本文簡(jiǎn)單介紹晶體及晶振的概念性東西，同時(shí)分別對(duì)石英晶振與MEMS硅晶振的工藝做了簡(jiǎn)單描述，以及參數(shù)比較。

一、晶體與晶振的區(qū)別。

晶體與晶振的叫法在國(guó)內(nèi)比較亂，很多人會(huì)把晶體與晶振統(tǒng)稱晶振。一般來(lái)講，晶體是指無(wú)源晶振，英文名：Crystal。需要串接電容才可起振。晶振一般也叫有源晶振，英文名：Oscillctor。無(wú)需串接電容，上電就可以有時(shí)鐘輸出。

二、石英晶振的生產(chǎn)工藝。

石英晶振要經(jīng)過(guò)切割、打磨、鍍銀、點(diǎn)膠、氮?dú)馓畛涞葞资拦ば颉?huì)存在以下問(wèn)題風(fēng)險(xiǎn)：

1、 易碎：因?yàn)榫珳?zhǔn)度的需要，石英晶片需要打磨的非常薄。所以在運(yùn)輸過(guò)程中是非常容易碎掉的。

2、 品質(zhì)不一致：除易碎的情況外，過(guò)高的溫度(如：焊接)會(huì)容易導(dǎo)致點(diǎn)膠的松動(dòng)，造成壞品。

3、 漏氣：因?yàn)槭⒕д竦木扰c鍍銀有很直接的關(guān)系，所以金屬殼的密封不好的話，很容易漏氣被氧化掉，導(dǎo)致出現(xiàn)比較大的頻率偏差。

所以石英晶振的DPPM在200-300之間。(DPPM是defective parts per million的縮寫.是指百萬(wàn)分比的缺陷率。生產(chǎn)品質(zhì)術(shù)語(yǔ))

三、MEMS硅晶振的生產(chǎn)工藝。

MEMS硅晶振采用的是標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體工藝制程，Die與封裝都是全自動(dòng)化流程。從本質(zhì)上解決了石英晶振的所有風(fēng)險(xiǎn)：

1、 高抗震性：50000G抗震性，石頭上摔、用力踩、鉗子夾是都不會(huì)有問(wèn)題的。

2、 高品質(zhì)一致性：DPPM為0.15，也就是說(shuō)一百萬(wàn)片里面有0.15片的缺陷率。

3、 高精度：普通芯片里面都帶有溫度補(bǔ)償電路，全溫精度保證。

Sitime MEMS 硅晶振可100%兼容石英晶振，無(wú)需任何電路更改，可直接替代。