平面柵VDMOS 詳細介紹

平面柵VDMOS（Vertical Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor）是一種特殊類型的MOSFET，主要用于功率電子應用。它結合了平面柵（Planar Gate）和垂直擴散技術，以提高功率處理能力和開關效率。

結構特點

Structural characteristics

垂直結構：

與傳統平面MOSFET不同，VDMOS的主要特點是其垂直結構，即電流沿垂直方向流動。這種設計使得器件能處理更高的功率。

雙重擴散（Double-Diffused）：

VDMOS的源極和漏極區域通過雙重擴散工藝形成。這種工藝允許在較低的電壓下獲得較高的電流承載能力。

平面柵（Planar Gate）：

柵極結構與傳統的平面MOSFET類似，使用一層氧化物隔離柵極與半導體之間的直接接觸。平面柵設計有助于控制溝道的導電性。

溝道（Channel）：

柵極施加電壓時，會在源極和漏極之間的半導體材料表面形成一個溝道，這個溝道是垂直于平面柵的。

工作原理

working principle

開關特性：

當柵極電壓高于閾值電壓時，VDMOS形成導電溝道，允許電流從源極流向漏極。垂直結構使其在高電壓下仍能保持高開關效率。

功率處理：

由于其垂直結構，VDMOS能夠承受較高的電壓和電流，適用于高功率應用，如電源管理和電動汽車驅動系統。

薩瑞產品優勢

產品概述及特點

Product Overview and Features

薩瑞微提供500V-800V 平面柵VDMOS 。產品采用業界優良的平面技術、獨特的器件設計，并結合薩瑞自有封裝優勢，雪崩耐量高， EMI兼容性好， 抗沖擊能力強。

產品應用領域

Product application areas

應用于開關電源、照明、充電器、適配器、 DC-DC、吹風機等。

產品選型

Product selection

應用拓撲圖及應用案例

吹風機

充電器/適配器