HDBaseT技術簡介

HDBaseT技術，由全球知名的家電巨頭如LG、Samsung、Sony（均來自亞洲），攜手以色列的半導體技術先鋒Valens Semiconductor，共同創立了HDBaseT聯盟。該聯盟于2009年成功獲得了Intel的HDCP（高清內容保護）認證，標志著其技術標準的權威性與安全性。隨后，在2010年6月底，HDBaseT 1.0的官方規范正式確立，為行業樹立了新的里程碑。

與HDMI和DisplayPort等標準不同，HDBaseT并未引入全新的接口設計，而是巧妙地采用了RJ45接口，這一接口常被稱為水晶頭或以太網接口，極大地提升了用戶的熟悉度與便捷性。同時，HDBaseT采用了普遍易得的網線作為傳輸介質，進一步降低了部署成本，增強了其普及性。

HDBaseT標準不僅限于視頻信號的傳輸，它還集成了網絡連接功能，實現了音視頻信號與數據通信的同步傳輸。該技術還支持以太網供電（PoE），即可以通過網線同時為連接的設備提供電力，極大地簡化了布線工作，提升了系統的整體效能與靈活性。

2.HDBaseT版本介紹

表1 HDBaseT版本介紹

3.湖南靜芯HDBaseT產品推薦

靜芯推出超小體積、超高峰值電流，低鉗位電壓的HDBaseT ESD器件SENC26F3V4UC，該產品專為HDBaesT接口的TX（發送）和RX（接收）線路設計。SENC26F3V4UC為單路保護器件，具備3.3V低觸發電壓和7V低鉗位電壓特性，滿足115V低壓浪涌（8/20us)的過壓保護需求（VRWM=3.3V MAX，VCL = 13.0V@IPP = 40.0A (8/20us)）。以其更小的容值和更高的峰值電流，為高速數據傳輸提供了高速信號線提供優異的瞬態過壓保護效果，確保了信號的完整性和設備的安全性。

圖1 基本電性圖

SENC26F3V4UC參數對比RClamp2504N（包含測試圖形）

表2 器件測試參數對比

圖2 峰值電流10A 8/20測試曲線

（左邊RClamp2504N，右邊SENC26F3V4UC）

圖3極限測試 8/20浪涌測試曲線

（左邊RClamp2504N，右邊SENC26F3V4UC）

SENC26F3V4UC的實測過流能力是 46.4A, RCLAMP2504N的實測過流能力28A， SENC26F3V4UC的鉗位電壓14V@46.4A, RCLAMP2504N的鉗位電壓14.2V@28A，超過10A后的鉗位電壓，SENC26F3V4UC的鉗位電壓會明顯好于RCLAMP2504N，考慮系統的穩健性是通過測試極端參數條件下的可靠性，在RCLAMP2504N的極限電流28A的條件下，SENC26F3V4UC的鉗位電壓會低于11V（RCLAMP2504N為14.2V）,對系統的防護效果更好。

在1A附近的鉗位電壓的實測數據：SENC26F3V4UC的鉗位電壓6.32V@1.28A, RCLAMP2504N的鉗位電壓4.8V@1.44A,兩者差別不大（規格書上 SENC26F3V4UC的余量留的比較足，標的典型值7V，最大值10V；RCLAMP2504N的最大值4.5V,但是這個值已經和實測的典型值接近了。）

SENC26F3V4UC第5號管腳可以接3.3V的VCC（RCLAMP2504N的5號管腳規格書提示不能接VCC，有風險），對3.3V提供比較好的防護，對靠近接口部分的電源提供靜電和浪涌防護，實際布線電源走線可以先連接到器件5號腳，再給到應用電路。

5.HDBaseT電路框圖

圖 典型應用圖

防護方案中所使用ESD型號參數描述（詳盡參數請與我司代理聯系）：

湖南靜芯是一家專門從事高可靠性器件與芯片設計的高新技術企業，為客戶提供面向汽車、工業、物聯網等高可靠性傳感器及相關芯片、半導體器件和應用系統等產品和服務。

在分立器件方向具有自帶完整ESD/TVS/TSS/MOS等器件工藝技術和產品；

在集成電路芯片方向提供高可靠性的光電集成信號處理/TDS/OVP等芯片技術和產品；

在設計服務方面提供片上集成抗雷擊高性能ESD/TVS委托開發設計。

靜心創新，靜芯創芯

官方網站：www.elecsuper.com

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審核編輯 黃宇