TPS7A37 系列線性低壓降 (LDO) 穩壓器在一個電壓隨耦器配置中使用一個 N 溝道金屬氧化物半導體 (NMOS) 導通元件。 該拓撲結構對輸出電容值和等效串聯電阻 (ESR) 的敏感度相對較低，從而實現多種負載配置。 負載瞬態響應出色，即使與 1μF 小型陶瓷輸出電容搭配工作時也是如此。 NMOS 拓撲結構也可實現極低壓降。
*附件：TPS7A37 具有反向電流保護功能的1%高精度、1A低壓降穩壓器.pdf

TPS7A37 系列使用一個先進的雙極互補金屬氧化物半導體 (BiCMOS) 工藝，可在傳送極低壓降電壓和低接地引腳電流的同時產生高精度。 未使能狀態下的電流消耗小于 20nA，非常適合便攜式 應用。 這些器件受到熱關斷和折返電流限制的保護。

特性

• 與 1μF 或更大的陶瓷輸出電容搭配工作時保持穩定
• 輸入電壓范圍：2.2V 至 5.5V
• 超低壓降電壓：
  • 1A 時的最大電壓為 200mV
• 出色的負載瞬態響應 - 即使與僅為 1μF 的輸出電容搭配使用也依舊出色
• NMOS 拓撲結構可提供低反向泄漏電流
• 出色的精度：
  • 0.23% 標稱準確度
  • 整個線路、負載和溫度范圍內的總精度為 1%
• 關斷模式下的 IQ 典型值小于 20nA
• 用于故障保護的熱關斷和電流限制

參數

方框圖

一、產品概述

TPS7A37是一款具有反向電流保護功能的1%高精度、1A低壓降（LDO）穩壓器。它采用NMOS拓撲結構，適用于便攜式設備、數字信號處理器（DSP）、現場可編程門陣列（FPGA）等需要高精度、低反向泄漏電流和超低壓差的應用。

二、主要特性

• ?高精度?：整個線路、負載和溫度范圍內的總精度為1%，標稱準確度為0.23%。
• ?超低壓差?：1A負載下的最大壓差電壓為200mV。
• ?反向電流保護?：NMOS拓撲結構提供低反向泄漏電流，保護電路免受反向電流損害。
• ?快速瞬態響應?：即使與僅為1μF的小型陶瓷輸出電容搭配使用，也能實現出色的負載瞬態響應。
• ?低功耗?：關斷模式下的靜態電流典型值小于20nA，適合便攜式應用。
• ?熱關斷和電流限制?：提供熱關斷和折返電流限制保護，防止器件在過載或短路條件下損壞。

三、電氣特性

• ?輸入電壓范圍?：2.2V至5.5V。
• ?輸出電壓范圍?：固定電壓版本包括1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、2.8V、3.0V、3.3V等多種選擇；可調電壓版本輸出范圍更靈活。
• ?輸出電流?：最大1A。
• ?壓差電壓?：1A負載下典型值為200mV。
• ?靜態電流?：關斷模式下典型值為20nA。
• ?熱關斷溫度?：約160°C。

四、功能描述

• ?內部電流限制?：提供內部電流限制功能，保護器件在過載或短路條件下不受損壞。折返電流限制在輸出短路時進一步減少電流，防止器件過熱。
• ? 使能引腳（EN） ?：EN引腳用于控制穩壓器的開啟和關閉。當EN引腳電平低于0.5V時，穩壓器進入關斷模式，靜態電流降至約20nA。
• ?反向電流保護?：NMOS導通元件的拓撲結構使得TPS7A37具有固有的反向電流保護能力。當輸入電壓降至低于輸出電壓時，可防止電流從輸出流向輸入。

五、應用信息

• ?電容選擇?：建議在輸入端連接一個0.1μF至1μF的低ESR陶瓷電容，以改善瞬態響應、噪聲抑制和紋波抑制。輸出端需要至少1μF的陶瓷電容以確保穩定性。
• ?布局建議?：為了優化性能，應將輸入和輸出電容盡可能靠近穩壓器放置，并使用短而寬的走線連接電容和穩壓器引腳。同時，應避免使用長走線和過孔，以減少寄生電感和電容。
• ?散熱設計?：根據功率耗散和封裝類型，合理設計PCB布局以確保器件的工作結溫不超過最大允許值（125°C）。對于高功率應用，可能需要使用散熱片或風扇等附加散熱措施。

六、封裝與尺寸

• 提供WSON-6封裝選項，封裝尺寸為2.00mm x 2.00mm。
• 具體封裝尺寸和引腳布局詳見數據表中的封裝尺寸圖。