国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

拯救摩爾定律!僅分子大小世界最小晶體管問世

454398 ? 來源:網絡 ? 作者:佚名 ? 2015-07-24 10:24 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

在拯救摩爾定律的道路上,大家似乎都卯足了勁。不久前,IBM宣布研發成功7nm芯片,而現在,又有研發團隊宣稱制備成功了有史以來最小的晶體管——只有單個分子大小。

實現這一驚人成就的是來自一支德國、日本和美國的聯合研究團隊,他們在砷化銦晶體襯底上使用12個帶正電的銦原子環繞一個酞菁分子,然后就得到了一個晶體管。

早在2012年,IBM就宣稱成功將單個比特的信息集成到了12個原子構成的結構上,而這一次晶體管的制備成功又是在這一基礎上的巨大飛躍。這個晶體管直徑僅為167皮米(10-12米),比之前最小的電路還要小42倍。

這一成就的基礎是研究人員意外發現酞菁分子的取向會受到其上電荷的影響,然后通過掃描隧道電子顯微鏡的電子流限制銦原子的運動,將銦原子精確地限制在特定的柵格內。

但是這一研究成果還處于早期階段,實用化還遙遙無期,但這一研究成果鋪平了實現大規模量子計算的道路,但具體的情況還有待進一步驗證。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • IBM
    IBM
    +關注

    關注

    3

    文章

    1868

    瀏覽量

    77004
  • 摩爾定律
    +關注

    關注

    4

    文章

    640

    瀏覽量

    80908
  • 晶體管
    +關注

    關注

    78

    文章

    10396

    瀏覽量

    147758
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    多值電場型電壓選擇晶體管結構

    ,有沒有一種簡單且有效的器件實現對電壓的選擇呢?本文將介紹一種電場型多值電壓選擇晶體管,之所以叫電壓型,是因為通過調控晶體管內建電場大小來實現對電壓的選擇,原理是PN結有內建電場,通過外加電場來增大或減小
    發表于 09-15 15:31

    【「AI芯片:科技探索與AGI愿景」閱讀體驗】+半導體芯片產業的前沿技術

    為我們重點介紹了AI芯片在封裝、工藝、材料等領域的技術創新。 一、摩爾定律 摩爾定律是計算機科學和電子工程領域的一條經驗規律,指出集成電路上可容納的晶體管數量每18-24個月會增加一倍,同時芯片
    發表于 09-15 14:50

    【「AI芯片:科技探索與AGI愿景」閱讀體驗】+工藝創新將繼續維持著摩爾神話

    。那該如何延續摩爾神話呢? 工藝創新將是其途徑之一,芯片中的晶體管結構正沿著摩爾定律指出的方向一代代演進,本段加速半導體的微型化和進一步集成,以滿足AI技術及高性能計算飛速發展的需求。 CMOS工藝從
    發表于 09-06 10:37

    摩爾定律 “踩剎車” ,三星 、AP、普迪飛共話半導體制造新變革新機遇

    ,揭示行業正處于從“晶體管密度驅動”向“系統級創新”轉型的關鍵節點。隨著摩爾定律放緩、供應鏈分散化政策推進,一場融合制造技術革新與供應鏈數字化的產業變革正在上演。
    的頭像 發表于 08-19 13:48 ?1354次閱讀
    當<b class='flag-5'>摩爾定律</b> “踩剎車” ,三星 、AP、普迪飛共話半導體制造新變革新機遇

    AI狂飆, FPGA會掉隊嗎? (上)

    摩爾定律說,集成電路上的晶體管數量大約每兩年翻一番。隨著晶體管尺寸接近物理極限,摩爾定律的原始含義已不再適用,但計算能力的提升并沒有停止。英偉達的SOC在過去幾年的發展中,AI算力大致
    的頭像 發表于 08-07 09:03 ?1263次閱讀
    AI狂飆, FPGA會掉隊嗎? (上)

    晶心科技:摩爾定律放緩,RISC-V在高性能計算的重要性突顯

    運算還是快速高頻處理計算數據,或是超級電腦,只要設計或計算系統符合三項之一即可稱之為HPC。 摩爾定律走過數十年,從1970年代開始,世界領導廠商建立晶圓廠、提供制程工藝,在28nm之前取得非常大的成功。然而28nm之后摩爾定律
    的頭像 發表于 07-18 11:13 ?4252次閱讀
    晶心科技:<b class='flag-5'>摩爾定律</b>放緩,RISC-V在高性能計算的重要性突顯

    東京大學開發氧化銦(InGaOx)新型晶體管,延續摩爾定律提供新思路

    據報道,東京大學的研究團隊近日成功開發出一種基于摻鎵氧化銦(InGaOx)晶體材料的新型晶體管。這一創新在微電子技術領域引起了廣泛關注,標志著微電子器件性能提升的重要突破。該研究團隊的環繞式金屬
    的頭像 發表于 07-02 09:52 ?968次閱讀
    東京大學開發氧化銦(InGaOx)新型<b class='flag-5'>晶體管</b>,延續<b class='flag-5'>摩爾定律</b>提供新思路

    鰭式場效應晶體管的原理和優勢

    自半導體晶體管問世以來,集成電路技術便在摩爾定律的指引下迅猛發展。摩爾定律預言,單位面積上的晶體管數量每兩年翻一番,而這一進步在過去幾十年里
    的頭像 發表于 06-03 18:24 ?1914次閱讀
    鰭式場效應<b class='flag-5'>晶體管</b>的原理和優勢

    低功耗熱發射極晶體管的工作原理與制備方法

    集成電路是現代信息技術的基石,而晶體管則是集成電路的基本單元。沿著摩爾定律發展,現代集成電路的集成度不斷提升,目前單個芯片上已經可以集成數百億個晶體管
    的頭像 發表于 05-22 16:06 ?1334次閱讀
    低功耗熱發射極<b class='flag-5'>晶體管</b>的工作原理與制備方法

    跨越摩爾定律,新思科技掩膜方案憑何改寫3nm以下芯片游戲規則

    電子發燒友網報道(文/黃山明)在半導體行業邁向3nm及以下節點的今天,光刻工藝的精度與效率已成為決定芯片性能與成本的核心要素。光刻掩模作為光刻技術的“底片”,其設計質量直接決定了晶體管結構的精準度
    的頭像 發表于 05-16 09:36 ?5906次閱讀
    跨越<b class='flag-5'>摩爾定律</b>,新思科技掩膜方案憑何改寫3nm以下芯片游戲規則

    電力電子中的“摩爾定律”(1)

    創始人之一的戈登·摩爾(GordonMoore)在《電子器件會議記錄》中提出,集成電路芯片上所能容納的晶體管數量每隔大約18至24個月會翻倍,同時成本也會相應下降
    的頭像 發表于 05-10 08:32 ?888次閱讀
    電力電子中的“<b class='flag-5'>摩爾定律</b>”(1)

    玻璃基板在芯片封裝中的應用

    自集成電路誕生以來,摩爾定律一直是其發展的核心驅動力。根據摩爾定律,集成電路單位面積上的晶體管數量每18到24個月翻一番,性能也隨之提升。然而,隨著晶體管尺寸的不斷縮小,制造工藝的復雜
    的頭像 發表于 04-23 11:53 ?3134次閱讀
    玻璃基板在芯片封裝中的應用

    多值電場型電壓選擇晶體管結構

    ,有沒有一種簡單且有效的器件實現對電壓的選擇呢?本文將介紹一種電場型多值電壓選擇晶體管,之所以叫電壓型,是因為通過調控晶體管內建電場大小來實現對電壓的選擇,原理是PN結有內建電場,通過外加電場來增大或減小
    發表于 04-15 10:24

    晶體管電路設計(下)

    晶體管,FET和IC,FET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設計,源極跟隨器電路設計,FET低頻功率放大器的設計與制作,柵極接地放大電路的設計,電流反饋型OP放大器的設計與制作,進晶體管
    發表于 04-14 17:24

    瑞沃微先進封裝:突破摩爾定律枷鎖,助力半導體新飛躍

    在半導體行業的發展歷程中,技術創新始終是推動行業前進的核心動力。深圳瑞沃微半導體憑借其先進封裝技術,用強大的實力和創新理念,立志將半導體行業邁向新的高度。 回溯半導體行業的發展軌跡,摩爾定律無疑是一個重要的里程碑
    的頭像 發表于 03-17 11:33 ?889次閱讀
    瑞沃微先進封裝:突破<b class='flag-5'>摩爾定律</b>枷鎖,助力半導體新飛躍