法國格勒諾布爾的一家半導體知識產權創業公司發布了為以電池供電的物聯網（IoT）和可穿戴設備為目標市場的基于磁阻RAM（MRAM）的微控制器。

這家名為eVaderis的新創公司提供與CMOS兼容的基于非易失性存儲器的IP產品，例如存儲器模塊，邏輯單元以及存儲器和處理器子系統。該公司表示，該公司已成功展示了Beyond Semiconductor BA2x產品線中一款超低功耗MCU的全功能設計平臺，包括軟件，系統和存儲器IP。

eVaderis公司副總裁兼技術與市場部門負責人Virgile Javerliac在接受EETimes采訪時表示，這次流片式演示將展示eVaderis公司“在低功耗數字設備上的非易失性嵌入式IP設計和工藝流程的效益”。

“我們不是在開發MRAM技術本身，而是在開發基于MRAM技術的架構，”他說。

而MRAM生態系統中的其他人則提供“基于MRAM的自定義或模擬宏”，而JaVaLiIs則表示，eVaderis采取了“提供IP和MRAM編譯器的數字方法”。該公司與GlobalFoundries建立了知識產權合作關系，計劃將半導體制造商的基礎知識產權授權給40納米以下的芯片。

Beyond半導體公司首席執行官Matjaz Breskvar指出，該演示的目標是功耗，這對任何電池供電設備來說仍是一個關鍵的挑戰。“自該公司成立以來，我們一直與eVaderis合作，共同實現電池供電，永遠在線的設備，實現前所未有的節能效果。”

該公司表示，MCU采用了研發機構IMEC的垂直自旋轉矩MRAM技術，實現了高速讀/寫和低電壓的非易失性操作。該器件采用GlobalFoundries的40納米低功耗CMOS工藝進行設計。

該架構提供3 Mbits的片上存儲器，完全分布在系統中，用于工作存儲器、配置、狀態保持、代碼執行和數據存儲等功能。根據eVaderis，初創公司的內存IP架構對編譯器友好，可幫助芯片制造商縮短上市時間。

由于MRAM使用磁性電荷來存儲數據，所以當電源關閉時，它將保留數據，并且只需要少量的電力即可存儲數據位。相比之下，SRAM和DRAM使用電荷來存儲數據。由于MRAM使用磁場而不是電路來寫入和存儲數據，因此MRAM還需要比其他存儲器存儲系統更少的功率。

eVaderis嵌入式MRAM技術因此允許MCU在系統和軟件級別實現功耗，性能和功能增益，包括節能，非易失性檢查點設置或常開/瞬時開啟操作，具有接近零延遲的啟動，根據公司。

意法半導體（STMicroelectronics）的工程師和法國的替代能源和原子能委員會CEA于2014年成立了eVaderis。去年加入GlobalFoundries FDXcelerator合作伙伴計劃，提供與GlobalFoundries的22FDX技術兼容的可擴展的先進存儲器IP。