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30W-PD快充協議芯片應用方案

東莞市中銘電子 ? 2024-08-19 10:56 ? 次閱讀
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30W-PD快充協議芯片應用方案

一、概述

該30W-PD快充協議芯片方案由PN8165(A)、PN8307P、AP5811套片組成。PN8165內部集成了準振工作模式的電流模式控制器和功率MOSFET,專用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源,PN8307P包括同步整流控制器及高雪崩能力內置功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系統中替代次級整流肖特基二極管,AP5811是一款高集成度的快充協議,可支持多種快充協議。

二、特征


輸入電壓:90~265V全電壓

輸出功率:30W

輸出規格:5V3A,9V3A,12V2.5A,15V2A,20V1.5A效率:滿足CoCV5Tier2能效規范

通過PD3.1認證(TID:9260)

支持BC1.2/QC2.0/QC3.0/SCPA/AFC/PD2.0

/PD3.1/PPS/Apple5V2.4A快充協議


三、電路原理

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