文章來源：Tom聊芯片智造

原文作者：芯片智造

本文介紹了Cu-Cu混合鍵合主要用在哪方面以及原理是什么。

什么是Cu-Cu混合鍵合？

Cu-Cu混合鍵合英文名為Cu-Cu Hybrid Bonding。

傳統的錫球倒裝鍵合通常需要金屬熔化又凝固的過程，但銅一銅混合鍵合采用固態接合，在高溫下，銅金屬的原子在固態下發生擴散，形成牢固的連接，避免了金屬熔化帶來的“bridging”問題，確保接合的可靠性。

Cu-Cu混合鍵合原理

1，選擇兩片均含有SiO?介質和銅觸點的晶圓，銅觸點通常略低于SiO?的厚度。通常會使用等離子體來清潔表面，增強材料之間的粘附力。

2，處理后的兩片晶圓將在室溫下進行對位接合。由于氧化硅之間的范德華力的作用，兩片晶圓已經形成了一定的接合強度。這種接合力雖不高，但足夠讓兩片晶圓保持初步接觸。

3，接合后的晶圓在100℃下加熱，形成了較強的共價鍵，共價鍵的形成使得氧化硅接合面之間的結合更加牢固。

4，接下來，溫度升高至300℃至400℃，由于銅的熱膨脹系數大于SiO?，銅的體積會劇烈膨脹，最終使兩片晶圓上位置低于氧化硅的銅相互接觸，并在高溫下擴散進入對方，從而實現銅與銅之間的鍵合。

Cu-Cu混合鍵合問題的來源

晶圓的平坦化不足，晶圓表面未清洗干凈有粒子殘留，對齊誤差，Cu金屬界面有孔洞等。

wafer to wafer Cu-Cu混合鍵合用在哪些芯片產品上？

可以用在CIS、3D NAND等產品上。