TPS3779-Q1 和 TPS3780-Q1 是高精度、雙通道電壓檢測(cè)器系列,具有低功耗和小尺寸解決方案的特點(diǎn)。SENSE1 和 SENSE2 輸入包括磁滯,以抑制短暫的毛刺,從而確保穩(wěn)定的輸出運(yùn)行而不會(huì)誤觸發(fā)。該器件系列提供 5% 或 10% 的不同出廠設(shè)置磁滯選項(xiàng)。
TPS3779-Q1 和 TPS3780-Q1 具有可調(diào)節(jié)的 SENSEx 輸入,可通過(guò)外部電阻分壓器進(jìn)行配置。當(dāng) SENSE1 或 SENSE2 輸入端的電壓低于下降閾值時(shí),OUT1 或 OUT2 分別被驅(qū)動(dòng)為低電平。當(dāng) SENSE1 或 SENSE2 上升到上升閾值以上時(shí),OUT1 或 OUT2 分別變?yōu)楦唠娖健?br />*附件:TPS37xx-Q1 雙通道、低功耗、高精度電壓檢測(cè)器 數(shù)據(jù)表.pdf
這些器件具有 2 μA(典型值)的極低靜態(tài)電流,為電壓檢測(cè)提供精確、節(jié)省空間的解決方案,適用于低功耗、系統(tǒng)監(jiān)控和便攜式應(yīng)用。TPS3779-Q1 和 TPS3780-Q1 的工作電壓為 1.5 V 至 5.5 V,溫度范圍為 –40°C 至 +125°C。
特性
- 適用于汽車(chē)應(yīng)用
- 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn),結(jié)果如下:
- 器件溫度等級(jí) 1:-40°C 至 125°C 環(huán)境工作溫度范圍
- 器件 HBM ESD 分類(lèi)等級(jí) H2
- 器件 CDM ESD 分類(lèi)等級(jí) C4B
- 小型封裝的雙通道探測(cè)器
- 高精度閾值和遲滯:1.0%
- 低靜態(tài)電流:2 μA(典型值)
- 可調(diào)檢測(cè)電壓低至 1.2 V
- 5% 和 10% 磁滯選項(xiàng)
- 溫度范圍:–40°C 至 +125°C
- 推挽式 (TPS3779-Q1) 和漏極開(kāi)路 (TPS3780-Q1) 輸出選項(xiàng)
- 采用 SOT-23 封裝
參數(shù)
方框圖
1. 產(chǎn)品概述
- ?類(lèi)型?:雙通道、低功耗、高精度電壓檢測(cè)器。
- ?型號(hào)?:TPS3779-Q1(推挽輸出)和TPS3780-Q1(開(kāi)漏輸出)。
- ?應(yīng)用?:適用于DSPs、微控制器、微處理器、高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、信息娛樂(lè)系統(tǒng)和電源時(shí)序應(yīng)用。
2. 主要特性
- ?雙通道檢測(cè)?:具有SENSE1和SENSE2兩個(gè)獨(dú)立的電壓檢測(cè)通道。
- ?高精度?:閾值電壓精度高達(dá)1.0%。
- ?低功耗?:靜態(tài)電流低至2 μA(典型值)。
- ?滯回特性?:提供5%和10%兩種滯回選項(xiàng),增強(qiáng)抗噪聲能力。
- ?溫度范圍?:支持-40°C至+125°C的工作溫度范圍。
- ?AEC-Q100認(rèn)證?:適用于汽車(chē)電子應(yīng)用。
3. 電氣特性
- ?供電電壓?:1.5V至5.5V。
- ?閾值電壓?:
- V_IT+(正閾值電壓):1.194V(±1%)。
- V_IT-(負(fù)閾值電壓):根據(jù)滯回選項(xiàng)不同,范圍在1.074V至1.134V(±1%)。
- ?輸出特性?:
- TPS3779-Q1:推挽輸出,高電平等于VDD。
- TPS3780-Q1:開(kāi)漏輸出,需要外部上拉電阻。
- ?低電平輸出電壓?(V_OL):在VDD≥1.5V時(shí),典型值為0.25V。
- ?高電平輸出電壓?(V_OH):在TPS3779-Q1中,V_OH≥0.8×VDD。
4. 功能描述
- ?電壓檢測(cè)?:當(dāng)SENSE1或SENSE2引腳的電壓低于負(fù)閾值(V_IT-)時(shí),相應(yīng)的輸出(OUT1或OUT2)被拉低;當(dāng)電壓高于正閾值(V_IT+)時(shí),輸出被拉高。
- ?滯回特性?:防止因電壓波動(dòng)引起的誤觸發(fā),增強(qiáng)系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
- ?手動(dòng)復(fù)位?:通過(guò)外部信號(hào)可手動(dòng)觸發(fā)復(fù)位。
5. 應(yīng)用指南
- ?電阻分壓器設(shè)計(jì)?:提供了計(jì)算電阻分壓器阻值的公式,以便設(shè)置所需的閾值電壓。
- ?上拉電阻選擇?:對(duì)于TPS3780-Q1的開(kāi)漏輸出,需要根據(jù)V_OL、漏電流和輸出負(fù)載選擇合適的上拉電阻。
- ?布局建議?:推薦將VDD解耦電容放置在靠近器件的位置,避免使用長(zhǎng)跡線。
6. 封裝與尺寸
- ?封裝類(lèi)型?:SOT-23封裝,尺寸為2.90 mm × 1.60 mm。
7. 支持資源
- ?數(shù)據(jù)手冊(cè)?:提供了詳細(xì)的技術(shù)規(guī)格、應(yīng)用指南和布局建議。
- ?評(píng)估模塊?:TPS3780EVM-154評(píng)估模塊可用于初始電路性能評(píng)估。
- ?TI E2E?支持論壇?:提供技術(shù)支持和社區(qū)幫助。
8. 注意事項(xiàng)
- ?靜電防護(hù)?:在處理和安裝過(guò)程中需采取適當(dāng)?shù)撵o電防護(hù)措施。
- ?電源管理?:確保VDD引腳電壓在指定范圍內(nèi),避免超過(guò)絕對(duì)最大額定值。
- ?溫度范圍?:確保設(shè)備在推薦的工作溫度范圍內(nèi)使用。
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BL8506超低功耗高精度電壓檢測(cè)器中文資料
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