国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

搜索歷史

清空
搜索熱詞
      0
      • 聊天消息
      • 系統(tǒng)消息
      • 評論與回復(fù)
      VIP于 到期 續(xù)費
      登錄后你可以
      • 下載海量資料
      • 學(xué)習(xí)在線課程
      • 觀看技術(shù)視頻
      • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
      會員中心
      創(chuàng)作中心
      發(fā)布
      創(chuàng)作活動

      完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>

      3天內(nèi)不再提示

      簡化的MOSFET等效電路，看Rds和Rg電阻損耗

      貿(mào)澤電子設(shè)計圈 ? 來源：互聯(lián)網(wǎng) ? 作者：佚名 ? 2017-10-31 15:43 ? 次閱讀
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

      簡化的MOSFET等效電路

      MOSFET開通（turn on）過程

      MOSFET損耗——Rds和Rg電阻損耗

      Diode損耗——肖特基不計反向恢復(fù)損耗

      L/C損耗

      IC損耗

      小結(jié)

      綜合上述分析可知，影響效率的因素主要有Rds（on），開關(guān)頻率，有效值電流。

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
      • MOSFET
        +關(guān)注

        關(guān)注

        151

        文章

        9674

        瀏覽量

        233529
      • 電阻損耗
        +關(guān)注

        關(guān)注

        0

        文章

        2

        瀏覽量

        2111

      原文標(biāo)題：影響B(tài)UCK電源效率的關(guān)鍵因素竟是這幾點......

      文章出處：【微信號：Mouser-Community，微信公眾號：貿(mào)澤電子設(shè)計圈】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

      收藏 人收藏
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

        評論

        相關(guān)推薦
        熱點推薦

        深圳爭妍微電子《工業(yè)級平面MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計要點：低Rds(on)器件匹配、散熱優(yōu)化與EMI抑制方案》

        在工業(yè)自動化、新能源發(fā)電、電機(jī)驅(qū)動、開關(guān)電源等核心領(lǐng)域，平面MOSFET憑借其高頻特性、低導(dǎo)通損耗及高可靠性，成為功率轉(zhuǎn)換電路的核心器件。工業(yè)級應(yīng)用對電路效率、穩(wěn)定性及抗干擾能力的嚴(yán)苛
        的頭像 發(fā)表于 12-24 10:12 ?265次閱讀
        深圳爭妍微電子《工業(yè)級平面<b class='flag-5'>MOSFET</b>驅(qū)動<b class='flag-5'>電路</b>設(shè)計要點：低<b class='flag-5'>Rds</b>(on)器件匹配、散熱優(yōu)化與EMI抑制方案》

        MOSFET導(dǎo)通電阻Rds

        （on）電阻值會隨著電流增大輕微上升，因此選擇時需要留有余量。 （3）Rds（on）低的MOSFET通常成本比較高，可以通過優(yōu)化驅(qū)動電路，改進(jìn)散熱等方式，選用
        發(fā)表于 12-23 06:15

        為什么MOSFET柵極前面要加一個100Ω電阻

        是MOS管柵極存在的寄生電容。一般為了加快MOS管導(dǎo)通和截止的速度，降低其導(dǎo)通和截止過程中的產(chǎn)生損耗，柵極上的等效電阻是應(yīng)該越小越好，最好為0。 但我們卻經(jīng)常會看到關(guān)于MOSFET的
        發(fā)表于 12-02 06:00

        信維低損耗MLCC電容，提升電路效率優(yōu)選

        損耗 ：信維低損耗MLCC電容采用高純度陶瓷介質(zhì)材料(如鈦酸鋇基復(fù)合陶瓷)，通過優(yōu)化配方和工藝，將介質(zhì)損耗角正切(tanδ)降低至極低水平(如≤10??)。這一特性顯著減少了電容在高頻信號下的能量
        的頭像 發(fā)表于 11-24 16:30 ?875次閱讀

        功率MOSFET管的應(yīng)用問題分析

        -1.3V，它是否正常導(dǎo)通？應(yīng)用中，不考慮損耗，0.03V 的VGS差異，RDS(on)的壓降對系統(tǒng)沒有任何影響。原來使用0.1歐姆的氧化膜電阻限制浪涌電流，但是，該電阻體積太大，用這
        發(fā)表于 11-19 06:35

        基于仁懋MOSFET的直流電機(jī)驅(qū)動電路：柵極電阻選型與VGS波形優(yōu)化

        PART01柵極電阻在MOSFET驅(qū)動中的核心作用在直流電機(jī)驅(qū)動電路中，MOSFET作為功率開關(guān)器件，其柵極與源極之間存在等效電容（Ciss
        的頭像 發(fā)表于 09-27 10:17 ?1076次閱讀
        基于仁懋<b class='flag-5'>MOSFET</b>的直流電機(jī)驅(qū)動<b class='flag-5'>電路</b>：柵極<b class='flag-5'>電阻</b>選型與VGS波形優(yōu)化

        無需鉗位電路，精準(zhǔn)測量GaN動態(tài)導(dǎo)通電阻Rds(on)

        (on)），一直是設(shè)計人員面臨的挑戰(zhàn)。動態(tài)RDS(on)揭示了電荷俘獲效應(yīng)的影響，直接影響器件的傳導(dǎo)損耗和效率。傳統(tǒng)測量方法依賴硬件鉗位電路，不僅引入誤差源，也增加了測試復(fù)雜度
        的頭像 發(fā)表于 09-12 17:14 ?1245次閱讀
        無需鉗位<b class='flag-5'>電路</b>，精準(zhǔn)測量GaN動態(tài)導(dǎo)通<b class='flag-5'>電阻</b><b class='flag-5'>Rds</b>(on)

        求助：三極管等效電路圖計算

        各位大神，請教一下這個題目怎么計算？ 下面那個圖是我自己做的微等效電路圖，不知道對不對，錯在哪個地方？我找了好些答案看不太懂，請各位大神指點迷津，謝謝！*附件：1.pdf 我判斷是共基電路，為什么很多地方說是共射電路，思考了好
        發(fā)表于 09-03 15:47

        SiC MOSFET模塊的損耗計算

        為了安全使用SiC模塊，需要計算工作條件下的功率損耗和結(jié)溫，并在額定值范圍內(nèi)使用。MOSFET損耗計算與IGBT既有相似之處，也有不同。相對IGBT，MOSFET可以反向?qū)ǎ垂ぷ髟?/div>
        的頭像 發(fā)表于 06-18 17:44 ?4821次閱讀
        SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>模塊的<b class='flag-5'>損耗</b>計算

        等效電阻：請問一下方框所示的電路，可以等效為多大的電阻？

        請問一下方框所示的電路，可以等效為多大的電阻。
        發(fā)表于 06-16 09:57

        SiC MOSFET計算損耗的方法

        本文將介紹如何根據(jù)開關(guān)波形計算使用了SiC MOSFET的開關(guān)電路中的SiC MOSFET的損耗。這是一種在線性近似的有效范圍內(nèi)對開關(guān)波形進(jìn)行分割，并使用近似公式計算功率
        的頭像 發(fā)表于 06-12 11:22 ?2495次閱讀
        SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>計算<b class='flag-5'>損耗</b>的方法

        SiC MOSFET 開關(guān)模塊RC緩沖吸收電路的參數(shù)優(yōu)化設(shè)計

        吸收電路參數(shù)之間的關(guān)系，并求解出緩沖吸收電路參數(shù)的優(yōu)化區(qū)間，最后通過仿真和實驗驗證該方法的正確性。1.? SiC-MOSFET 半橋主電路拓?fù)浼捌?b class='flag-5'>等
        發(fā)表于 04-23 11:25

        互補(bǔ)MOSFET脈沖變壓器的隔離驅(qū)動電路設(shè)計

        MOSFET 的極間電容較大，其等效電路如圖 1 所示，輸入電容 Ciss，輸出電容 Coss 和反饋電容 Crss 與極間電容的關(guān)系可表示為： 功率 MOSFET 的柵極輸入端相當(dāng)于一個容性網(wǎng)絡(luò)，它
        發(fā)表于 03-27 14:48

        MOSFET與IGBT的區(qū)別

        半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)有的器件水平。 導(dǎo)通損耗除了IGBT的電壓下降時間較長外，IGBT和功率MOSFET的導(dǎo)通特性十分類似。由基本的IGBT等效電路（見圖1）可看出，完全調(diào)節(jié)PNP BJT集電極基極區(qū)的少數(shù)
        發(fā)表于 03-25 13:43

        MOSFET開關(guān)損耗計算

        Power MOSFET 設(shè)計電源時，大多直接以 PowerMOSFET 的最大耐壓、最大導(dǎo)通電流能力及導(dǎo)通電阻等三項參數(shù)做出初步?jīng)Q定。但實際上，在不同的應(yīng)用電路中，Power MOSFET
        發(fā)表于 03-24 15:03