為了消除因頻率調制而造成的不足， Ivo Barbi在上世紀90年代提出了ZCS-PWM 和ZVS-PWM 變換器。ZVS-PWM 和ZCS-PWM 變換器是PWM1性能(1) 體積?成本?消耗功率本文對軟開關、同步整流、移相PWM 技術、多電平技術的發展和現狀進行了綜述，并展望了直流變換器的未來的發展趨勢。2 軟開關技術電路與QRCs 的結合，在基本的ZVS 和ZCS 中增加了一個輔助開關。這個輔助開關一方面以通過諧振為主功率開關管創造零電壓或零電流開關的條件，一方面可以阻斷諧振過程，在這段時間中讓主功率開關管按PWM 方式工作。因此，ZCS-PWM 和ZVS-PWM 變換器既有軟開關的特點，又有PWM 恒頻占空比調節的特點[7]。但上述各種軟開關變換器均存在以下不足：開關管的電流或電壓應力大，造成電路損耗的增加，部分抵消了開關損耗的降低；諧振電感和電容由于應力增大而造成體積的增大；由于諧振電感串聯在主功率回路中存在很大環流而增加電路的整體損耗，且軟開關的工作條件極大地依賴于輸入電壓和輸出負載的變化，電路很難在一個很寬的范圍內實現軟開關動作。為了解決以上問題，G. C. Hua在上世紀90年代相繼提出了零電壓轉換(ZVT)和零電流轉換(ZCT)的概念[8-9]。

基本思想是將輔助諧振網絡從主功率通路中移開，與主功率開關管相并聯。在主功率器件變換的一段很短的時間間隔內，使輔助諧振網絡工作，為主功率開關管創造ZVS 或ZCS 條件；轉換過程結束后，電路返回常規PWM 工作方式，這樣環流能量相對于諧振電路保持在較小的數值，且軟開關條件與輸入電壓和輸出負載的變化無關。現在諧振技術還只適合于開關器件較少的變換器，其中ZVS 和ZCS 廣泛應用于中功率變換，零轉換技術適宜于大功率(大于100kW) 電能變換/逆變場合。在新型軟開關拓撲中，文獻[10]提出了一種新穎的ZVZCT PWM變換器，如圖1所示。該軟開關單元包括諧振電容C r1、C r2，諧振電感L r, 輔助開關管Sa 和輔助二極管Ds ，Dsa 和D 1。該電路采用PWM 控制，不僅能實現主開關管的零電壓和零電流開關，并且能實現輔助開關管的零電流導通和零電壓零電流關斷，同時能實現副邊續流二極管的零電流零電壓關斷和零電壓導通。但電路略顯復雜，且主開關管瞬時電流峰值較高，二極管D 的開通電流有較大幅度振蕩。值得注意的是，軟開關變換器的性能依賴于所用的功率開關器件，如MOSFET 有高的開關速度和較大的寄生電容，容易產生開通損耗，因此易采用零電壓開通方式；IGBT 由于關斷時的電流拖尾會產生較大的關斷損耗，易采用零電流關斷方式。不同器件的動態性能不同，同一個電路因使用不同的開關器件性能會有所不同，同一個器件應用于不同的拓撲性能也將有很大不同，在選擇軟開關拓撲時要綜合考慮各種因素。另外，任何軟開關技術都有其不足之處，軟開關技術控制復雜，很多時候并達不到預計的效果，目前還只是集中應用在較小功率電源中。

(a) ZVZCT基本開關單元 (b) ZVZCT Buck原理圖圖1 一種新型的ZVZCT PWM變換器 Fig 1. A new ZVZCT PWM converter3 同步整流隨著通信和計算機等IT 產品功能不斷加強，所含元件及功耗驟增，只能降低其工作電壓，采用低壓大電流的功率變換器。到2005年，PC 機電源已降至1.2～0.9 V ，2010年有望降至1.0～0.6V 。在輸出低電壓和大電流的情況下，普通二極管顯然已經不能滿足高效和高功率密度的要求。雖然肖特基二極管(SBD)的正向壓降可以降到0.3V 以下，但對于5V 以下的低電壓大電流DC-DC 變換器，仍是損耗的主要來源之一。用低壓功率MOSFET 工作在第三象限構成的整流電路因為MOSFET 的導通電阻小、通態壓降低，反向電流小，可以大大降低電路損耗。因為MOSFET 的門極控制電壓 要求與漏源極電壓同步，因此稱為同步整流。目前可用于同步整流的功率MOSFET 的最低導通電阻為3-4.5mΩ，如果輸出電流為10A ，其正向導通壓降僅為0.33～0.045V ；如果輸出電流為50A ，其正向導通壓降僅為0.15～0.225V ，從而可以滿足低電壓大電流功率變換器的高效率的需要。同步整流技術誕生于上世紀80年代，多用于Buck 族有隔離變換器的各種拓撲[11-12]。

圖2為同步整流正激變換器，Q 2為整流管，Q 3為續流管。當變壓器原邊主開關管Q 1導通時，副邊電流流過Q 2的體二極管，使V gs3=0，Q 3截止，V gs3=V2，Q 2導通；反之，當主開關管Q 1截止時，Q 2截止，Q 3續流。由于功率MOSFET 的寄生電容與開關電容損耗并存，特別是在高頻時，門極驅動損耗可能較大，現在的同步整流技術都在努力實現ZVS 、ZCS 方式2的同步整流，并將有源箝位技術與之結合，進一步降低了MOSFET 的開關損耗，近年來取得了重大進步，主要有以下幾個方面[13]：(1)開發出適用于對稱拓撲(推挽、半橋和全橋) 的ZVS 、ZCS 同步整流電路，將最高效率提高到了95％；(2)將數字技術結合到同步整流技術中。采取檢測同步MOSFET 管的開關狀態，經過DSP 運算，得到下一開關周期實現ZVS 的最佳開關時間，突破性地做出了正激ZVS 同步整流電路；(3)使用復合拓撲使同步整流效率更佳。

4 移相PWM 技術

移相PWM 控制技術是近幾年廣泛應用于中大功率全橋變換電路中的一種技術，這種技術實際上是諧振技術與PWM 技術的結合，其基本拓撲見圖

3。移相PWM 常用的控制方式有雙極性控制方式、移相控制方式、有限雙極性控制方式。其中移相控制方式的基本原理是：同一橋臂的開關管互補工作，兩個橋臂間的導通差一個相位（移相角），通過調節移相角的大小來調節輸出電壓的脈沖寬度，從而調節輸出電壓的大小，利用開關管的結電容和變壓器的漏感實現四個開關管的零電壓導通和關斷。其主要缺點為：滯后臂開關管在輕載下將失去零電壓開關功能；原邊有較大環流，增加了系統的通態損耗；存在占空比丟失現象；整流二極管仍然是硬開關。

圖3 基本移相FB-ZVS-PWM 變換器 Fig3. The basic shift-phase FB-ZVS-PWM converters

常用的改進方法是：(1)在變壓器初級串聯飽和電感。減小占空比丟失；(2)利用變壓器的勵磁電感擴大零電壓開關負載的變化范圍；(3)利用輸出濾波電感擴大零電壓開關的負載范圍；(4)在整流管輸出端并聯有源鉗位抑制整流管電壓過沖和振蕩現象。但以上方法要么以增加一個大的諧振電感為代價，要么存在占空比丟失的現象，要么二次側的同步整流控制復雜等，都有各自的不足。其中移相控制全橋ZVZCS PWM變換器將ZVS 和ZCS 同時引入到全橋PWM 電路中，是中大功率應用中的首選拓撲。在變壓器初級串聯隔直電容及飽和電感作為反向阻斷電壓源, 來復位初級電流。具有效率高，功率

開關器件電壓和電流應力較小，可以在輸入電壓和輸出負載變換較寬的范圍內實現軟開關，功率變壓器利用率高等明顯的優點，將其應用于通信電源，效率可達到93％以上[14]。

5 多電平技術

多電平電路泛指輸出量具有多個電平的電路，在高壓大功率領域，多電平比傳統的兩電平電路有很多優勢。例如三相PFC 整流電路的輸出電壓為700～800V ，有的甚至高達1000V ，因此功率管(MOSFET)的電壓應力較高，造成MOSFET 因導通內阻劇增使電流容量降低，采用多電平技術可有效降低開關管的電壓應力。多電平電路設計的初衷是采用多個電平拼接成輸出電壓，從而有效降低輸出波形中的諧波含量，減小輸出無源濾波器的體積和重量，提高系統的動態性能，最早應用于具有中點箝位結構的電壓源逆變電路(NPC-INC)。1980年，A.Narbal 出了三電平直流變換器[15]，該變換器實質就是中點鉗位逆變器(NPC-INV)的一個橋臂。1992年，Pinheiro 和Barbi 提出了零電壓開關三電平直流變換器[16]，將軟開關引入了三電平直流變換拓撲中。該電路最大優點是開關管的電壓應力僅為輸入直流電壓的一半，非常適合于輸入電壓高、輸出功率大的應用場合。利用變壓器輸出電感和漏感與開關管的結電容，外開關管很容易實現ZVS ，依靠變壓器漏感實現ZVS 的內管，在輕載ZVS 就可能失效。

近幾年，各種三電平軟開關電路拓撲結構相繼提出。F. Canales提出了零電壓零電流開關(ZVZCS)三電平直流變換器[17]，如圖4所示。該變換器采用相移控制，在主端通過一個飛跨電容使外管獲得ZVS ，采用一個副邊的輔助開關電路實現內管的ZCS 。克服了ZVS 三電平變換器高環流能量、整流二極管的寄生振蕩和軟開關條件與負載及輸入有關的缺點，開關管電壓應力僅為輸入電壓的一半，但不足之處使結構略顯復雜。文獻[18]提出了9種三電平直流變換器的控制方式，引入了超前管和滯后管的概念，由此將軟開關PWM 三電平直流變換器歸納為ZVS 和ZVZCS 兩類。文獻[19]分析了半橋三電平和全橋三電平Buck 直流變換器的演化過程，并系統總結了六種非隔離和五種隔離型三電平直流變換器拓撲。文獻[20]提出了一種新型的ZVS 三電平變換器，在原邊增加一個耦合電感獲得主開關在大負載范圍內的零電壓導通和關斷，同時由于諧振電感不是串聯在負載電流回路中，不會引起過低的占空比和整流電路的電壓振蕩。

圖4. 移相控制ZVZCS 三電平變換器 Fig 4. The ZVZCS Three-Level converte目前，DC-DC 變換器的多電平技術仍處于研究階段，由于多電平電路開關管數目多，工作模態復雜，統一建模有一定的困難。如何降低多電平電路的復雜程度，得到簡單高效的變換器拓撲，找出有效的多電平技術建模方法和控制策略是多電平電路用于中低功率變換急需解決的問題。6 結束語半導體器件是電力電子技術發展的主要推動力，DC-DC 變換器今后的發展總的方向是高功率密度、高效率、高性能、高可靠性。一般來說，(1)在低功率變換器中，采用軟開關技術減小功率管的應力，增加開關頻率，提高轉換效率，從而縮小整機體積，低電壓輸出時可采用同步整流技術提高轉換效率；(2)在高功率變換器中，盡量簡化電路拓撲，舍去諸如附加的諧振電路，采用高性能硬開關減少電路的復雜度從而降 低成本。

隨著新型半導體功率器件、平面磁性元件、超高容量電容、高容量可充電電池等商品化技術日趨成熟，軟開關技術、計算機輔助設計(CAD)技術與高功率密度混合封裝技術將逐漸應用于新一代直流變換器的設計。混合封裝技術是解決EMI ，發熱管理和高電壓絕緣等問題的有效措施。目前低壓電容器技術、無源元件的封裝是重要問題，集成磁元件嵌入到印刷電路板已通過驗證, 但封裝過程中電容器的集成問題還暫未解決。直流變換同電力電子技術一樣存在元件、電路和系統三個級別。但在近二十年的發展中，變換器電路和拓撲已經受到了過多的關注，已經走到了成熟期，除了在高功率領域外顯現出停滯的現象[21]。如何將直流變換技術提高到一個系統的級別上來，是今后需解決的核心技術。未來變換器應朝綜合、系統的方向發展，特別是整合功率IC 、模擬IC 和數字IC 的功率集成器件(PID)將具有很好的發展前景。