?????ALE，英文名Atomic Layer Etching，中文名原子層刻蝕。是和ALD相對的，均是自限性反應，一個是沉積一個是刻蝕。ALD是每個循環只沉積一層原子，ALE是每個循環只刻蝕一層原子。

ALE的刻蝕原理?

如上圖，是用Cl2刻蝕Si的ALE反應示意圖。

第一步：向工藝腔中通入刻蝕氣體Cl2，Cl2吸附在目標材料Si上并與之發生反應，生成SiClx，不過這個反應是自限性反應，即只吸附一層分子后化學反應即停止。反應方程式為：

Si+Cl2==》SiClx

第二步：將腔室中多余的未反應氣體清除，以確保下一步離子轟擊時不會發生額外的化學反應。

第三步：使用低能量的氬離子定向轟擊，物理去除該反應產物 SiCl?，從而暴露出新的一層目標材料。離子能量需要被精確控制，使其僅去除反應層而不會攻擊下方未化學吸附的基底材料。

第四步：在完成低能Ar離子轟擊后，反應的副產物會變成揮發性產物，需要通過真空泵系統排出反應腔室。?

通過不斷地重復該循環，最終達到精確刻蝕的目的。