快速發展與創新實力

在2024全國第三代半導體產業發展大會上,江西薩瑞微電子科技有限公司榮獲"2024全國第三代半導體制造最佳新銳企業"稱號。這一榮譽不僅是對公司技術創新和產業化成果的肯定,更彰顯了薩瑞微在第三代半導體領域的領先地位。

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大會現場

大會匯聚了來自全國各地的半導體行業專家、學者和企業代表,共同探討第三代半導體產業發展趨勢和技術創新。作為行業新銳力量,薩瑞微總監應邀出席并作了題為《碳化硅MOSFET開發及展望》的主題演講,分享了公司在碳化硅功率器件研發和產業化方面的經驗與成果。

江西薩瑞微電子總監在大會上介紹了碳化硅MOSFET開發及展望。

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關于碳化硅MOSFET

演講中,薩瑞微總監深入淺出地介紹了碳化硅MOSFET的技術特點、應用優勢以及未來發展方向。他指出,碳化硅作為第三代半導體材料,在高溫、高頻、高壓等極端環境下具有優異的性能,在新能源汽車、光伏逆變器、5G基站等領域有著廣闊的應用前景。薩瑞微憑借自主研發的碳化硅MOSFET制造工藝,已實現多款產品的量產,并在多個應用領域取得突破。

碳化硅MOSFET的顯著優勢還在于能夠大幅降低能量損耗和功率密度，其體積比同等規格的硅基MOSFET更小，功率模塊因此更為小型化和輕量化。

碳化硅材料特性

薩瑞微SIC Device概述及特點：

薩瑞微提供650V-1200V SIC SBD和Planar SIC MOSFET 。

碳化硅材料寬禁帶特性使SIC MOSFET可以承受極端高溫工作環境，高熱導率特性減少功率器件散熱裝置體積和數量，高擊穿場強使SIC MOSFET在保證耐壓條件下有更小導通電阻，高飽和速度使SIC MOSFET具有更高開關頻率和更優異的反向恢復特性。

主要應用：

應用于光伏逆變器、新能源汽車、儲能、充電樁等。

伴隨全球向電動化、低碳化轉型需求增加，SiC MOSFET的應用前景將進一步擴大，尤其在新能源和高功率需求場景下，碳化硅技術將帶動產業鏈上游從單晶襯底、外延片到功率器件等環節的整體發展。

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攜手共進,共創美好未來

未來,薩瑞微將繼續加大研發投入,推動碳化硅功率器件的技術創新和產業化進程,為中國第三代半導體產業的發展貢獻力量。同時,公司將積極與產業鏈上下游企業合作,共同推動碳化硅器件在各個領域的應用,助力中國新能源和電力電子產業的快速發展。

此次榮獲"最佳新銳企業"稱號,是對薩瑞微過去努力的肯定,更是對未來發展的鞭策。我們將以此為新的起點,不斷創新,為客戶提供更優質的產品和服務,為第三代半導體產業的發展做出更大貢獻!

最后,再次感謝組委會的認可和支持,感謝所有合作伙伴和客戶的信任。讓我們攜手共進,共創第三代半導體的美好未來!