過50Ω傳輸線連接到1.85 mm射頻連接器。在VDD和VSS電源引線上，接有一個100 pF的旁路電容來濾除高頻噪聲。圖26展示了ADRF5740的簡化應用電路。