概述
HMC595A和HMC595AE均為低成本SPDT開關(guān)，采用6引腳SOT26封裝，適用于在高入射功率電平下具有極低失真特性的發(fā)射/接收應(yīng)用。 該器件可控制DC至3 GHz信號，尤其適合蜂窩/3G基礎(chǔ)設(shè)施、WiMAX和WiBro應(yīng)用，典型插入損耗僅為0.3 dB。 該設(shè)計在+8 V偏置下提供3 W的功率處理能力和+63 dBm的三階交調(diào)截點。 “關(guān)斷”狀態(tài)下，RF1和RF2反射短路。 控制輸入A和B兼容CMOS和一些TTL邏輯系列。 這些產(chǎn)品在形式、裝配和功能方面可替代HMC595和HMC595E，同時提供出色的電氣性能。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC595A GaAs MMIC 3 W T R開關(guān)DC-3 GHz技術(shù)手冊.pdf

應(yīng)用

HMC595A / 595AE適用于：

• 蜂窩/3G基礎(chǔ)設(shè)施
• 專用移動無線手機(jī)
• WLAN、WiMAX和WiBro
• 汽車遠(yuǎn)程信息系統(tǒng)
• 測試設(shè)備

特性

• 低插入損耗： 0.3 dB
• 高輸入IP3： +63 dBm
• 隔離： 30 dB
• 正控制電壓： 0/+3V至0/+10V
• 小型封裝： SOT26

框圖

外形圖

典型應(yīng)用電路

備注:1。設(shè)置邏輯門并將Vdd = +3V切換至+5V，并使用HCTseries邏輯來提供TTL驅(qū)動器接口。
2 .可以通過CMOS邏輯(HC)直接驅(qū)動控制輸入A/B，將+3至+8v的Vdd施加于CMOS邏輯門。
3 .如圖所示，每個RF端口都需要DC隔直電容。電容值決定最低工作頻率。
4 . V設(shè)置為+10V時可實現(xiàn)最高RF信號功率。該開關(guān)將在低至+3V的偏置電壓下正常工作(但是在較低的RF功率能力下)。

評估電路板