在涉及浪涌防護時，傳統瞬態電壓抑制二極管（TVS）具有成本低廉和應用方便等特點，工程師通常會將其作為熱門選擇。然而傳統TVS存在不可忽視的缺點，從而導致系統設計面臨挑戰，例如TVS二極管的特性對溫度變化敏感、鉗位電壓特性低效以及封裝體積大,導致需要對受保護電路進行過度設計。為了產品在惡劣環境中運行維持更長的使用壽命，因此必須開發更為可靠的浪涌保護解決方案。

湖南靜芯突破浪涌控制（SurgeControl）技術，推出瞬態分流抑制器（TransientDivertingSuppressors，簡稱TDS）產品系列，用來保護電路的靜電放電ESD（Electro-Static Discharge）和電氣過壓EOS（Electrical Over Stress）。TDS與傳統TVS二極管的結構以及工作機理不同，其不再基于傳統的PN結作為擊穿機制與浪涌電流泄放路徑。TDS產品系列具有精準且恒定的觸發電壓、優異的鉗位性能、低導通電阻以及穩定的溫度特性，可為系統提供更全面和更可靠的保護，避免系統的過度設計。

由于采用IC技術，因此TDS體積小巧，其可以適應更加緊湊的封裝。TDS的2mm×2mm×0.68mm 6引腳封裝比傳統TVS二極管的SOD-123封裝縮小60%，有效降低PCB面積，并且兼顧防護性能。

圖1封裝尺寸對比	圖2帶有銅散熱片的封裝示意圖

TDS晶圓放置在緊湊的封裝中可以降低面積而又不影響熱性能。在8/20μs IEC 61000-4-5事件中，材料的熱擴散長度約為32μm。由于32μm遠小于典型硅芯片的厚度（約120μm-280μm，見圖2），因此8/20μs浪涌脈沖的熱能在硅芯片內部即可消散。因此，封裝尺寸和熱特性與非重復性8/20μs浪涌事件中的功率耗散無關。

在10/1000μs浪涌事件期間，熱擴散長度約為224μm，接近典型硅芯片的厚度。對于10/1000μs浪涌事件，熱量可以達到硅與封裝的邊界，封裝熱阻開始在浪涌性能中發揮作用。

靜芯公司推出的系列TDS芯片具有接近理想狀況的ESD和EOS保護特性，可以廣泛應用于USB/雷電接口、工業機器人、IO-Link接口、工業傳感器、IIoT設備、可編程邏輯控制器(PLC)和以太網供電(PoE)等領域，可為系統提供更全面以及更可靠的保護。目前公司推出來ESTVS2200DRVR、ESTDS2211P、ESTVS3300DRVR、ESTDS3311P等封裝型號，歡迎客戶前來咨詢選購。

湖南靜芯是一家專門從事高可靠性器件與芯片設計的高新技術企業，為客戶提供面向汽車、工業、物聯網等高可靠性傳感器及相關芯片、半導體器件和應用系統等產品和服務。

審核編輯 黃宇