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KEY按鍵靜電保護方案

音視頻接口IC ? 來源:嵌入式集成電路IC ? 作者:嵌入式集成電路 ? 2025-02-25 16:24 ? 次閱讀
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方案簡介

KEY按鍵是電子設備中常見的輸入設備之一,其原理簡單,常見于許多應用,包括手機、汽車和人機界面 (HMD)。KEY按鍵通常由按鍵帽、彈簧、觸點等部分組成。當按鍵被按下時,按鍵帽推動彈簧使觸點閉合,從而改變電路中的電平狀態(通常是從高電平變為低電平),這個電平變化被微控制器其他電路檢測并轉換為相應的操作指令。

KEY按鍵的應用場景具備大面積接觸區域,為 ESD 進入系統提供低阻抗路徑,面臨著靜電放電(ESD)的潛在威脅。由于按鈕在人機交互中的核心作用,集成ESD保護二極管于系統中顯得尤為重要,能有效避免下游電路受瞬態電壓的侵害。為確保系統整體對ESD沖擊的抵御能力,在挑選適宜的ESD保護二極管時,必須細致考量按鈕接口的獨特屬性與需求。

KEY ESD保護要求

在為KEY按鍵選擇ESD保護器件時我們需要考慮如下要求:

工作電壓

保護二極管的反向工作電壓 (VRWM)必須大于受保護系統的工作電壓。

極性

可以使用一個單向或雙向二極管來保護系統。當線路上只有正電壓時,建議使用單向二極管。單向二極管還會鉗位在較低電壓以應對負 ESD 沖擊,當應用對負電壓沖擊的耐受性較低時,這是一項優勢。當存在正電壓或負電壓時,建議使用雙向二極管。

鉗位電壓

可能有許多不同的系統在使用一個按鈕或鍵盤。這導致 ESD 二極管的鉗位電壓取決于按鈕的下游電路。

電容

按鈕通常位于低速和低電壓的數據線上,信號速度較低,因此在選擇 ESD 保護器件時,推薦使用常規電容的器件。

IEC 61000-4-2 等級

IEC 61000-4-2 測試標準定義了實際的 ESD 沖擊。該標準包含兩項測量:接觸放電和空氣間隙放電。接觸和空氣間隙等級越高,器件能夠承受的電壓就越高。對于按鈕、鍵盤和側鍵,建議觸點采用最低 IEC61000-4-2 等級,即 8kV。由于空氣間隙放電是按鈕上更為突出的 ESD 形式,因此建議使用 15kV 或更高的 IEC 61000-4-2 等級。

應用示例

wKgZO2e9fiiAUlDaAABUOb2RRTg820.png

我們為KEY按鍵推薦了三款常規電容ESD防護器件,型號分別為SENC5D5V1BA、SENC2F5V1BA和SENC2X5V1BA。三款器件都為單通道雙向保護器件,一個ESD器件可以對單條線路進行靜電防護。客戶可根據線路情況進行選擇。

SENC5D5V1BA的工作電壓為5V,鉗位電壓為8.5V,結電容為15pF,SOD-523封裝,符合IEC 61000-4-2 (ESD) Level 4 規范,在 ±25kV(空氣)和 ±25kV(接觸)下提供瞬變保護。

SENC2F5V1BA的工作電壓為5V,鉗位電壓為10V,結電容為10pF,DFN1006-2L封裝,符合IEC 61000-4-2 (ESD) Level 4 規范,在 ±30kV(空氣)和 ±30kV(接觸)下提供瞬變保護。

SENC2X5V1BA的工作電壓為5V,鉗位電壓為10V,結電容為12pF,DNF0603-2L封裝,符合IEC 61000-4-2 (ESD) Level 4 規范,在 ±25kV(空氣)和 ±25kV(接觸)下提供瞬變保護。

型號參數

規格型號 方向 工作電壓(V) IPP(A) 鉗位電壓(V) 結電容(pF) 封裝
SENC5D5V1BA Bi 5 8 8.5 15 SOD-523
SENC2F5V1BA Bi 5 6 10 10 DFN1006-2L
SENC2X5V1BA Bi 5 10 10 12 DNF0603-2L

電氣特性表

At TA = 25℃ unless otherwise noted

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM 5.0 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 5.8 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5V 1.0 uA
Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us 7.0 8.0 V
Clamping Voltage VC IPP=8A; tp=8/20us 8.5 10.0 V
Junction Capacitance CJ I/O to I/O; VR=0V; f=1MHz 15 20 pF

表1 SENC5D5V1BA電氣特性表

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM 5.0 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 5.6 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5V 1.0 uA
Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us 8.0 10.0 V
Clamping Voltage VC IPP=6A; tp=8/20us 10.0 12.0 V
Junction Capacitance CJ I/O to GND; VR=0V; f=1MHz 10 15 pF

表2 SENC2F5V1BA電氣特性表

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM 5.0 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 5.6 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5V 1.0 uA
Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us 8.0 10.0 V
Clamping Voltage VC IPP=10A; tp=8/20us 10.0 12.0 V
Junction Capacitance CJ I/O to GND; VR=0V; f=1MHz 12 20 pF

表3 SENC2X5V1BA電氣特性表

總結與結論

KEY按鍵在生活和生產中應用廣泛,其靜電保護能力也對后續電路的穩定性十分重要。ELECSUPER SEMI研發各種低電容低鉗位電壓的ESD和TVS保護器件,可按照客戶需求性能與封裝提供定制化開發服務,為各種接口及通信線路提供值得信賴的保護器件。以上解決方案是保護KEY按鍵電路的優選之策,確保電路系統的有序與穩定。

審核編輯 黃宇

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