eXcelon ? 和eXcelon ? 3 技術是一種傳感器工藝，可從根本上提高背照式CCD 和EMCCD 探測器在寬光譜范圍內的靈敏度。這兩種技術都顯著減少了標準具效應(由設備背面薄化硅中的相長和相消性推理引起的條紋出現問題)，同時在 750 – 1100 nm 范圍 (NIR) 范圍內成像。

主要特點

增強靈敏度

eXcelon 技術比標準薄型背照式 CCD 在更寬的波長范圍內提高了靈敏度。通過提高 500 nm 以下和 625 nm 以上的靈敏度，eXcelon 能夠獲得 15-20% 的最大量子效率提升。

減少標準具和暗電流

eXcelon 技術減少了 NIR 波長范圍內薄型背照式 CCD 傳感器上存在的標準具。

此外，采用 eXcelon 技術的薄型背照式 CCD 傳感器能夠提供比深耗盡型背照式傳感器更低水平的暗電流，同時在較低波長下保持高量子效率。

eXcelon3

eXcelon3 為 EMCCD 探測器開發。傳統的背照式 EMCCD 具有單光子靈敏度，但它們在紫外和近紅外區域缺乏高 QE，并且在近紅外區域存在標準具效應。

eXcelon3 克服了這兩個限制，將 UV 區域的 QE 提高了 3 倍，將 NIR 區域的 QE 提高了 1.3 倍。

它還可以將標準具降低高達 70%，峰峰值條紋幅度低于 10%。

審核編輯 黃宇